一种化合物、其制备方法及包含该化合物的圆偏振发光材料技术

本发明专利技术涉及一种化合物、其制备方法及包含该化合物的圆偏振发光材料，该化合物具有式I所示结构。本发明专利技术一实施方式的圆偏振发光材料具有较高的发光不对称因子和/或发光效率。具有较高的发光不对称因子和/或发光效率。具有较高的发光不对称因子和/或发光效率。

A compound, a preparation method thereof and a circularly polarized light-emitting material containing the compound

【技术实现步骤摘要】
一种化合物、其制备方法及包含该化合物的圆偏振发光材料


[0001]本专利技术涉及有机环金属铂化合物，尤其涉及一种可用于圆偏振发光材料的离子型手性有机环金属铂化合物。

技术介绍

[0002]圆偏振发光(CPL)是指手性材料在激发态下辐射出左、右旋圆偏振光(CP)的现象。由于其主动发光相较于波片转化更有利于小型化集成器件，近年来圆偏振发光材料受到广泛关注。
[0003]表征CPL的关键参数是发光量子产率(Φ)和发光不对称因子(g
lum
)。近十年来，虽然人们已经开发了大量具有CPL活性的材料如有机小分子、金属配合物、共轭聚合物、手性金属簇合物、无机纳米材料和液晶等，但由于Φ和g
lum
的拮抗关系，迄今为止g
lum
和Φ值都较大的材料仍然是有限的。如何提高发光不对称因子(g
lum
)和提高发光效率(Φ)来得到高效CPL活性材料仍是一个巨大的挑战。

技术实现思路

[0004]第一方面，本专利技术一实施方式提供了一种化合物，具有式I所示结构：
[0005][0006]根据本专利技术一实施方式，所述化合物选自下述化合物：
[0007][0008]第二方面，本专利技术一实施方式提供了一种上述化合物的制备方法，包括如下步骤：
[0009]S1：通过化合物C1制得化合物C2，所述化合物C1和所述化合物C2的结构式如下：
[0010][0011]S2：通过所述化合物C2制得化合物C3，所述化合物C3的结构式如下：
[0012][0013][0014]S3：通过所述化合物C3制得化合物C4，所述化合物C4的结构式如下：
[0015][0016]S4：通过所述化合物C4制得所述式I化合物。
[0017]根据本专利技术一实施方式，所述化合物C1的制备工艺包括：将2,6
‑
二溴异烟酸与氯化亚砜反应，制得2,6
‑
二溴异烟酸酰氯；以及
[0018]将所述2,6
‑
二溴异烟酸酰氯与亮氨酸甲酯盐酸盐反应，制得所述化合物C1；和/或，
[0019]所述步骤S1包括：将所述化合物C1与2
‑
三丁基锡吡啶反应，制得所述化合物C2；和/或，
[0020]所述步骤S2包括：将所述化合物C2与苯硼酸反应，制得所述化合物C3；和/或，
[0021]所述步骤S3包括：将所述化合物C3与四氯亚铂酸钾反应，制得所述化合物C4；和/或，
[0022]所述步骤S4包括：将所述化合物C4与2,6
‑
二甲基苯异腈反应，制得所述式I化合物。
[0023]第三方面，本专利技术一实施方式提供了一种圆偏振发光材料，包括上述的化合物。
[0024]第四方面，本专利技术一实施方式提供了一种发光或显示器件，包括上述的圆偏振发光材料。
[0025]第五方面，本专利技术一实施方式提供了一种圆偏振发光薄膜，包括上述的化合物。
[0026]根据本专利技术一实施方式，所述圆偏振发光薄膜的量子产率为30～40％，和/或，发光不对称因子的绝对值为0.01～0.06，进一步为0.03～0.06，再进一步为0.04～0.06，更进一步为0.05～0.06。
[0027]第六方面，本专利技术一实施方式提供了一种圆偏振发光薄膜的制备方法，包括将上述的化合物通过溶剂法成膜；其中，所使用的溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述第一溶剂包括二氯甲烷、氯仿、1,2
‑
二氯乙烷中的一种或多种；所述第二溶剂包括正己烷、环己烷、正庚烷中的一种或多种。
[0028]根据本专利技术一实施方式，在所述溶剂中，所述第一溶剂的体积含量为20～70％，进一步为50～70％，再进一步为50～60％；所述第二溶剂的体积含量为30～80％，进一步为30～50％，再进一步为40～50％。
[0029]本专利技术一实施方式的化合物，可以用于圆偏振发光材料。
[0030]本专利技术一实施方式的圆偏振发光材料/薄膜，具有较高的发光不对称因子和/或发光效率。
[0031]本专利技术中，上述各技术方案之间还可以相互组合，以实现更多的优选组合方案。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分优点可从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过说明书以及附图中所
特别指出的内容中来实现和获得。
附图说明
[0032]附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。其中：
[0033]图1为本专利技术应用例1
‑
1的式
Ⅰ‑
1化合物在溶剂中的荧光发射光谱；
[0034]图2为本专利技术应用例1
‑
1和2
‑
1的薄膜的红色圆偏振发光光谱；
[0035]图3为本专利技术应用例1
‑
2和2
‑
2的薄膜的红色圆偏振发光光谱。
具体实施方式
[0036]下面对本专利技术的优选实施方式进行具体描述，其中，附图构成本专利技术一部分，并与本专利技术的实施方式一起用于阐释本专利技术的原理，并非用于限定本专利技术的范围。
[0037]本专利技术一实施方式提供了一种离子型手性有机环金属铂化合物，具有式I所示结构：
[0038][0039]于一实施方式中，离子型手性有机环金属铂化合物的结构如式I
‑
1所示：
[0040][0041]于一实施方式中，离子型手性有机环金属铂化合物的结构如式I
‑
2所示：
[0042][0043]本专利技术一实施方式提供了一种式I所示化合物的制备方法，包括如下步骤：
[0044]S1：通过化合物C1(N
‑
(亮氨酸甲酯基)
‑
2,6
‑
二溴异烟酰胺)制得化合物C2(N
‑
(亮氨酸甲酯基)
‑2‑
溴
‑6‑
(2
‑
吡啶基)异烟酰胺)，化合物C1和化合物C2的结构式如下：
[0045][0046]S2：通过化合物C2制得化合物C3(N
‑
(亮氨酸甲酯基)
‑2‑
苯基
‑6‑
(2
‑
吡啶基)异烟酰胺)，化合物C3的结构式如下：
[0047][0048]S3：通过化合物C3制得化合物C4，化合物C4的结构式如下：
[0049][0050]S4：通过化合物C4制得式I化合物。
[0051]本专利技术一实施方式的式I所示化合物的制备方法，还包括制备化合物C1的步骤S0，步骤S0包括：
[0052]将2,6
‑
二溴异烟酸与氯化亚砜反应，制得2,6
‑
二溴异烟酸酰氯；以及
[0053]将2,6
‑
二溴异烟酸酰氯与亮氨酸甲酯盐酸盐反应，制得化合物C1；相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，具有式I所示结构：2.根据权利要求1所述的化合物，其选自下述化合物：3.一种权利要求1或2所述的化合物的制备方法，包括如下步骤：S1：通过化合物C1制得化合物C2，所述化合物C1和所述化合物C2的结构式如下：S2：通过所述化合物C2制得化合物C3，所述化合物C3的结构式如下：
S3：通过所述化合物C3制得化合物C4，所述化合物C4的结构式如下：S4：通过所述化合物C4制得所述式I化合物。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述化合物C1的制备工艺包括：将2,6
‑
二溴异烟酸与氯化亚砜反应，制得2,6
‑
二溴异烟酸酰氯；以及将所述2,6
‑
二溴异烟酸酰氯与亮氨酸甲酯盐酸盐反应，制得所述化合物C1；和/或，所述步骤S1包括：将所述化合物C1与2
‑
三丁基锡吡啶反应，制得所述化合物C2；和/或，所述步骤S2包括：将所述化合物C2与苯硼酸反应，制得所述化合物C3；和/或，所述步骤S3包括：将所述化合物C3与四氯亚铂酸钾反应，制得所述化合物C4；和/或，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟羽武，但体雄，龚忠亮，姚建年，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：