LED芯片的转移方法、阵列基板及显示设备技术

本申请涉及一种LED芯片的转移方法、阵列基板及显示设备。该LED芯片的转移方法包括：将基板、芯片和微纳马达置于溶液中，所述基板上设有焊盘；驱动所述微纳马达在所述溶液内向所述基板运动，以使所述微纳马达运动过程中推动所述LED芯片至所述焊盘上。本申请中方法先将基板、芯片和微纳马达置于溶液中，然后驱动所述微纳马达在所述溶液内向所述基板运动，以使所述微纳马达运动过程中推动所述LED芯片至所述焊盘上。本方法利用微纳马达体积小、动力强的特点，通过微纳马达推动LED芯片至焊盘上能够更快的实现LED芯片的转移，故提高了芯片转移速度，减小了对芯片造成的损伤。减小了对芯片造成的损伤。减小了对芯片造成的损伤。

LED chip transfer method, array substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
LED芯片的转移方法、阵列基板及显示设备


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及LED芯片的转移方法、阵列基板及显示设备。

技术介绍

[0002]MLED发展成未来显示技术的热点之一，目前MLED面板包括Mini LED显示面板和Micro
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LED显示面板两种。相较现有的LCD、OLED显示面板，MLED面板具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势；但MLED面板的技术难点多且技术复杂，特别是LED芯片巨量转移技术、LED芯片微型化成为技术瓶颈。
[0003]MLED显示面板工艺可以大分为：背板制作、LED芯片转移、COF bonding、组装等工序完成；其中，Mini
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LED芯片转移工艺有固晶和刺晶两种，Micro LED芯片转移工艺有Stamp和Laser，流体，Roal
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to
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Roall等。上述固晶和刺晶转移速率慢，故对芯片有损伤，而流体等转移方式技术不成熟，因此亟需一种转移速度快的转移方法。

技术实现思路

[0004]基于此，本申请实施例提供一种LED芯片的转移方法、阵列基板及显示设备，用于提高现有LED芯片的转移方法的转移速度。
[0005]为了实现上述目的，本申请实施例提供了一种LED芯片的转移方法，所述LED芯片的转移方法包括：
[0006]将基板、LED芯片和微纳马达置于溶液中，所述基板上设有焊盘；
[0007]驱动所述微纳马达在所述溶液内向所述基板运动，以使所述微纳马达运动过程中推动所述LED芯片至所述焊盘上。
[0008]可选的，所述LED芯片上设有连接结构，所述连接结构的形状与所述焊盘的形状相匹配，且所述连接结构与所述焊盘对应连接。
[0009]可选的，所述LED芯片包括第一LED芯片和第二LED芯片，所述基板上设有第一焊盘和第二焊盘；
[0010]所述第一LED芯片上设有第一连接结构，所述第一连接结构的形状与所述第一焊盘的形状相匹配，且所述第一连接结构与所述第一焊盘对应连接；
[0011]所述第二LED芯片上设有第二连接结构，所述第二连接结构的形状与所述第二焊盘的形状相匹配，且所述第二连接结构与所述第二焊盘对应连接；
[0012]其中，所述第一连接结构的形状与所述第二连接结构的形状不同。
[0013]可选的，所述LED芯片还包括第三LED芯片，所述基板上还设有第三焊盘；所述第三LED芯片上设有第三连接结构，所述第三连接结构的形状与所述第三焊盘的形状相匹配，且所述第三连接结构与所述第三焊盘对应连接；
[0014]其中，所述第三连接结构的形状与所述第二连接结构的形状不同，所述第三连接结构的形状与所述第一连接结构的形状不同。
[0015]可选的，所述第一连接结构、所述第二连接结构和所述第三连接结构分别为不同形状的孔。
[0016]可选的，所述第一连接结构为设于所述第一LED芯片上的圆形孔，所述第一焊盘呈柱状；所述第二连接结构为设于所述第二LED芯片上的矩形孔，所述第二焊盘呈长方体状；所述第三连接结构为设于所述第三LED芯片上的三角形孔，所述第三焊盘呈三棱柱状。
[0017]可选的，所述驱动所述微纳马达在所述溶液内向所述基板运动，以使所述微纳马达运动过程中推动所述LED芯片至所述焊盘上包括：
[0018]采用光照的方式驱动所述微纳马达在所述溶液内向所述基板运动，以使所述微纳马达运动过程中推动所述LED芯片至所述焊盘上。
[0019]可选的，所述将基板、LED芯片和微纳马达置于溶液中，所述基板上设有焊盘包括：
[0020]将所述基板和所述LED芯片置于溶液中；
[0021]将所述微纳马达置于溶液中。
[0022]另一方面，本申请实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用上述任一所述的方法制得。
[0023]另一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括驱动组件以及上述任一所述的阵列基板；驱动组件连接阵列基板。
[0024]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0025]本申请提供一种LED芯片的转移方法、阵列基板及显示设备，先将基板、芯片和微纳马达置于溶液中，然后驱动所述微纳马达在所述溶液内向所述基板运动，以使所述微纳马达运动过程中推动所述LED芯片至所述焊盘上。本方法利用微纳马达体积小、动力强的特点，通过微纳马达推动LED芯片至焊盘上能够更快的实现LED芯片的转移，故提高了芯片转移速度，减小了对芯片造成的损伤。
附图说明
[0026]图1为本申请实施例提供的LED芯片的转移方法的步骤流程图。
[0027]图2为本申请实施例提供的另一LED芯片的转移方法的步骤流程图。
[0028]图3为本申请实施例提供中步骤S111执行后基板及LED芯片的结构示意图。
[0029]图4为本申请实施例提供中步骤S112执行后基板及LED芯片的结构示意图。
[0030]图5为本申请实施例提供中各LED芯片及各焊盘的结构示意图。
[0031]图6为本申请实施例提供中步骤S12执行后基板及LED芯片的结构示意图。
[0032]图7为本申请实施例提供中微纳马达无序的分散在溶液中的结构示意图。
具体实施方式
[0033]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于
描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0035]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0036]MLED发展成未来显示技术的热点之一，目前MLED面板包括Mini LED显示面板和Micro
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LED显示面板两种。相较现有的LCD、OLED显示面板，MLED面板具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势；但MLED面板的技术难点多且技术复杂，特别是LED芯片巨量转移技术、LED芯片微型化成为技术瓶颈。
[0037]MLED显示面板工艺可以大分为：背板制作、LED芯片转移、C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的转移方法，其特征在于，所述LED芯片的转移方法包括：将基板、LED芯片和微纳马达置于溶液中，所述基板上设有焊盘；驱动所述微纳马达在所述溶液内向所述基板运动，以使所述微纳马达运动过程中推动所述LED芯片至所述焊盘上。2.根据权利要求1所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述LED芯片上设有连接结构，所述连接结构的形状与所述焊盘的形状相匹配，且所述连接结构与所述焊盘对应连接。3.根据权利要求1所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述LED芯片包括第一LED芯片和第二LED芯片，所述基板上设有第一焊盘和第二焊盘；所述第一LED芯片上设有第一连接结构，所述第一连接结构的形状与所述第一焊盘的形状相匹配，且所述第一连接结构与所述第一焊盘对应连接；所述第二LED芯片上设有第二连接结构，所述第二连接结构的形状与所述第二焊盘的形状相匹配，且所述第二连接结构与所述第二焊盘对应连接；其中，所述第一连接结构的形状与所述第二连接结构的形状不同。4.根据权利要求3所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述LED芯片还包括第三LED芯片，所述基板上还设有第三焊盘；所述第三LED芯片上设有第三连接结构，所述第三连接结构的形状与所述第三焊盘的形状相匹配，且所述第三连接结构与所述第三焊盘对应连接；其中，所述第三连接结构的形状与所述第二连接结构的形状不...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓红照，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：