一种有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池技术

本发明专利技术公开了一种有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池；所述薄膜是以常用的钙钛矿电池的电子传输层为基底，在该基底上采用两步法制备CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜，之后在CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜上修饰一层有机小分子化合物苯乙酮。制备方法包括：在SnO2基底上使用两步法制备CH3NH3PbI3薄膜，再将苯乙酮旋涂在CH3NH3PbI3薄膜上，该薄膜可用于钙钛矿太阳能电池中。本发明专利技术通过苯乙酮修饰CH3NH3PbI3/spiro

Perovskite film modified by organic small molecule compound interface, its preparation method and solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池


[0001]本专利技术属于太阳能电池的制备
，具体涉及一种有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿光吸收层的制备方法，尤其涉及钙钛矿太阳能电池光吸收层/空穴传输层的界面工程。

技术介绍

[0002]太阳能是一种优良的新型可再生能源。太阳能具有分布广泛、取之不尽、用之不竭、易于获得、污染小、可持续发展的特点，被认为在未来将有望替代传统化石能源，缓解严重的能源危机以及环境污染问题，在促进人类社会能源结构的转型，实现人类社会的可持续发展方面具有很大潜力。太阳能电池能够直接将太阳能转化为电能，实现太阳能的有效利用，成为近年来备受关注的新能源转换技术。自从20世纪50年代太阳能电池面世以来，目前的太阳能电池可以分为三代：以晶硅太阳能电池为代表的第一代太阳能电池，以碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池为代表的一系列第二代太阳能电池，以染料敏化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池等为代表的第三代太阳能电池。目前，钙钛矿太阳能电池的最高光电转换效率已达到25.5％。钙钛矿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述薄膜是以平面结构SnO2为基底，在该基底上制备CH3NH3PbI3薄膜，之后在CH3NH3PbI3薄膜上旋涂苯乙酮。2.根据权利要求1所述的有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括：(1)将导电玻璃分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声处理，烘干并紫外臭氧清洗处理后，将SnO2胶体分散液旋涂到处理后的导电玻璃上，退火获得导电玻璃/SnO2薄膜；(2)在导电玻璃/SnO2薄膜上采用两步法制备CH3NH3PbI3薄膜，获得导电玻璃/SnO2/CH3NH3PbI3薄膜；(3)将苯乙酮溶于异丙醇中，在室温条件下搅拌至完全溶解，获得苯乙酮溶液；将苯乙酮溶液旋涂在步骤(2)制备的导电玻璃/SnO2/CH3NH3PbI3薄膜上，在一定温度条件下退火，获得导电玻璃/SnO2/CH3NH3PbI3/苯乙酮薄膜。3.根据权利要求2所述的有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的苯乙酮溶液的质量浓度为2～10mg/mL。4.根据权利要求2所述的有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的苯乙酮溶液旋涂的速度为2000～5000rpm，旋涂时间为20～40s。5.根据权利要求2所述有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中退火温度为90～120℃，退火时间是1～3min。6.根据权利要求2所述有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的SnO2胶体分散液的质量百分比浓度为1wt％～5wt％，旋涂速度为2000～5000r/min，旋涂时间为10s～60s，该过程重复次数为4～8次，退火温度为100～200℃，退火时间为20～60min。7.根据权利要求2所述的有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述的两步法制备CH3NH3PbI3薄膜为：1)称PbI2溶解在二甲基亚砜(DMSO)和N,N
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二甲基甲酰胺(DMF)的混合溶剂中，加热搅拌直至完全溶解，然后用聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟敏，周瑾璟，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：