一种红外检测电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种红外检测电路及装置，该红外检测电路包括：红外检测仪；接入所述红外检测仪的光电阵列，所述光电阵列包括阵列排布的多个红外晶体三极管，多个所述红外晶体三极管之间发射极与发射极并联、基极与基极并联、集电极与集电极并联。本实用新型专利技术中，通过红外检测仪可以调节光电阵列的平衡调节，通过多个红外晶体三极管组成阵列式平面，协同配置出符合检测电路参数的光电接收平面，可以增大光电接收面积，以及可以增加对红外线信号的接收点，从而可以提高检测红外线信号的灵敏度，以及增加接收红外线信号能量，实现了光电平面对红外遥控器发出的940nm红外线信号的检测，满足了在微弱光线环境下红外线信号的检测需求。足了在微弱光线环境下红外线信号的检测需求。足了在微弱光线环境下红外线信号的检测需求。

【技术实现步骤摘要】
一种红外检测电路及装置


[0001]本技术涉及红外检测
，特别是涉及一种红外检测电路及装置。

技术介绍

[0002]随着科学技术的发展，红外线检测已广泛应用到各个领域中，如国防工业、医疗设备、安全监控、家居设备等领域。
[0003]目前，通常是使用红外检测仪来检测红外线信号。然而，在微弱光线环境下，红外检测仪检测到红外线信号比较微弱，且检测红外线的灵敏度较低，不能够满足人们对红外线信号的检测需求。因此，需要提高检测红外线信号的灵敏度，以及增加接收红外线信号能量。

技术实现思路

[0004]基于此，本技术的目的在于提供一种红外检测电路及装置，用于提高检测红外线信号的灵敏度，以及增加接收红外线信号能量，满足在微弱光线环境下红外线信号的检测需求。
[0005]第一方面，本技术实施例提供了一种红外检测电路，包括：
[0006]红外检测仪；
[0007]接入所述红外检测仪的光电阵列，所述光电阵列包括阵列排布的多个红外晶体三极管，多个所述红外晶体三极管之间发射极与发射极并联、基极与基极并联、集电极与集电极并联。
[0008]在本技术实施例提供的红外检测电路中，通过红外检测仪可以调节光电阵列的平衡调节，通过多个红外晶体三极管组成阵列式平面，协同配置出符合检测电路参数的光电接收平面，可以增大光电接收面积，以及可以增加对红外线信号的接收点，从而可以提高检测红外线信号的灵敏度，以及增加接收红外线信号能量，实现了光电平面对红外遥控器发出的940nm红外线信号的检测，满足了在微弱光线环境下红外线信号的检测需求。
[0009]可选地，所述光电阵列划分为阵列分布的多个阵列平面。
[0010]可选地，任一所述阵列平面包括并排设置的第一子阵列平面和第二子阵列平面；
[0011]所述第一子阵列平面和所述第二子阵列平面依次远离所述红外检测仪的输入端。
[0012]可选地，所述第一子阵列平面和所述第二子阵列平面分别包括阵列分布的多行红外晶体三极管；任一所述阵列平面还包括第一电容和第二电容；
[0013]所述第一电容的一端与第一红外晶体三极管的基极并联，所述第一电容的另一端与所述第一红外晶体三极管的发射极连接，所述第一红外晶体三极管为位于所述第一子阵列平面的第一行红外晶体三极管中远离所述红外检测仪的输入端的红外晶体三极管；
[0014]所述第二电容的一端与第二红外晶体三极管的基极并联，所述第二电容的另一端与所述第二红外晶体三极管的发射极连接，所述第二红外晶体三极管为位于所述第二子阵列平面中的最后一行远离所述红外检测仪的输入端的红外晶体三极管。
[0015]可选地，所述红外检测电路还包括第三电容；所述红外检测仪包括第一阳极接入端、第二阳极接入端和阴极接入端；
[0016]所述第三电容的一端与所述第一阳极接入端连接，所述第三电容的另一端与所述阴极接入端连接；
[0017]多个所述红外晶体三极管之间的发射极并联输出端与所述第三电容的一端连接，多个所述红外晶体三极管之间的的基极并联输出端与所述第三电容的所述另一端连接，多个所述红外晶体三极管之间的集电极并联输出端与所述第二阳极接入端连接。
[0018]可选地，所述红外检测电路还包括电流表和第三红外晶体三极管；
[0019]所述电流表的阴极与所述第三电容的所述一端连接，所述电流表的阳极与所述第三红外晶体三极管的发射极、集电极连接；
[0020]所述第三红外晶体三极管的基极与所述第一阳极接入端连接。
[0021]可选地，所述电流表为毫伏表。
[0022]可选地，所述第三红外晶体三极管为NPN型红外晶体三极管。
[0023]可选地，多个所述红外晶体三极管分别为NPN型红外晶体三极管。
[0024]相较于现有技术而言，在本技术实施例提供的红外检测电路中，光电阵列在实现增加光电接收平面的同时，还综合了长距离信号采集传送、红外线接收元器件耦合、数量众多元器件协同响应、具有特定电学参数的特点，扩大了对单个光电接收电路的开发和应用。
[0025]第二方面，本技术实施例还提供了一种红外检测装置，包括如上述第一方面任一种可能设计的红外检测电路。
[0026]为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本技术。
附图说明
[0027]图1为本技术实施例提供的一种红外检测电路的结构示意图；
[0028]图2为本技术实施例提供的另一种红外检测电路的结构示意图。
具体实施方式
[0029]以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与本公开的一些方面相一致的实施方式的例子。
[0030]在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0031]除非有相反的说明，本专利技术实施例提及“第一”、“第二”等序数词用于对多个对象进行区分，不用于限定多个对象的顺序、时序、优先级或者重要程度。
[0032]附图中各个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明以下示例性实施例中所描述的实施方式。
[0033]实施例一
[0034]实施例一提供一种红外检测电路。结合图1
‑
2所示，该红外检测电路包括：
[0035]红外检测仪U1；
[0036]接入红外检测仪U1的光电阵列，光电阵列包括阵列排布的多个红外晶体三极管VT1，多个红外晶体三极管VT1之间发射极e与发射极e并联、基极b与基极b并联、集电极c与集电极c并联。
[0037]在本实施例一提供的红外检测电路中，通过红外检测仪U1可以调节光电阵列的平衡调节，通过多个红外晶体三极管VT1组成阵列式平面，协同配置出符合检测电路参数的光电接收平面，可以增大光电接收面积，以及可以增加对红外线信号的接收点，从而可以提高检测红外线信号的灵敏度，以及增加接收红外线信号能量，实现了光电平面对红外遥控器发出的940nm红外线信号的检测，满足了在微弱光线环境下红外线信号的检测需求。
[0038]现有常用的光电二极管静态检测中，数值响应较小，需要配备接收放大电路，增加了成本。相较于现有常用的光电二极管静态检测而言，由于红外光电晶体三极管属于有源动态接收器件，有较大的数值响应，在微纳尺寸元器件上实现光电放大，本实施例一提供的红外检测电路无需配备接收放大电路，可以降低成本。
[0039]现有常用的太阳能光电板，虽然可以采用大面积接收光能中，光电薄膜对微弱光线的能转换灵敏度不足。相较于现有常用的太阳能光电板而言，由于有源接收红外光电晶体三极管器件，对红外线光电信号响应敏感度高，基线稳定，能准确记录检测信号数值，本实施例一提供的红本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外检测电路，其特征在于，包括：红外检测仪；接入所述红外检测仪的光电阵列，所述光电阵列包括阵列排布的多个红外晶体三极管，多个所述红外晶体三极管之间发射极与发射极并联、基极与基极并联、集电极与集电极并联。2.如权利要求1所述的红外检测电路，其特征在于，所述光电阵列划分为阵列分布的多个阵列平面。3.如权利要求2所述的红外检测电路，其特征在于，任一所述阵列平面包括并排设置的第一子阵列平面和第二子阵列平面；所述第一子阵列平面和所述第二子阵列平面依次远离所述红外检测仪的输入端。4.如权利要求3所述的红外检测电路，其特征在于，所述第一子阵列平面和所述第二子阵列平面分别包括阵列分布的多行红外晶体三极管；任一所述阵列平面还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的一端与第一红外晶体三极管的基极并联，所述第一电容的另一端与所述第一红外晶体三极管的发射极连接，所述第一红外晶体三极管为位于所述第一子阵列平面的第一行红外晶体三极管中远离所述红外检测仪的输入端的红外晶体三极管；所述第二电容的一端与第二红外晶体三极管的基极并联，所述第二电容的另一端与所述第二红外晶体三极管的发射极连接，所述第二红外晶体三极管为位于所述第二子阵列平面中的最后一行远离所述红外检测仪的输入端的红外晶体三极管。5.如权利要求1所述的红...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎伟雄，黎丝蕾，李淑珍，汤舒珺，
申请(专利权)人：黎伟雄，
类型：新型
国别省市：