温度信号采集电路、发光基板及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了温度信号采集电路、发光基板及显示装置，包括：电流控制模块及温度传感模块；电流控制模块的输入端连接电源电压端，其输出端连接温度传感模块的输入端，温度传感模块的输出端连接温度信号采集电路的输出端；电流控制模块，在每个检测周期的第一时间段内输出第一电流给温度传感模块的输入端；在每个检测周期的第二时间段内输出第二电流给温度传感模块的输入端；第二电流与第一电流的比值为预设第一值；温度传感模块的输入端接收到第一电流时，通过自身的输出端输出响应于当前温度的第三电流；接收到第二电流时，通过自身的输出端输出响应于当前温度的第四电流。实现了对待测量发光元件的温度信号进行采集。实现了对待测量发光元件的温度信号进行采集。实现了对待测量发光元件的温度信号进行采集。

Temperature signal acquisition circuit, light-emitting substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
温度信号采集电路、发光基板及显示装置


[0001]本申请涉及电子
，特别是涉及温度信号采集电路、发光基板及显示装置。

技术介绍

[0002]在发光基板工作的过程中，若发光元件长时间工作在较高亮度下，电流密度过大会导致发光基板的局部区域温度升高、热量聚集，进而出现发光元件光效下降、亮度降低的问题，从而使得发光基板在整体显示上出现亮度不均匀的问题。
[0003]由上述描述可知，发光基板亮度不均匀与发光元件的温度有关系，因此如何采集发光元件的温度信号，成为亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种温度信号采集电路、发光基板及显示装置，实现对发光元件的温度信号进行采集。具体技术方案如下：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种温度信号采集电路，包括：
[0006]电流控制模块及温度传感模块，其中，所述温度传感模块设置在待测量发光元件的预设区域内；
[0007]所述电流控制模块的输入端连接电源电压端，所述电流控制模块的输出端连接所述温度传感模块的输入端，所述温度传感模块的输出端连接所述温度信号采集电路的输出端；
[0008]所述电流控制模块，用于在每个检测周期的第一时间段内输出第一电流给所述温度传感模块的输入端；在每个检测周期的第二时间段内输出第二电流给所述温度传感模块的输入端；其中，所述第二电流与所述第一电流的比值为预设第一值；
[0009]所述温度传感模块，用于在自身输入端接收到所述第一电流的情况下，通过自身的输出端输出响应于当前温度的第三电流；在自身输入端接收到所述第二电流的情况下，通过自身的输出端输出响应于当前温度的第四电流。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述电流控制模块包括：
[0011]第一电流生成子模块及第二电流生成子模块；
[0012]所述第一电流生成子模块及第二电流生成子模块的输入端均连接所述电流控制模块的输入端，所述第一电流生成子模块及第二电流生成子模块的输出端均连接所述电流控制模块的输出端；
[0013]在每个检测周期的第一时间段内，所述第一电流生成子模块输出第一电流给所述温度传感模块的输入端；
[0014]在每个检测周期的第二时间段内，所述第一电流生成子模块输出第一电流给所述温度传感模块的输入端，所述第二电流生成子模块输出第五电流给所述温度传感模块的输入端，其中，所述第二电流由所述第一电流及所述第五电流组成。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述第一电流生成子模块包括第一MOS管和第三MOS
管，所述第二电流生成子模块包括第二MOS管和第四MOS管；
[0016]所述第一MOS管的栅极分别与所述第二MOS管的栅极、第一MOS管的第二端连接，所述第一MOS管的第一端与所述电源电压端连接，所述第一MOS管的第二端与所述第三MOS管的第一端连接；
[0017]所述第二MOS管的第一端与所述电源电压端连接，所述第二MOS管的第二端与所述第四MOS管的第一端连接；
[0018]所述第三MOS管的栅极与第一栅极电压信号端连接，所述第三MOS管的第二端与所述温度传感模块的输入端连接；
[0019]所述第四MOS管的栅极与第二栅极电压信号端连接，所述第四MOS管的第二端与所述温度传感模块的输入端连接。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述第一MOS管为PMOS管，所述第一MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第一MOS管的第二端为PMOS管的漏极；
[0021]所述第二MOS管为PMOS管，所述第二MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第二MOS管的第二端为PMOS管的漏极；
[0022]所述第三MOS管为PMOS管，所述第三MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第三MOS管的第二端为PMOS管的漏极；
[0023]所述第四MOS管为PMOS管，所述第四MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第四MOS管的第二端为PMOS管的漏极。
[0024]在一种可能的实施方式中，所述第一MOS管与所述第二MOS管的氧化层电容相同，所述第二MOS管的宽长比与所述第一MOS管的宽长比的比值为预设第二值。
[0025]在一种可能的实施方式中，在每个检测周期的第一时间段内，所述第三MOS管的栅极被置于低电平，所述第三MOS管导通；所述第四MOS管的栅极被置于高电平，所述第四MOS管关断；
[0026]在每个检测周期的第二时间段内，所述第三MOS管与所述第四MOS管的栅极均被置于低电平，所述第三MOS管与所述第四MOS管均导通。
[0027]在一种可能的实施方式中，所述第一电流生成子模块包括第一TFT管和第三TFT管，所述第二电流生成子模块包括第二TFT管和第四TFT管；
[0028]所述第一TFT管的栅极分别与所述第二TFT管的栅极、第一TFT管的第二端连接，所述第一TFT管的第一端与所述电源电压端连接，所述第一TFT管的第二端与所述第三TFT管的第一端连接；
[0029]所述第二TFT管的第一端与所述电源电压端连接，所述第二TFT管的第二端与所述第四TFT管的第一端连接；
[0030]所述第三TFT管的栅极与第一栅极电压信号端连接，所述第三TFT管的第二端与所述温度传感模块的输入端连接；
[0031]所述第四TFT管的栅极与第二栅极电压信号端连接，所述第四TFT管的第二端与所述温度传感模块的输入端连接。
[0032]在一种可能的实施方式中，所述第一TFT管为P型TFT管，所述第一TFT管的第一端为P型TFT管的源极，所述第一TFT管的第二端为P型TFT管的漏极；
[0033]所述第二TFT管为P型TFT管，所述第二TFT管的第一端为P型TFT管的源极，所述第
二TFT管的第二端为P型TFT管的漏极；
[0034]所述第三TFT管为P型TFT管，所述第三TFT管的第一端为P型TFT管的源极，所述第三TFT管的第二端为P型TFT管的漏极；
[0035]所述第四TFT管为P型TFT管，所述第四TFT管的第一端为P型TFT管的源极，所述第四TFT管的第二端为P型TFT管的漏极。
[0036]在一种可能的实施方式中，所述第一TFT管与所述第二TFT管的氧化层电容相同，所述第二TFT管的宽长比与所述第一TFT管的宽长比的比值为预设第二值。
[0037]在一种可能的实施方式中，所述温度传感模块包括：
[0038]第一双极性晶体管；所述第一双极性晶体管的基极连接所述第一双极性晶体管的第二端，所述第一双极性晶体管的第一端连接所述温度传感模块的输入端，所述第一双极性晶体管的第二端连接所述温度传感模块的输出端。
[0039]在一种可能的实施方式中，所述第一双极性晶体管为PNP型晶体管，所述第一双极性晶体管的第一端为PNP型晶体管的发射极，所述第一双极性晶体管的第二端为PNP型晶体管的集电极。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度信号采集电路，其特征在于，所述电路包括：电流控制模块及温度传感模块，其中，所述温度传感模块设置在待测量发光元件的预设区域内；所述电流控制模块的输入端连接电源电压端，所述电流控制模块的输出端连接所述温度传感模块的输入端，所述温度传感模块的输出端连接所述温度信号采集电路的输出端；所述电流控制模块，用于在每个检测周期的第一时间段内输出第一电流给所述温度传感模块的输入端；在每个检测周期的第二时间段内输出第二电流给所述温度传感模块的输入端；其中，所述第二电流与所述第一电流的比值为预设第一值；所述温度传感模块，用于在自身输入端接收到所述第一电流的情况下，通过自身的输出端输出响应于当前温度的第三电流；在自身输入端接收到所述第二电流的情况下，通过自身的输出端输出响应于当前温度的第四电流。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流控制模块包括：第一电流生成子模块及第二电流生成子模块；所述第一电流生成子模块及第二电流生成子模块的输入端均连接所述电流控制模块的输入端，所述第一电流生成子模块及第二电流生成子模块的输出端均连接所述电流控制模块的输出端；在每个检测周期的第一时间段内，所述第一电流生成子模块输出第一电流给所述温度传感模块的输入端；在每个检测周期的第二时间段内，所述第一电流生成子模块输出第一电流给所述温度传感模块的输入端，所述第二电流生成子模块输出第五电流给所述温度传感模块的输入端，其中，所述第二电流由所述第一电流及所述第五电流组成。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一电流生成子模块包括第一MOS管和第三MOS管，所述第二电流生成子模块包括第二MOS管和第四MOS管；所述第一MOS管的栅极分别与所述第二MOS管的栅极、第一MOS管的第二端连接，所述第一MOS管的第一端与所述电源电压端连接，所述第一MOS管的第二端与所述第三MOS管的第一端连接；所述第二MOS管的第一端与所述电源电压端连接，所述第二MOS管的第二端与所述第四MOS管的第一端连接；所述第三MOS管的栅极与第一栅极电压信号端连接，所述第三MOS管的第二端与所述温度传感模块的输入端连接；所述第四MOS管的栅极与第二栅极电压信号端连接，所述第四MOS管的第二端与所述温度传感模块的输入端连接。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管，所述第一MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第一MOS管的第二端为PMOS管的漏极；所述第二MOS管为PMOS管，所述第二MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第二MOS管的第二端为PMOS管的漏极；所述第三MOS管为PMOS管，所述第三MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第三MOS管的第二端为PMOS管的漏极；所述第四MOS管为PMOS管，所述第四MOS管的第一端为PMOS管的源极，所述第四MOS管的
第二端为PMOS管的漏极。5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管与所述第二MOS管的氧化层电容相同，所述第二MOS管的宽长比与所述第一MOS管的宽长比的比值为预设第二值。6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一电流生成子模块包括第一TFT管和第三TFT管，所述第二电流生成子模块包括第二TFT管和第四TFT管；所述第一T...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛菁，王新星，张方振，周婷婷，王玮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：