一种含N有机化合物及其电致发光的应用制造技术

本发明专利技术提供了一种以N杂大环结构为中心骨架的含N有机化合物，具有式Ⅰ所示结构。所述含N有机化合物可作为发光主体材料(Host)应用于有机光电装置中，可以提升OLED器件效率、寿命，降低驱动电压。降低驱动电压。降低驱动电压。

An organic compound containing N and its application in electroluminescence

【技术实现步骤摘要】
一种含N有机化合物及其电致发光的应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料
，尤其涉及一种含N有机化合物及其电致发光的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光材料(OLED)作为新一代显示技术，具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低等优点，已广泛应用于平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示等行业。
[0003]按发光机理可分为电致荧光和电致磷光两种，荧光是单重态激子的辐射衰减跃迁，磷光则是三重态激子辐射衰减到基态所发射的光。根据自旋量子统计理论，单重态激子和三重态激子的形成概率比例是1:3。荧光材料内量子效率不超过25％的限制，外量子效率普遍低于5％；电致磷光材料的内量子效率理论上达到100％，外量子效率可达20％。1998年，我国吉林大学的马於光教授和美国普林斯顿大学的Forrest教授分别报道了采用锇配合物和铂配合物作为染料掺杂入发光层，第一次成功得到并解释了磷光电致发光现象，并开创性的将所制备磷光材料应用于电致发光器件。
[0004]由于磷光重金属材料有较长的寿命(μs)，在高电流密度下，可能导致三线态
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三线态湮灭和浓度淬灭，造成器件性能衰减，因此通常将重金属磷光材料掺杂到合适的主体材料中，形成一种主客体掺杂体系，使得能量传递最优化，发光效率和寿命最大化。在目前的研究现状中，重金属掺杂材料商业化已成熟，很难开发可替代的掺杂材料。因此，把重心放在研发磷光主体材料是研究者们共通的思路。
[0005]现在使用的磷光材料存在寿命不够长，效率不够高及驱动电压比较高的缺陷，是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种含N有机化合物及其电致发光的应用，可以有效提高OLED器件效率、寿命，降低驱动电压。
[0007]本专利技术提供了一种含N有机化合物，具有式Ⅰ所示结构：
[0008][0009]其中，Y选自O或S；
[0010]L选自单键、取代或未取代的芳基或杂芳基；
[0011]R1选自取代或未取代的芳基或杂芳基。
[0012]本专利技术提供了一种有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层，所述发光层中含有至少一种上述含N有机化合物。
[0013]本专利技术提供了一种显示面板，包括上述有机发光器件。
[0014]与现有技术相比，本专利技术提供了一种以N杂大环结构为中心骨架的含N有机化合物，具有式Ⅰ所示结构。所述含N有机化合物可作为发光主体材料(Host)应用于有机光电装置中，可以提升OLED器件效率、寿命，降低驱动电压。
附图说明
[0015]图1为本专利技术提供的有机发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0016]本专利技术提供了一种含N有机化合物，具有式Ⅰ所示结构：
[0017][0018]其中，Y选自O或S；
[0019]L选自单键、取代或未取代的芳基或杂芳基；
[0020]R1选自取代或未取代的芳基或杂芳基。
[0021]可选的，所述Y、R1的取代基独立的选自氘、氰基、卤素、C1～C10烷基、取代或未取代的芳基或杂芳基。
[0022]可选的，所述Y、R1的取代基独立的选自氘、氰基、卤素、C1～C5的烷基、取代或未取代的苯基、联苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
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三嗪基，1,3,5
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三嗪基、1,3,4
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三嗪基、萘基、喹啉基、喹喔啉基、异喹啉基、喹唑啉基中的一个或多个；
[0023]上述取代基可进一步被氘、氰基、卤素、C1～C5烷基或苯基中的一个或多个取代。
[0024]可选的，上述C1～C5烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基或异戊基。
[0025]可选的，所述L选自单键、取代或未取代的单环芳基、2～3个环稠合形成的稠合芳基、2～3个环通过单键连接形成的芳基、单环杂芳基、2～3个环稠合形成的稠合杂芳基。
[0026]上述稠合形成稠合杂芳基的环可以是单环芳基或单环杂芳基，且至少包括一个单环杂芳基。上述单环杂芳基为五元环或六元环，其杂原子可以为N、O、S、Si中的一个或多个。
[0027]可选的，所述稠合形成稠合杂芳基的单环芳基为苯基。
[0028]可选的，所述稠合形成稠合杂芳基的单环杂芳基包括但不限于吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、吡喃基等。
[0029]可选的，所述L选自单键、取代或未取代的苯基、联苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
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三嗪基，1,3,5
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三嗪基、1,3,4
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三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、萘基、喹啉
基、喹喔啉基、异喹啉基、喹唑啉基、菲基、菲啰啉基或咔唑基；
[0030]所述L的取代基选自氘、氰基、卤素、C1～C5的烷基、取代或未取代的苯基、联苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
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三嗪基，1,3,5
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三嗪基、1,3,4
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三嗪基、萘基、喹啉基、喹喔啉基、异喹啉基、喹唑啉基中的一个或多个；
[0031]上述取代基可进一步被氘、氰基、卤素、C1～C5烷基或苯基中的一个或多个取代。
[0032]可选的，所述L选自单键或以下任一结构：
[0033][0034]#表示连接位置。
[0035]上述结构式中，单键表示甲基。
[0036]可选的，所述R1选自取代或未取代的单环芳基、2～3个环稠合形成的稠合芳基、2～3个环通过单键连接形成的芳基、单环杂芳基、2～3个环稠合形成的稠合杂芳基。
[0037]上述稠合形成稠合杂芳基的环可以是单环芳基或单环杂芳基，且至少包括一个单环杂芳基。上述单环杂芳基为五元环或六元环，其杂原子可以为N、O、S、Si中的一个或多个。
[0038]可选的，所述稠合形成稠合杂芳基的单环芳基为苯基。
[0039]可选的，所述稠合形成稠合杂芳基的单环杂芳基包括但不限于吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、吡喃基等。
[0040]可选的，所述R1选自取代或未取代的苯基、联苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
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三嗪基，1,3,5
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三嗪基、1,3,4
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三嗪基、萘基、喹啉基、喹喔啉基、异喹啉基、喹唑啉基、蒽基、菲基、芘基、咔唑基、吖啶基、菲啰啉基、三芳胺基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基；
[0041]所述R1的取代基选自氘、氰基、卤素、C1～C5的烷基、取代或未取代的苯基、联苯
基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含N有机化合物，具有式Ⅰ所示结构：其中，Y选自O或S；L选自单键、取代或未取代的芳基或杂芳基；R1选自取代或未取代的芳基或杂芳基。2.根据权利要求1所述的含N有机化合物，其特征在于，所述Y、R1的取代基独立的选自氘、氰基、卤素、C1～C10烷基、取代或未取代的芳基或杂芳基。3.根据权利要求1所述的含N有机化合物，其特征在于，所述L选自单键、取代或未取代的单环芳基、2～3个环稠合形成的稠合芳基、2～3个环通过单键连接形成的芳基、单环杂芳基、2～3个环稠合形成的稠合杂芳基。4.根据权利要求3所述的含N有机化合物，其特征在于，所述L选自单键、取代或未取代的苯基、联苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
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三嗪基，1,3,5
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三嗪基、1,3,4
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三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、萘基、喹啉基、喹喔啉基、异喹啉基、喹唑啉基、菲基、菲啰啉基或咔唑基；所述L的取代基选自氘、氰基、卤素、C1～C5的烷基、取代或未取代的苯基、联苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
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三嗪基，1,3,5
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三嗪基、1,3,4
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三嗪基、萘基、喹啉基、喹喔啉基、异喹啉基、喹唑啉基中的一个或多个；上述取代基可进一步被氘、氰基、卤素、C1～C5烷基或苯基中的一个或多个取代。5.根据权利要求4所述的含N有机化合物，其特征在于，所述L选自单键或以下任一结构：
#表示连接位置。6.根据权利要求1所述的含N有机化合物，其特征在于，所述R1选自取代或未取代的单环芳基、2～3个环稠合形成的稠...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓东阳，高威，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：