一种塑封结构及其加工方法技术

本发明专利技术涉及半导体塑封技术领域，具体公开了一种塑封结构，其中，包括：基板和设置在所述基板上的硅芯片，所述硅芯片背离所述基板的表面设置引流槽，所述硅芯片通过键合线与所述基板实现键合，所述键合线的一端位于所述引流槽内，另一端位于所述基板上，所述引流槽能够将塑封料引流至所述硅芯片的四周以形成环绕所述硅芯片设置的塑封料层。本发明专利技术还公开了一种塑封结构的加工方法。本发明专利技术提供的塑封结构能够有效防止硅芯片因塑封料的冲击产生位移。够有效防止硅芯片因塑封料的冲击产生位移。够有效防止硅芯片因塑封料的冲击产生位移。

A plastic packaging structure and its processing method

【技术实现步骤摘要】
一种塑封结构及其加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体塑封
，尤其涉及一种塑封结构及塑封结构的加工方法。

技术介绍

[0002]塑封器件具有成本低、尺寸小、重量轻和可批量生产等优点。然而在塑封过程中，塑封料会对芯片以及基板边缘的焊线产生冲击和挤压，造成定位芯片和焊线产生一定程度的位移，导致焊线被冲断。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种塑封结构及塑封结构的加工方法，解决相关技术中存在的焊线被冲断的问题。
[0004]作为本专利技术的第一个方面，提供一种塑封结构，其中，包括：基板和设置在所述基板上的硅芯片，所述硅芯片背离所述基板的表面设置引流槽，所述硅芯片通过键合线与所述基板实现键合，所述键合线的一端位于所述引流槽内，另一端位于所述基板上，所述引流槽能够将塑封料引流至所述硅芯片的四周以形成环绕所述硅芯片设置的塑封料层。
[0005]进一步地，所述引流槽包括十字交叉设置的开槽结构。
[0006]进一步地，所述引流槽包括沿所述硅芯片的对角线且呈十字交叉设置的开槽结构。
[0007]进一步地，所述键合线包括设置在所述硅芯片的每个对角线位置的引线段，每条所述引线段的一端均位于所述引流槽内，另一端与所述基板连接。
[0008]进一步地，每条所述引线段的直径在5μm ~50μm之间，每条所述引线段的长度在1mm~10mm之间。
[0009]进一步地，所述键合线包括金线、铜线、合金线和高分子导电线中的任意一种。
[0010]进一步地，所述基板包括多层基板、埋置基板和柔性基板中的任意一种。
[0011]作为本专利技术的另一个方面，提供一种塑封结构的加工方法，用于加工前文所述的塑封结构，其中，所述加工方法包括：提供基板和硅芯片，其中所述基板包括多引脚，且所述基板的顶层阻焊层为芯片键合区，所述基板的底层阻焊层为BGA焊盘区；在所述硅芯片的上表面进行处理形成引流槽；对所述硅芯片的下表面进行减薄处理，以达到预设厚度；在所述硅芯片的下表面进行金属镀膜，形成背金；将所述硅芯片的背金与所述基板的表面进行焊接；对所述硅芯片进行划片，得到具有独立电气性能的单独封装结构；对单独封装结构上的硅芯片与所述基板进行键合；对键合后的所述单独封装结构进行塑封，并通过所述引流槽将塑封料引流至所述
硅芯片的四周以形成环绕所述硅芯片设置的塑封料层。
[0012]作为本专利技术的另一个方面，提供一种塑封结构的加工方法，用于加工前文所述的塑封结构，其中，所述加工方法包括：提供基板和硅芯片，其中所述基板包括多引脚，且所述基板的顶层阻焊层为芯片键合区，所述基板的底层阻焊层为BGA焊盘区；对所述硅芯片的下表面进行减薄处理，以达到预设厚度，并将所述硅芯片的下表面进行金属镀膜，以形成背金；将所述硅芯片的背金与所述基板的表面进行焊接；对所述硅芯片进行划片，得到具有独立电气性能的单独封装结构；针对单独封装结构上的硅芯片的上表面进行处理形成引流槽；对单独封装结构上的硅芯片与所述基板进行键合；对键合后的所述单独封装结构进行塑封，并通过所述引流槽将塑封料引流至所述硅芯片的四周以形成环绕所述硅芯片设置的塑封料层。
[0013]本专利技术提供的封装结构，通过设置引流槽，能够在塑封过程中塑封料注入时将塑封料引流至硅芯片的四周，有效防止硅芯片因塑封料的冲击产生位移。另外，根据塑封料的粘度变化特性和硅芯片被包裹的时间等因素可知，芯片键合的键合线在塑封料被导流时受力最小，从而有效防止焊线被塑封料冲断，提高塑封产品可靠性。
附图说明
[0014]附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1A为本专利技术提供的一种实施方式的塑封结构的结构俯视图。
[0015]图1B为本专利技术提供的塑封结构的结构剖视图。
[0016]图1C为本专利技术提供的另一种实施方式的塑封结构的结构俯视图。
[0017]图2A为图1A的一种实施方式的基板的俯视图。
[0018]图2B为图1A的一种实施方式的硅芯片形成引流槽的俯视图。
[0019]图2C为图1A的一种实施方式的硅芯片与基板焊接后的俯视图。
[0020]图2D为图1A的一种实施方式的硅芯片与基板键合后的俯视图。
[0021]图2E为图1A的一种实施方式的形成塑封料层的俯视图。
[0022]图3A为图1A的另一种实施方式的基板的俯视图。
[0023]图3B为图1A的另一种实施方式的基板上形成硅芯片的俯视图。
[0024]图3C为图1A的另一种实施方式的硅芯片上形成引流槽的俯视图。
[0025]图3D为图1A的另一种实施方式的硅芯片与基板键合后的俯视图。
[0026]图3E为图1A的另一种实施方式的形成塑封料层的俯视图。
具体实施方式
[0027]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0028]为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附
图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0030]在本实施例中提供了一种塑封结构，图1A是根据本专利技术实施例提供的塑封结构的俯视图，图1B是根据本专利技术实施例提供的塑封结构的剖视图，如图1A和图1B所示，包括：基板103和设置在所述基板103上的硅芯片101，所述硅芯片101背离所述基板103的表面设置引流槽102，所述硅芯片101通过键合线104与所述基板103实现键合，所述键合线104的一端位于所述引流槽102内，另一端位于所述基板103上，所述引流槽102能够将塑封料引流至所述硅芯片101的四周以形成环绕所述硅芯片101设置的塑封料层105。
[0031]具体地，为了解决塑封料进行塑封时而导致的焊线被塑封料冲断的问题，在所述硅芯片101的上表面形成引流槽102能够将塑封料引流至硅芯片101的四周，从而避免焊线被塑封料冲断。
[0032]具体地，所述基板103上设置有BGA焊盘和锡球，基板通过导电胶在槽口内连接有芯片，芯片上的焊点与基板/引线框架本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种塑封结构，其特征在于，包括：基板和设置在所述基板上的硅芯片，所述硅芯片背离所述基板的表面设置引流槽，所述硅芯片通过键合线与所述基板实现键合，所述键合线的一端位于所述引流槽内，另一端位于所述基板上，所述引流槽能够将塑封料引流至所述硅芯片的四周以形成环绕所述硅芯片设置的塑封料层。2.根据权利要求1所述的塑封结构，其特征在于，所述引流槽包括十字交叉设置的开槽结构。3.根据权利要求2所述的塑封结构，其特征在于，所述引流槽包括沿所述硅芯片的对角线且呈十字交叉设置的开槽结构。4.根据权利要求3所述的塑封结构，其特征在于，所述键合线包括设置在所述硅芯片的每个对角线位置的引线段，每条所述引线段的一端均位于所述引流槽内，另一端与所述基板连接。5.根据权利要求4所述的塑封结构，其特征在于，每条所述引线段的直径在5μm ~50μm之间，每条所述引线段的长度在1mm~10mm之间。6.根据权利要求1所述的塑封结构，其特征在于，所述键合线包括金线、铜线、合金线和高分子导电线中的任意一种。7.根据权利要求1所述的塑封结构，其特征在于，所述基板包括多层基板、埋置基板和柔性基板中的任意一种。8.一种塑封结构的加工方法，用于加工权利要求1至7中任意一项所述的塑封结构，其特征在于，所述加工方法包括：提供基板和硅芯片，其中所述基板包括多引脚，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：李轶楠，李小波，李明，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：