【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】能够处理其中包含的气体的液体化学品供应装置系统及其方法
[0001]本专利技术涉及一种能够处理气体的液体化学品供应装置,且更具体地,涉及一种液体化学品供应装置,其能够将储存在多个罐中的用于制造半导体的液体化学品连续地供应到半导体制造设备中,而不会在其中夹带气体,夹带的气体是缺陷的原因。
技术介绍
[0002]半导体、LED、太阳能电池等的制造工艺主要由CVD工具中的称为CVD(化学气相沉积)的一系列过程组成,其中使用特殊气体将涂层材料化学沉积在衬底的表面上。
[0003]在这种情况下,CVD工艺分类为用于在低压下通过与特殊气体的化学反应进行沉积的低压CVD(LPCVD)、用于在大气压下进行沉积的常压CVD(APCVD)、用于在高压下进行沉积的高压CVD(HPCVD)、用于通过在高电压下产生等离子体进行沉积的等离子体增强CVD(PECVD)、用于沉积金属有机材料(如镓、磷、铝等)的MOCVD(金属有机化学气相沉积),等等。
[0004]这些CVD工艺普遍使用液体化学品(特殊化学品),如高纯度TEOS、TiCL4、TMA、LTO520、TEMAZr、TEMAHf、HBO、4MS、3MS、TEB、TEPO等,其在液体形式中具有危险性质,如可燃性、腐蚀性、毒性等。
[0005]如上所述的危险液体化学品主要容纳在可替换的罐(称为散装罐)中,然后以固定量供应到半导体制造设备中,如具有固定地安装在用作缓冲罐的化学品供应装置中的固定罐(称为处理罐)的沉积室,并且在这种情况下,这种化学品供应方法称为双罐液体再填 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种能够处理气体的液体化学品供应装置,包括:第一罐和第二罐,其分别通过第一供应管线和第二供应管线连接半导体制造设备,以将其中存储的液体化学品提供给所述半导体制造设备;第一推动管线和第二推动管线,其分别连接所述第一罐和第二罐并且配置成通过分别向所述第一罐和第二罐提供推动气体来将所述化学品排出到所述第一供应管线和第二供应管线中;和气体处理单元,其在所述第一供应管线和所述第二推动管线之间流体连通,以便将其中包含气体的所述第一供应管线中的所述化学品通过所述第二推动管线提供给所述第二罐并储存在所述第二罐中。2.根据权利要求1所述的能够处理气体的液体化学品供应装置,其中所述气体处理单元包括:临时储存罐,其配置成通过其一侧接收并在其中容纳具有气体包含在其中的从所述第一供应管线排出的所述化学品;第一入口管,其配置成根据设置在所述第一入口管中的一个或多个控制阀的操作在所述临时储存罐的一侧和所述第一供应管线之间选择性地连通;和第一出口管,其配置成根据设置在所述第一出口管中的一个或多个控制阀的操作在所述临时储存罐的另一侧和所述第二推动管线之间选择性地连通。3.根据权利要求2所述的能够处理气体的液体化学品供应装置,其中所述临时储存罐配置成通过其一侧接收并在其中容纳具有气体包含在其中的从所述第二供应管线排出的所述化学品,以便通过所述第一推动管线将所述第二供应管线中的其中包含气体的所述化学品提供给所述第一罐并储存所述第一罐中,和其中所述气体处理单元还包括:第二入口管,其配置成根据设置在所述第二入口管中的一个或多个控制阀的操作在所述临时储存罐的一侧和所述第二供应管线之间选择性地连通;和第二出口管,其配置成根据设置在所述第二出口管中的一个或多个控制阀的操作在所述临时储存罐的另一侧和所述第一推动管线之间选择性地连通。4.根据权利要求3所述的能够处理气体的液体化学品供应装置,其中所述液体化学品供应装置根据所述第一入口管中的所述一个或多个控制阀和所述第一出口管中的所述一个或多个控制阀的操作,通过所述第二推动管线将所述第一供应管线中的其中包含气体的所述化学品提供给所述第二罐以储存在其中,从而从最终供应给所述半导体制造设备的所述化学品中去除所述气体。5.根据权利要求3所述的能够处理气体的液体化学品供应装置,其中所述液体化学品供应装置通过所述第二入口管中的所述一个或多个控制阀和所述第二出口管中的所述一个或多个控制阀的控制操作,将所述第二供应管线中的其中包含气体的所述化学品通过所述第一推动管线提供给所述第一罐以储存在其中,从而从供应给所述半导体制造设备的所述化学品中去除所述气体。6.根据权利要求3所述的能够处理气体的液体化学品供应装置,其中所述液体化学品供应装置通过所述第一入口管中的所述一个或多个控制阀和所述第二出口管中的所述一个或多个控制阀的控制操作,将所述第一供应管线中的其中包含气体的所述化学品通过所
述第一推动管线提供给所述第一罐以储存在其中,从而从供应给所述半导体制造设备的所述化学品中去除所述气体。7.根据权利要求3所述的能够处理气体的液体化学品供应装置,其中所述液体化学品供应装置通过所述第二入口管中的所述一个或多个控制阀和所述第一出口管中的所述一个或多个控制阀的控制操作,将所述第二供应管线中的其中包含气体的所述化学品通过所述第二推动管线提供给所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:任相宰,金容泰,俞方渊,金峻浩,李钟奎,郑钟浩,金志勋,
申请(专利权)人:弗萨姆高产技术材料公司,
类型:发明
国别省市:
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