【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】更改交变电场的电阻抗的合成物和方法
[0001]相关申请的交叉引用本申请要求2019年12月11日提交的美国临时申请号62/946,793的权益,并且由此通过引用以其整体并入本文中。
技术介绍
[0002]肿瘤治疗场或TTFields通常为中频范围(100
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300 kHz)内的低强度(例如,1
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3 V/cm)交变电场。TTF可以通过非侵入式换能器阵列跨肿瘤的解剖区域递送交变电场。TTF已经被确立为抗有丝分裂癌症治疗模态,因为它们在中期期间干扰正常的微管装配,并最终在末期、胞质分裂或随后间期期间破坏细胞。由于其低强度,TTFields已经被示出不影响未分裂的正常细胞、神经和肌肉的生存力。TTFields疗法是一种经批准的复发性胶质母细胞瘤的单一治疗,并且也是一种经批准的用于新诊断的胶质母细胞瘤和不可切除的恶性胸膜间皮瘤患者的化疗联合疗法。这些电场由直接放置在患者头皮上的换能器阵列(即电极阵列)非侵入性地感应。TTFields似乎也有利于治疗身体其它部位的肿瘤。
技术实现思路
[0003]公开了更改受试者的目标位点中交变电场的电阻抗的方法,包括将纳米颗粒引入受试者中的目标位点;以及将交变电场施加到受试者的目标位点,其中受试者的目标位点中交变电流的电阻抗被更改。
[0004]公开了增加受试者的目标位点中的交变电场功效的方法,该方法包括将纳米颗粒引入受试者中的目标位点;将交变电场施加到受试者的目标位点,其中受试者的目标位点中交变电场的功效增加。
[0005]公开了增加受试 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种更改受试者的目标位点中交变电场的电阻抗的方法,包括a.将纳米颗粒引入受试者中的目标位点;以及b.将交变电场施加到受试者的目标位点,其中受试者的目标位点中交变电流的电阻抗被更改。2.根据权利要求1所述的方法,其中受试者的目标位点中的电流密度和/或功率损耗密度被更改。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述纳米颗粒是导电纳米颗粒。4.根据权利要求3所述的方法,其中目标位点中的阻抗降低。5.根据权利要求1所述的方法,其中目标位点中的电导率增加。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述纳米颗粒是非导电纳米颗粒。7.根据权利要求6所述的方法,其中目标位点中的阻抗增加。8.根据权利要求6
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7中任一项所述的方法,其中目标位点中的电导率降低。9.根据权利要求1
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7中任一项所述的方法,其中所述交变电场是肿瘤治疗场。10.根据权利要求1所述的方法,其中所述纳米颗粒是增加组织介电常数的纳米颗粒。11.根据权利要求1
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10中任一项所述的方法,其中所述目标位点是肿瘤目标位点。12.根据权利要求11所述的方法,其中受试者的肿瘤目标位点中交变电流更改的电阻抗导致肿瘤目标位点中交变电场增加的有丝分裂效应。13.一种增加受试者的目标位点中交变电场的功效的方法,所述方法包括:a.将纳米颗粒引入受试者中的目标位点;b.将交变电场施加到受试者的目标位点,其中受试者的目标位点中交变电场的功效增加。14.根据权利要求13所述的方法,其中交变电场的电流密度的量值在目标位点中增加。15.根据权利要求13所述的方法,其中所述纳米颗粒是导电纳米颗粒。16.根据权利要求15所述的方法,其中目标位点中的阻抗降低。17.根据权利要求15所述的方法,其中目标位点中的电导率增加。18.根据权利要求13中任一项所述的方法,进一步包括将非导电纳米颗粒引入受试者中与目标位点相邻的位点。19.根据权利要求18所述的方法,其中目标位点中的阻抗增加。20.根据权利要求18
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19中任一项所述的方法,其中目标位点中的电导率降低。21.根据权利要求13
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19中任一项所述的方法,其中所述交变电场是肿瘤治疗场。22.根据权利要求13
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21中任一项所述的方法,其中所述目标位点是肿瘤目标位点。23.根据权利要求22所述的方法,其中目标位点中交变电场增加的功效导致目标位点中交变电场增加的抗有丝分裂效应。24.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中将纳米颗粒引入肿瘤、癌细胞或肿瘤细胞中。25.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中在原发性肿瘤切除后经由注射将纳米颗粒引入受试者中。26.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中经由肿瘤内注射(例如,在手术或活检期间,在计算机断层摄影引导下)将纳米颗粒引入患有肿瘤的受试者中。
27.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中经由肿瘤内注射(例如,在手术或活检期间,在计算机断层摄影引导下)或经由吸入,将纳米颗粒引入肿瘤内、颅内、脑室内、鞘内、硬膜外、硬膜内、血管内、静脉内(靶向或非靶向)、动脉内、肌内、皮下、腹膜内、口服、鼻内。28.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中以靶向或非靶向方式将纳米颗粒引入受试者。29. 根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒在大约0.001至0.01、0.01至0.1、0.1至0.5、0.5至5、5至10、10至20、20至50、50至100、100至200、200至300、300至400、400至500、500至600、600至700、700至800、800至900或900至1000 ng/mm3肿瘤下被引入。30.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒在大约0.001至0.01、0.01至0.1、0.1至0.5、0.5至5、5至10、10至20、20至50、50至100、100至200、200至300、300至400、400至500、500至600、600至700、700至800、800至900或900至1000μg下被引入。31.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒被引入一次、两次、三次或更多次。32.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中纳米颗粒包括导电或半导电材料。33.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒包括碳金、亚铁、硒、银、铜、铂、氧化铁、石墨烯、右旋糖酐铁、超顺磁性氧化铁、掺硼爆轰纳米金刚石或其组合,或者由它们组成。34.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒包括选自Au/Ag、Au/Cu、Au/Ag/Cu、Au/Pt、Au/Fe、Au/Cu或Au/Fe/Cu的合金。35. 根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒的大小在0.5 nm和100 nm之间。36. 根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒的大小在0.5 nm和2.5 nm之间。37. 根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒的大小大于100 nm。38. 根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒的大小在100 nm和200 nm之间。39.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒具有三维形状。40.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒是纳米立方体、纳米管、纳米双锥、纳米板、纳米簇、纳米链、纳米星、纳米片、纳米空心、树枝状聚合物、纳米棒、纳米壳、纳米笼、纳米球、纳米纤维或纳米线或其组合。41.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒是中孔的或无孔的。42.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述纳米颗粒涂覆有多糖、聚氨基酸或合成聚合物。43.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中在将纳米颗粒引入受试者之前,将纳米颗粒并入支架中。44.根据权利要求43所述的方法,其中所述纳米颗粒被装载到支架上或支架内。45.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:H,
申请(专利权)人:诺沃库勒有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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