电阻器的制造方法技术

技术编号:34202956 阅读:17 留言:0更新日期:2022-07-20 11:08
一种电阻器的制造方法。在此方法中,形成第一剥裂线与第二剥裂线于基板的第一表面中,以定义出元件区。形成第一电极与第二电极于基板的第一表面上且分别位于元件区中。形成第三电极、第四电极、与电阻层于基板的第二表面上且分别位于元件区中。利用切割工具从第二表面切割基板,以形成数个条状结构,而裸露出元件区的相对的第一侧面与第二侧面。形成第一端电极与第二端电极分别对应覆盖元件区的第一侧面与第二侧面。利用切割工具从第二表面切割条状结构,以分离元件区。切割基板与条状结构时,切割工具分别对齐第一剥裂线与第二剥裂线。剥裂线的存在可使基板的断裂面朝剥裂线完整断开,故可有效管控电阻器的尺寸规格,提高电阻器的质量与合格率。器的质量与合格率。器的质量与合格率。

Manufacturing method of resistor

【技术实现步骤摘要】
电阻器的制造方法


[0001]本揭露是有关于一种被动元件的制作技术,且特别是有关于一种电阻器的制造方法。

技术介绍

[0002]制作芯片电阻元件时,一般会使用铝化合物来做为基板。现有技术在制作基板时,通常会先根据产品的芯片尺寸,而以冲压(punch)方式于基板材料上形成预留剥裂线,再将基板材料予以高温烧结成型。
[0003]电阻元件的制造商接着可在此基板上制作各电阻元件的上电极、下电极、与电阻层。再沿预留剥裂线将基板剥裂成条状结构,其中此条状结构包含多个排成一列的芯片电阻元件半成品。接下来,制作这些芯片电阻元件的端电极,以导通上电极与下电极。随后,同样沿着预留剥裂线将条状结构剥裂成一粒粒的芯片电阻元件半成品。再于这些芯片电阻元件半成品上镀上接合层,即完成芯片电阻元件的制作。
[0004]在基板制作时,通过冲压先预留剥裂线的方式,生产效率高且成本低,而广为芯片电阻元件的制造商采用。然而,这样的生产方式在基板高温烧结后,每片基板的收缩率不同,而造成芯片电阻元件的尺寸有微小差异。随着芯片电阻元件的尺寸的持续减缩,不同的基板收缩率所造成的累积公差将使得芯片电阻元件的产品尺寸无法管控,甚至使得一些芯片电阻元件的尺寸超出规格。

技术实现思路

[0005]因此,本揭露的一目的就是在提供一种电阻器的制造方法,其在基板的第一表面先划出预留的剥裂线,再从基板的相对的第二表面朝剥裂线的方向切割基板。剥裂线的存在可在切割时形成顺向应力,因此使得基板的断裂面朝预留的剥裂线完整断开而无脱落缺陷(chip off)。借此,不仅可有效管控电阻器的尺寸规格,更可提高电阻器的质量与合格率。
[0006]根据本揭露的上述目的,提出一种电阻器的制造方法。在此方法中,形成数个第一剥裂线与数个第二剥裂线于基板的第一表面中,以在基板上定义出数个元件区。形成数个第一电极与数个第二电极于基板的第一表面上,其中这些第一电极以及第二电极分别设于元件区中。形成数个第三电极与数个第四电极于基板的第二表面上,其中这些第三电极以及第四电极分别设于元件区中。第二表面与第一表面相对。形成数个电阻层于基板的第二表面上,其中这些电阻层分别对应设于元件区中,每个电阻层与对应的元件区中的第三电极及第四电极连接。利用切割工具从第二表面切割基板,以形成数个条状结构,而裸露出每个元件区的相对的第一侧面与第二侧面。切割基板包含使切割工具分别对齐第一剥裂线。形成数个第一端电极与数个第二端电极分别对应覆盖元件区的第一侧面与第二侧面。每个第一端电极连接对应的元件区的第一电极与第三电极。每个第二端电极连接对应的元件区的第二电极与第四电极。利用切割工具从第二表面切割这些条状结构,以分离元件区。切割
这些条状结构包含使切割工具分别对齐第二剥裂线。
[0007]依据本揭露的一实施例,上述的第一剥裂线与第二剥裂线互相垂直。
[0008]依据本揭露的一实施例,上述形成第一剥裂线与第二剥裂线包含利用激光。
[0009]依据本揭露的一实施例,上述形成第一剥裂线与第二剥裂线包含利用刀具于基板的第一表面上形成数个沟槽。
[0010]依据本揭露的一实施例,上述的沟槽为V型沟槽或弧形沟槽。
[0011]依据本揭露的一实施例,上述的切割工具包含钻石圆刀。
[0012]依据本揭露的一实施例,上述的基板为陶瓷基板。
[0013]根据本揭露的上述目的,另提出一种电阻器的制造方法。在此方法中,形成数个第一剥裂线与数个第二剥裂线于基板的第一表面中、以及数个第三剥裂线与数个第四剥裂线于基板的第二表面中,以在基板上定义出数个元件区。这些第三剥裂线分别对齐第一剥裂线,第四剥裂线分别对齐第二剥裂线。形成数个第一电极与数个第二电极于基板的第一表面上,其中这些第一电极以及第二电极分别设于元件区中。形成数个第三电极与数个第四电极于基板的第二表面上,其中这些第三电极以及第四电极分别设于元件区中。形成数个电阻层于基板的第二表面上,其中这些电阻层分别对应设于元件区中,每个电阻层与对应的元件区中的第三电极及第四电极连接。利用切割工具沿着第一剥裂线或第三剥裂线切割基板,以形成数个条状结构,而裸露出每个元件区的相对的第一侧面与第二侧面。形成数个第一端电极与数个第二端电极分别对应覆盖元件区的第一侧面与第二侧面。每个第一端电极连接对应的元件区的第一电极与第三电极,每个第二端电极连接对应的元件区的第二电极与第四电极。利用切割工具沿着第二剥裂线或第四剥裂线切割条状结构,以分离元件区。
[0014]依据本揭露的一实施例,上述的第一剥裂线与第二剥裂线互相垂直。
[0015]依据本揭露的一实施例,上述形成第一剥裂线、第二剥裂线、第三剥裂线、与第四剥裂线包含利用激光。
[0016]依据本揭露的一实施例,上述的每个第一剥裂线、第二剥裂线、第三剥裂线、与第四剥裂线为沟槽。
[0017]依据本揭露的一实施例,上述的切割工具包含钻石圆刀。
[0018]依据本揭露的一实施例,上述的基板为陶瓷基板。
附图说明
[0019]为让本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:
[0020]图1A至图4A与图5绘示依照本揭露的第一实施方式的一种电阻器的制造方法的各个中间阶段的立体示意图;
[0021]图1B至图4B绘示依照本揭露的第一实施方式的一种电阻器的制造方法的各个中间阶段的局部侧视示意图;
[0022]图6A绘示依照本揭露的第二实施方式的一种用以制造电阻器的基板的立体示意图;以及
[0023]图6B绘示依照本揭露的第二实施方式的一种用以制造电阻器的基板的局部侧视示意图。
具体实施方式
[0024]以下仔细讨论本揭露的实施例。然而,可以理解的是,实施例提供许多可应用的概念,其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论与揭示的实施例仅供说明,并非用以限定本揭露的范围。本揭露的所有实施例揭露多种不同特征,但这些特征可依需求而单独实施或结合实施。
[0025]另外,关于本文中所使用的“第一”、“第二”、

等,并非特别指次序或顺位的意思,其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。
[0026]本揭露所叙述的二元件之间的空间关系不仅适用于附图所绘示的方位,也适用于附图所未呈现的方位,例如倒置的方位。此外,本揭露所称二个部件的“连接”、“电性连接”、或之类用语并非仅限制于此二者为直接的连接或电性连接,也可视需求而包含间接的连接或电性连接。
[0027]由于制作基板时先预留剥裂线的方式会造成电阻元件的尺寸间有差异,也造成电阻元件不符规格,因此为了解决基板尺寸差异的问题,而采用直接以激光在基板上定位并划出预留剥裂线再剥裂分离电阻元件、或是以刀具直接切割分离电阻元件。然而,专利技术人发现这两种方式虽可形成具有预设尺寸的基板,而可解决后续工艺上的对位问题。但,利用这两种加工方式分离基板时,基板在剥裂过程中其断裂线容易偏移不定方向,而导致基板的断裂面有碎裂或不完整缺陷。这样的缺本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻器的制造方法,其特征在于该方法包含:形成复数个第一剥裂线与复数个第二剥裂线于基板的第一表面中,以在该基板上定义出复数个元件区;形成复数个第一电极与复数个第二电极于该基板的该第一表面上,其中该些第一电极以及该些第二电极分别设于该些元件区中;形成复数个第三电极与复数个第四电极于该基板的第二表面上,其中该些第三电极以及该些第四电极分别设于该些元件区中,该第二表面与该第一表面相对;形成复数个电阻层于该基板的该第二表面上,其中该些电阻层分别对应设于该些元件区中,每一该些电阻层与对应的该元件区中的该第三电极及该第四电极连接;利用切割工具从该第二表面切割该基板,以形成复数个条状结构,而裸露出每一该些元件区的相对的第一侧面与第二侧面,其中切割该基板包含使该切割工具分别对齐该些第一剥裂线;形成复数个第一端电极与复数个第二端电极分别对应覆盖该些元件区的该些第一侧面与该些第二侧面,其中每一该些第一端电极连接对应的该元件区的该第一电极与该第三电极,每一该些第二端电极连接对应的该元件区的该第二电极与该第四电极;以及利用该切割工具从该第二表面切割该些条状结构,以分离该些元件区,其中切割该些条状结构包含使该切割工具分别对齐该些第二剥裂线。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于该些第一剥裂线与该些第二剥裂线互相垂直。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于形成该些第一剥裂线与该些第二剥裂线包含利用激光。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于形成该些第一剥裂线与该些第二剥裂线包含利用刀具于该基板的该第一表面上形成复数个沟槽。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于该些沟槽为复数个V型沟槽或复数个弧形沟槽。6.如权利要求1所述的方法,其特征在于该切割工具包含钻石圆刀。7.如权利要求1所述的方法,其特征在于该基板为陶瓷基板。8.一种电阻器...

【专利技术属性】
技术研发人员:萧胜利林庆彰沈怡良
申请(专利权)人:国巨股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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