一种电子传输材料及其制备方法、发光器件、发光装置制造方法及图纸

本申请适用于材料技术领域，提供了一种电子传输材料及其制备方法、发光器件、发光装置。本申请以菲为母核，在9，10位仅存在一个特定取代基，且在2，3位与吸电子基团之间存在连接基团，将所得到的如通式I所示化合物作为电子传输材料，制备成的发光器件与现有技术相比，具有低驱动电压，高发光效率、BI和长寿命的性能优点；尤其在BI值上普遍提高5

【技术实现步骤摘要】
一种电子传输材料及其制备方法、发光器件、发光装置


[0001]本申请属于材料
，尤其涉及一种电子传输材料及其制备方法、发光器件、发光装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode )作为一种新型和有前途的显示技术逐渐进入人们的视野。OLED是一种由多层有机薄膜结构形成的电致发光器件。有机电致发光元件是利用了如下原理的自发光元件：通过施加电场，利用由阳极注入的空穴与由阴极注入的电子的复合能使荧光性物质发光。
[0003]它具有如下结构：阳极、阴极以及介于两者之间的有机材料层。为了提高有机电致发光元件的效率和稳定性，有机材料层通常包括具有不同材料的多层，例如空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）。这种有机发光元件中，当在阳极和阴极之间施加电压时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入有机材料层，产生的激子在迁移至基态时产生具有特定波长的光。
[0004]电子传输层是OLED结构中的一个关键组成部分，负责调节电子的注入速度和注入量，目前作为电子传输层所用到的电子传输型材料的结构中通常包含具有电子传输性能的吡啶、嘧啶、噁二唑、三氮唑、咪唑等含氮杂环等吸电子基团，但是一般有机材料的电子迁移率低，而空穴迁移率较高，使发光器件内部的电子
‑
空穴不平衡，从而导致器件效率降低，稳定性差，寿命短等问题。
[0005]因此，研发一种具有高迁移率电子传输材料使其制备而成的有机电致发光器件具有低驱动电压，高效率，长寿命的性能优点是本领域人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]本申请的目的在于提供一种电子传输材料，旨在解决现有的发光器件效率降低，稳定性差，寿命短等问题。
[0007]本申请是这样实现的，一种电子传输材料，所述电子传输材料的结构通式如通式I所示：；其中，所述L独立的选自取代或未经取代的C6
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C18的芳基，取代或未经取代的C6
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C24的杂芳基，杂原子为N、O、S；
所述Z1，Z2，Z3中至少有一个为N，其余为C；所述Ar1，Ar2各自独立的选自取代或未经取代的C6
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C18的芳基，取代或未经取代的C6
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C24的杂芳基，杂原子为N、O、S；所述n为1
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5的整数；所述的取代位置为菲上的9位或10位中的一个；所述满足如下条件1或条件2：条件1：X1‑
X5全部为碳原子，R至少存在一个强吸电子基团，R除强吸电子基团外，可以选自如下基团：氢，甲基，乙基，丙基，异丙基，苯基，甲基苯基，萘基，联苯基，三联苯基；所述强吸电子基团为如下基团：；条件2：X1‑
X5中N原子个数为1
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3，其余为C原子，R各自独立的选自氢，甲基，乙基，丙基，异丙基，甲氧基，氰基，氟基，苯基，氰基苯基，甲基苯基，萘基，联苯基，三联苯基以及如下所示取代基：其中，所述R'各自独立的选甲基，乙基，甲氧基，氰基，苯基，吡啶基，嘧啶基，哒嗪基，吡嗪基。
[0008]本申请的另一目的在于一种电子传输材料的制备方法，包括：
N2保护下，将反应物A
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I、反应物B
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I、四（三苯基膦）钯和碳酸钾分别加入到甲苯、乙醇、水的混合溶剂中，升温至85
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100℃，反应8
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12h，得到中间体C
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I；N2保护下，将所述中间体C
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I、反应物D
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I、醋酸钯和2
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环己基
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2,4,6
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三异丙基联苯、碳酸铯分别加入到甲苯、乙醇、水的混合溶剂中，升温至80
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100℃，反应8
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12h，得到通式I所示的电子传输材料。
[0009]本申请的另一目的在于一种发光器件，所述发光器件包括所述的电子传输材料或者所述的电子传输材料的制备方法制备的电子传输材料。
[0010]本申请的另一目的在于一种发光装置，所述发光装置包括所述的发光器件。
[0011]本申请提供的电子传输材料，以菲为母核，在9,10位仅存在一个特定取代基，且在2，3位与吸电子基团（三嗪，吡啶，嘧啶）之间存在连接基团，通过该电子传输材料制备成的发光器件与现有技术相比，具有低驱动电压，高发光效率、BI和长寿命的性能优点。尤其在BI值上普遍提高5
‑
8%，在本领域已经实现了显著提高发光效率的技术效果。
[0012]具体地，三嗪，吡啶，嘧啶是吸电子能力强的官能团，通过基团与菲的2,3位连接，能够有效提高电子传输材料的电子迁移率。改善有机电致发光器件内部电子
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空穴不平衡的问题，提高发光效率。并且，用含有吡啶，苯，嘧啶的一系列特定取代基团在菲的9或10位取代，进一步提高电子传输材料的电子迁移率的同时，平面分子结构能使核心结构的π
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共轭体系不被延续，保证高三线态能级（E
T
），宽带隙。进一步提高发光效率，并改善器件各层能级匹配程度，降低驱动电压，延长器件寿命。
附图说明
[0013]图1是本申请实施例提供的化合物1的核磁共振氢谱图；图2是本申请实施例提供的化合物453的核磁共振氢谱图。
具体实施方式
[0014]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对
本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0015]本申请提供了一种电子传输材料，其结构如下所示：其中，L各自独立的选自取代或未经取代的C6
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C18的芳基，取代或未经取代的C6
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C24的杂芳基，杂原子可以为N、O、S；优选，L各自独立的选自苯基，萘基，菲基，甲基苯基，苯基萘基，氰基苯基，苯基吡啶基，联苯基，三联苯基，三嗪基，二苯并呋喃基，二苯并噻吩基，芴基，吡啶基，嘧啶基，喹啉基，喹喔啉基；Z1，Z2，Z3中至少有一个N，其余为C；Ar1，Ar2各自独立的选自取代或未经取代的C6
‑
C18的芳基，取代或未经取代的C6
‑
C24的杂芳基，杂原子可以为N、O、S；n为1
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5的整数；所述的取代位置为菲上的9位或10位中的一个；所述满足如下条件之一：1、X1‑
X5全部为碳原子，R至少存在一个强吸电子基团，R除强吸电子基团外，可以选自如下基团：氢，甲基，乙基，丙基，异丙基，苯基，甲基苯基，萘基，联苯基，三联苯基；所述强吸电子基团为如下基团：
其中，R'各自独立的选甲基，乙基，甲氧基，氰基，苯基，吡啶基，嘧啶基，哒嗪基，吡嗪基；2、X1‑
X5中N原子个数为1
‑
3，其余为C原子，R各自独立的选自氢，甲基，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料的结构通式如通式I所示：；其中，所述L独立的选自取代或未经取代的C6
‑
C18的芳基，取代或未经取代的C6
‑
C24的杂芳基，杂原子为N、O、S；所述Z1，Z2，Z3中至少有一个为N，其余为C；所述Ar1，Ar2各自独立的选自取代或未经取代的C6
‑
C18的芳基，取代或未经取代的C6
‑
C24的杂芳基，杂原子为N、O、S；所述n为1
‑
5的整数；所述的取代位置为菲上的9位或10位中的一个；所述满足如下条件1或条件2：条件1：X1‑
X5全部为碳原子，R至少存在一个强吸电子基团，R除强吸电子基团外，可以选自如下基团：氢、甲基、乙基、丙基、异丙基、苯基、甲基苯基、萘基、联苯基、三联苯基中的一种；所述强吸电子基团为如下基团：；条件2：X1‑
X5中N原子个数为1
‑
3，其余为C原子，R各自独立的选自氢、甲基、乙基、丙基、异丙基、甲氧基、氰基、氟基、苯基、氰基苯基、甲基苯基、萘基、联苯基、三联苯基以及如下所示的取代基之一：
其中，所述R'各自独立的选自甲基、乙基、甲氧基、氰基、苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基中的一种。2.根据权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料的结构通式为式I
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a~ I
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h：。3.根据权利要求1或2所述的电子传输材料，其特征在于，所述L独立的选自苯基，萘基，菲基，甲基苯基，苯基萘基，氰基苯基，苯基吡啶基，联苯基，三联苯基，三嗪基，二苯并呋喃基，二苯并噻吩基，芴基，吡啶基，嘧啶基，喹啉基，喹喔啉基。4.根据权利要求1或2所述的电子传输材料，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪康，马晓宇，王永光，任卫华，张雪，李贺，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：