一种48V直流高压锅制造技术

本实用新型专利技术涉及高压锅技术领域，尤其为一种48V直流专用高压锅，包括底座，所述底座的侧壁设置有48V电源插座，所述48V电源插座通过专用电缆与48V外部储能电源连接，所述48V电源插座内侧设置控制电路板，本实用新型专利技术电压力锅通过48V直流电压工作，电源一路供电热盘发热，另一路通过DC

A 48V DC pressure cooker

【技术实现步骤摘要】
一种48V直流高压锅


[0001]本技术涉及高压锅
，具体为一种48V直流高压锅。

技术介绍

[0002]压力锅通过液体在较高气压下沸点会提升这一物理现象，对水施加压力，使水可以达到较高温度而不沸腾，以加快炖煮食物的效率，用它可以将被蒸煮的食物加热到100℃以上，在高海拔地区，利用压力锅可避免水沸点降低而不易煮熟食物的问题。
[0003]市面上大多数是220V交流压力锅，仅适合于居家使用，而该48V 压力锅与专用48V移动电源配合使用，可以在任何无交流电地方使用，特别如旅游、露营、卡车司机等群体，因使用48V电池直接驱动，避免了传统的逆变器升压模式，使电池放电效率更高，相较之下也更为安全，48V直流电压力锅因工作电压较低，所以工作电流会比传统的交流220V压力锅高，用传统方式的双金属片温控器和继电器往往会因工作电流过大而出现触点烧蚀、甚至粘连，从而导致锅内部温度压力调节失控，可能引起安全事故。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种48V直流高压锅，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种48V直流高压锅，包括底座，所述底座的侧壁设置有48V电源插座，所述48V电源插座外部通过专用电缆与48V外部储能电源连接，所述48V电源插座内侧设置有控制电路板，所述控制电路板上设置有DC
‑
DC电压转换电路、MOSFET控制和中间继电器及连接端口，所述控制电路板的上方并且位于底座的端面设置有隔热层，所述隔热层的底部中心设置有温度传感器和机械压力开关，所述隔热层的内部设置有发热盘，所述发热盘的上方并且位于隔热层的内部设置有锅体，所述隔热层的外壁并且位于底座的上方套接有桶体，所述桶体的侧壁设置有控制面板，所述桶体的端面设置有连接环，所述连接环的上方设置有锅盖。
[0007]作为本技术优选的方案，所述MOSFET为金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，所述MOSFET采用同规格两个并联设置在控制电路板中。
[0008]作为本技术优选的方案，所述控制电路板通过导线分别连接温度传感器、机械压力开关和显示面板并且连接方式均为电性连接。
[0009]作为本技术优选的方案，所述发热盘通过导线一边连接 MOSFET，另一边连接温度保险丝，并且连接方式均为电性连接。
[0010]作为本技术优选的方案，所述机械压力开关两边通过导线分别连接控制板12V电压和中间继电器供电端，并且连接方式为电性连接。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1、本技术中，通过电源插座输入48V直流电压，经DC
‑
DC 转换器将直流48V电压转换为12V和5V，分别供控制电路板和显示面板工作，控制电路板发出的加热指令先经中
间继电器隔离驱动大电流MOSFET，经过中间继电器隔离驱动MOSFET，避免48V电压对前级电脑板I/O口的冲击、串扰，还利用继电器触点快速通断的特性，有效避免MOSFET由于驱动电压异常，而使得MOSFET进入线性区损坏的危险，有效增强了装置的安全性和可靠性。
[0013]2、本技术中，通过采用相同规格的两个MOSFET并联设置在电路中，保证更低的导通内阻，有效提高载流能力，降低损耗，进一步提高产品可靠性。
[0014]3、本技术中，通过增加了一路机械压力开关，当出现异常加热导致温度，压力超出设置值的时候，开关断开，切断加热电路，保证产品使用安全。
附图说明
[0015]图1为本技术结构示意图；
[0016]图2为本技术底部结构示意图；
[0017]图3为本技术桶体内部结构剖视图；
[0018]图4为本技术控制电路板结构俯视图；
[0019]图5为本技术结构控制流程图；
[0020]图6为本技术结构电路原理图。
[0021]图中：1、底座；2、48V电源插座；3、48V外部储能电源；4、控制电路板；5、隔热层；6、温度传感器；7、发热盘；8、锅体；9、桶体；10、显示面板；11、连接环；12、锅盖；13、机械压力开关；401、MOSFET；402、中间继电器。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例,基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述,给出了本技术的若干实施例,但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例,相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0024]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件,当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件,本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0025]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同,本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术,本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0026]请参阅图1
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6，本技术提供一种技术方案：
[0027]一种48V直流高压锅，包括底座1，底座1的侧壁设置有电压48V 电源插座2，48V电源插座2通过专用电缆与48V外部储能电源3连接，48V电源插座2的一侧设置有控制电路板
4，控制电路板4上设置有DC
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DC转换电路、MOSFET 401和中间继电器402，控制电路板4 的上方并且位于底座1的端面设置有隔热层5，隔热层5的底部中心设置有温度传感器6，机械压力开关13，隔热层5的内部设置有发热盘7，发热盘7的上方并且位于隔热层5的内部设置有锅体8，隔热层5的外壁并且位于底座1的上方套接有桶体9，桶体9的侧壁设置显示面板10，桶体9的端面设置有连接环11，连接环11的上方设置有锅盖12。
[0028]实施例，请参考图1、图3、图4、图5和图6，48V外部储能电源3为48V直流电源，压力锅配套专用电源，适应大多数无市电环境使用，特别如旅游、露营、卡车司机等群体，电源利用效率高，相较之下更为安全，MOSFET 401为金属
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氧化物半导体场效应晶体管，48V 电源插座2输入直流电源，一路连接电热盘一端，另一路经DC
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种48V直流高压锅，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的侧壁设置有48V电源插座(2)，所述48V电源插座(2)通过专用电缆与48V外部储能电源(3)连接，所述48V电源插座(2)的一侧设置有控制电路板(4)，所述控制电路板(4)上设置有DC
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DC转换电路、MOSFET(401)和中间继电器(402)，所述控制电路板(4)的上方并且位于底座(1)的端面设置有隔热层(5)，所述隔热层(5)的底部中心设置有温度传感器(6)，机械压力开关(13)，所述隔热层(5)的内部设置有发热盘(7)，所述发热盘(7)的上方并且位于隔热层(5)的内部设置有锅体(8)，所述隔热层(5)的外壁并且位于底座(1)的上方套接有桶体(9)，所述桶体(9)的侧壁设置有显示面板(10)，所述桶体(9)的端面设置有连接环(11)，所述连接环(11)的上方设置有锅盖(12)。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋增荣，
申请(专利权)人：深圳市携电行智能有限公司，
类型：新型
国别省市：