空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件、显示装置制造方法及图纸

技术编号:34177760 阅读:66 留言:0更新日期:2022-07-17 12:20
本申请实施例提供了一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件和显示装置。该空穴传输材料,包括:化合物A和/或化合物B;化合物A和化合物B的结构通式如下;其中,L包括取代或未取代的苯、联苯、三联苯、芴中的任意一种;L1、L2、L3、L4、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种包括并二噻吩基团或并二噻吩衍生物基团。本申请实施例实现了向空穴传输材料中引入并二噻吩片段替代常规的苯环或萘环,可以获得符合能级要求的更高的空穴迁移率,提升器件效率。提升器件效率。提升器件效率。提升器件效率。

【技术实现步骤摘要】
空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件、显示装置


[0001]本申请涉及显示
,具体而言,本申请涉及一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light

Emitting Diode,有机发光二极管)器件的基本构造是包括阳极层、发光层和阴极层的“三明治式”器件结构,分别对阳极层和阴极层施加驱动电压即可驱动处于阴极层中的电子和处于阳极层中的空穴向发光层移动,并在发光层中复合形成激子并发光。
[0003]为了提高OLED器件的稳定性和效率,理论上可以引入HIL(Hole Injection Layer,空穴注入层)、HTL(Hole Transporting Layer,空穴传输层)、ETL(Electron Transporting Layer,电子传输层)以及EIL(Electron Injection Layer,电子注入层),形成多层结构器件,以利于电子和空穴注入的平衡,从而提高在发光层中的复合几率及发光量子效率。
[0004]但现有的采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输材料,其特征在于,包括:化合物A和/或化合物B;化合物A的结构通式如下:化合物B的结构通式如下:其中,L包括取代或未取代的苯、联苯、三联苯、芴中的任意一种;L1、L2、L3、L4、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种包括并二噻吩基团或并二噻吩衍生物基团。2.根据权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于,所述L1、L2、L3、L4、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种还包括:单键、苯环基团、联苯基团、萘基团、菲基团、三亚苯基团、9,9
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二甲基芴基团、螺芴基团、咔唑基团以及咔唑衍生物基团中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的空穴传输材料,其特征在于,所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种还包括:二苯并呋喃基团和/或二苯并噻吩基团。4.根据权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于,所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4分别包括以下结构通式(1

1)

结构通式(1

8)中的任意一种:结构通式(1

1)为:结构通式(1

2)为:结构通式(1

3)为:
结构通式(1

4)为:结构通式(1

5)为:结构通式(1

6)为:结构通式(1

7)为:结构通式(1

8)为:5.根据权利要求1或4所述的空穴传输材料,其特征在于,所述化合物A的结构通式包括以下结构通式(2

1)

结构通式(2

8)中的任意一种:结构通式(2

1)为:
结构通式(2

2)为:结构通式(2

3)为:结构通式(2

4)为:结构通式(2

5)为:结构通式(2

6)为:
结构通式(2

7)为:结构通式(2

8)为:6.根据权利要求5所述的空穴传输材料,其特征在于,所述化合物A的结构式包括以下结构式(3

1)

结构式(3

35)中的任意一种:结构式(3

1)为:结构式(3

2)为:
结构式(3

3)为:结构式(3

4)为:结构式(3

5)为:
结构式(3

6)为:结构式(3

7)为:结构式(3

8)为:
结构式(3

9)为:结构式(3

10)为:结构式(3

11)为:结构式(3

12)为:
结构式(3

13)为:结构式(3

14)为:结构式(3

15)为:结构式(3

16)为:
结构式(3

17)为:结构式(3

18)为:结构式(3

19)为:
结构式(3

20)为:结构式(3

21)为:结构式(3

22)为:
结构式(3

23)为:结构式(3

24)为:结构式(3

25)为:
结构式(3

26)为:结构式(3

27)为:结构式(3

28)为:结构式(3

29)为:
结构式(3

30)为:结构式(3

31)为:结构式(3

32)为:
结构式(3

33)为:结构式(3

34)为:结构式(3

35)为:7.根据权利要求1或4所述的空穴传输材料,其特征在于,所述化合物B的结构通式包括以下结构通式(4

1)

结构通式(4

8)中的任意一种:
结构通式(4

1)为:结构通式(4

2)为:结构通式(4

3)为:结构通式(4

4)为:结构通式(4

5)为:
结构通式(4

6)为:结构通式(4

7)为:结构通式(4

8)为:8.根据权利要求7所述的空穴传输材料,其特征在于,所述化合物B的结构式包括以下结构式(5

1)

结构式(5

44)中的任意一种:结构式(5

1)为:
结构式(5

2)为:结构式(5

3)为:结构式(5

4)为:结构式(5

5)为:
结构式(5

6)为:结构式(5

7)为:结构式(5

8)为:结构式(5

9)为:
结构式(5

10)为:结构式(5

11)为:结构式(5

12)为:结构式(5

13)为:
结构式(5

14)为:结构式(5

15)为:结构式(5

16)为:结构式(5

17)为:
结构式(5

18)为:结构式(5

19)为:结构式(5

20)为:结构式(5

21)为:
结构式(5

22)为:结构式(5

23)为:结构式(5

24)为:结构式(5

25)为:
结构式(5

26)为:结构式(5

27)为:结构式(5

28)为:结构式(5

29)为:
结构式(5

30)为:结构式(5

31)为:结构式(5

32)为:结构式(5

33)为:
结构式(5

34)为:结构式(5

35)为:结构式(5

36)为:结构式(5

37)为:
结构式(5

38)为:结构式(5

39)为:结构式(5

40)为:...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱丽霞孙玉倩刘杨
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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