空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件、显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件和显示装置。该空穴传输材料，包括：化合物A和/或化合物B；化合物A和化合物B的结构通式如下；其中，L包括取代或未取代的苯、联苯、三联苯、芴中的任意一种；L1、L2、L3、L4、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种包括并二噻吩基团或并二噻吩衍生物基团。本申请实施例实现了向空穴传输材料中引入并二噻吩片段替代常规的苯环或萘环，可以获得符合能级要求的更高的空穴迁移率，提升器件效率。提升器件效率。提升器件效率。提升器件效率。

【技术实现步骤摘要】
空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)器件的基本构造是包括阳极层、发光层和阴极层的“三明治式”器件结构，分别对阳极层和阴极层施加驱动电压即可驱动处于阴极层中的电子和处于阳极层中的空穴向发光层移动，并在发光层中复合形成激子并发光。
[0003]为了提高OLED器件的稳定性和效率，理论上可以引入HIL(Hole Injection Layer，空穴注入层)、HTL(Hole Transporting Layer，空穴传输层)、ETL(Electron Transporting Layer，电子传输层)以及EIL(Electron Injection Layer，电子注入层)，形成多层结构器件，以利于电子和空穴注入的平衡，从而提高在发光层中的复合几率及发光量子效率。
[0004]但现有的采用前述多层结构的OLED器件成品的实际性能与理论预期之间存在一定的差距，即存在器件效率不足或稳定性不足的缺陷。

技术实现思路

[0005]本申请针对现有方式的缺点，提出一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件和显示装置，用以解决现有技术存在器件效率不足或稳定性不足的技术问题。
[0006]第一个方面，本申请实施例提供了一种空穴传输材料，包括：化合物A和/或化合物B；
[0007]化合物A的结构通式如下：
[0008][0009]化合物B的结构通式如下：
[0010][0011]其中，L包括取代或未取代的苯、联苯、三联苯、芴中的任意一种；
[0012]L1、L2、L3、L4、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种包括并二噻吩基团或并二噻吩衍生物
基团。
[0013]第二个方面，本申请实施例提供了一种空穴传输材料的制备方法，包括：
[0014]将CAS#98
‑
80
‑
6与CAS#25121
‑
87
‑
3反应得到第一中间体；
[0015]将所述第一中间体分别与CAS#1160294
‑
96
‑
1和CAS#1456702
‑
56
‑
9中的至少一种反应得到化合物A；和/或，将所述第一中间体依次与CAS#2113
‑
61
‑
3、CAS#92
‑
86
‑
4、以及CAS#90
‑
30
‑
2和CAS#446242
‑
37
‑
1中的一种反应得到化合物B。
[0016]第三个方面，本申请实施例提供了一种空穴传输材料的制备方法，包括：
[0017]将CAS#98
‑
80
‑
6与CAS#25121
‑
87
‑
3反应得到第一中间体；
[0018]将第一中间体与CAS#5122
‑
99
‑
6反应得到第四中间体；
[0019]将所述第四中间体分别与CAS#1160294
‑
96
‑
1和CAS#1456702
‑
56
‑
9中的至少一种反应得到化合物A；和/或，将所述第四中间体依次与CAS#2113
‑
61
‑
3、CAS#92
‑
86
‑
4、以及CAS#90
‑
30
‑
2和CAS#446242
‑
37
‑
1中的一种反应得到化合物B。
[0020]第四个方面，本申请实施例提供一种空穴传输材料的制备方法，包括：
[0021]将CAS#106
‑
37
‑
6与CAS#160032
‑
40
‑
6反应得到第五中间体；
[0022]将所述第五中间体分别与CAS#1160294
‑
96
‑
1和CAS#1456702
‑
56
‑
9中的至少一种反应得到化合物A；和/或，将所述第五中间体依次与CAS#2113
‑
61
‑
3、CAS#92
‑
86
‑
4、以及CAS#90
‑
30
‑
2和CAS#446242
‑
37
‑
1中的一种反应得到化合物B。
[0023]第五个方面，本申请实施例提供一种电致发光器件，包括：依次层叠的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和发光层；
[0024]其中，空穴传输层包括如第一个方面提供的空穴传输材料。
[0025]第六个方面，本申请实施例提供一种电致发光器件的制备方法，包括：
[0026]在基底上制作阳极层；
[0027]在阳极层远离基底的一侧制作空穴注入层；
[0028]在空穴注入层远离阳极层的一侧制作空穴传输层，空穴传输层包括如第一个方面提供的空穴传输材料；
[0029]在空穴传输层远离空穴注入层的一侧制作发光层。
[0030]第七个方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括如第五个方面提供的电致发光器件。
[0031]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：向空穴传输材料中引入并二噻吩片段替代常规的苯环或萘环，可以获得符合能级要求的更高的空穴迁移率，提升器件效率。
[0032]具体地，噻吩的方向性优于苯环，因为五元噻吩环为5中心6电子的结构，给电子能力大于苯环的6中心6电子结构；噻吩中硫元素的电负性强于苯环或萘环中碳元素的电负性，并二噻吩极性大于萘环或苯环的，有利于增加分子间作用力，促进分子间的电荷转移，达到更高的电荷传输能力，利于空穴迁移率的提升。
[0033]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0034]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0035]图1为本申请实施例提供的第一种空穴传输材料的制备方法的流程示意图；
[0036]图2为本申请实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
[0037]图3为本申请实施例提供的另一种电致发光器件的结构示意图；
[0038]图4为本申请实施例提供的一种电致发光器件的制备方法的流程示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输材料，其特征在于，包括：化合物A和/或化合物B；化合物A的结构通式如下：化合物B的结构通式如下：其中，L包括取代或未取代的苯、联苯、三联苯、芴中的任意一种；L1、L2、L3、L4、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种包括并二噻吩基团或并二噻吩衍生物基团。2.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，所述L1、L2、L3、L4、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种还包括：单键、苯环基团、联苯基团、萘基团、菲基团、三亚苯基团、9,9
’‑
二甲基芴基团、螺芴基团、咔唑基团以及咔唑衍生物基团中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的空穴传输材料，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的至少一种还包括：二苯并呋喃基团和/或二苯并噻吩基团。4.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4分别包括以下结构通式(1
‑
1)
‑
结构通式(1
‑
8)中的任意一种：结构通式(1
‑
1)为：结构通式(1
‑
2)为：结构通式(1
‑
3)为：
结构通式(1
‑
4)为：结构通式(1
‑
5)为：结构通式(1
‑
6)为：结构通式(1
‑
7)为：结构通式(1
‑
8)为：5.根据权利要求1或4所述的空穴传输材料，其特征在于，所述化合物A的结构通式包括以下结构通式(2
‑
1)
‑
结构通式(2
‑
8)中的任意一种：结构通式(2
‑
1)为：
结构通式(2
‑
2)为：结构通式(2
‑
3)为：结构通式(2
‑
4)为：结构通式(2
‑
5)为：结构通式(2
‑
6)为：
结构通式(2
‑
7)为：结构通式(2
‑
8)为：6.根据权利要求5所述的空穴传输材料，其特征在于，所述化合物A的结构式包括以下结构式(3
‑
1)
‑
结构式(3
‑
35)中的任意一种：结构式(3
‑
1)为：结构式(3
‑
2)为：
结构式(3
‑
3)为：结构式(3
‑
4)为：结构式(3
‑
5)为：
结构式(3
‑
6)为：结构式(3
‑
7)为：结构式(3
‑
8)为：
结构式(3
‑
9)为：结构式(3
‑
10)为：结构式(3
‑
11)为：结构式(3
‑
12)为：
结构式(3
‑
13)为：结构式(3
‑
14)为：结构式(3
‑
15)为：结构式(3
‑
16)为：
结构式(3
‑
17)为：结构式(3
‑
18)为：结构式(3
‑
19)为：
结构式(3
‑
20)为：结构式(3
‑
21)为：结构式(3
‑
22)为：
结构式(3
‑
23)为：结构式(3
‑
24)为：结构式(3
‑
25)为：
结构式(3
‑
26)为：结构式(3
‑
27)为：结构式(3
‑
28)为：结构式(3
‑
29)为：
结构式(3
‑
30)为：结构式(3
‑
31)为：结构式(3
‑
32)为：
结构式(3
‑
33)为：结构式(3
‑
34)为：结构式(3
‑
35)为：7.根据权利要求1或4所述的空穴传输材料，其特征在于，所述化合物B的结构通式包括以下结构通式(4
‑
1)
‑
结构通式(4
‑
8)中的任意一种：
结构通式(4
‑
1)为：结构通式(4
‑
2)为：结构通式(4
‑
3)为：结构通式(4
‑
4)为：结构通式(4
‑
5)为：
结构通式(4
‑
6)为：结构通式(4
‑
7)为：结构通式(4
‑
8)为：8.根据权利要求7所述的空穴传输材料，其特征在于，所述化合物B的结构式包括以下结构式(5
‑
1)
‑
结构式(5
‑
44)中的任意一种：结构式(5
‑
1)为：
结构式(5
‑
2)为：结构式(5
‑
3)为：结构式(5
‑
4)为：结构式(5
‑
5)为：
结构式(5
‑
6)为：结构式(5
‑
7)为：结构式(5
‑
8)为：结构式(5
‑
9)为：
结构式(5
‑
10)为：结构式(5
‑
11)为：结构式(5
‑
12)为：结构式(5
‑
13)为：
结构式(5
‑
14)为：结构式(5
‑
15)为：结构式(5
‑
16)为：结构式(5
‑
17)为：
结构式(5
‑
18)为：结构式(5
‑
19)为：结构式(5
‑
20)为：结构式(5
‑
21)为：
结构式(5
‑
22)为：结构式(5
‑
23)为：结构式(5
‑
24)为：结构式(5
‑
25)为：
结构式(5
‑
26)为：结构式(5
‑
27)为：结构式(5
‑
28)为：结构式(5
‑
29)为：
结构式(5
‑
30)为：结构式(5
‑
31)为：结构式(5
‑
32)为：结构式(5
‑
33)为：
结构式(5
‑
34)为：结构式(5
‑
35)为：结构式(5
‑
36)为：结构式(5
‑
37)为：
结构式(5
‑
38)为：结构式(5
‑
39)为：结构式(5
‑
40)为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱丽霞，孙玉倩，刘杨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：