【技术实现步骤摘要】
一种三极管双排框架结构
[0001]本技术涉及一种三极管双排框架结构。
技术介绍
[0002]二极管是现今电子设备实现各种复杂功能的基础单元,随后诞生的三极管作为半导体的一员,具有很强的电流放大功能。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
[0003]现有技术中的三极管双排框架两个外端部的PNP和NPN发射极和基极都是裸露在外部的,容易受到磕碰受损的情况。
技术实现思路
[0004]针对现有技术的不足,本技术提供一种三极管双排框架结构,可以对基极和发射极的进行防护。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种三极管双排框架结构,包括框架主体,所述框架主体的上下两侧壁分别固定有基极和发射极,位于所述框架主体的上下两侧分别设置有第二防护板和第一防护板,所述框架主体外部固定套接有外罩,位于所述外罩的两侧壁中部均活动嵌入有调节柱;
[0006]所述调节柱的上下两 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三极管双排框架结构,包括框架主体,其特征在于:所述框架主体的上下两侧壁分别固定有基极和发射极,位于所述框架主体的上下两侧分别设置有第二防护板和第一防护板,所述框架主体外部固定套接有外罩,位于所述外罩的两侧壁中部均活动嵌入有调节柱;所述调节柱的上下两端中部均开设有内螺纹孔,位于所述第一防护板和第二防护板两端相向的一侧分别固定有第一螺纹丝杆和第二螺纹丝杆,两根所述第一螺纹丝杆以及两根所述第二螺纹丝杆分别与两根所述调节柱的内螺纹孔螺纹拧合插接。2....
【专利技术属性】
技术研发人员:徐红波,
申请(专利权)人:宁波港波电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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