包括双加强件的半导体封装件制造技术

一种半导体封装件，包括：双加强件，其包括上加强件和下加强件；上封装件，其包括上封装件衬底、居中地安装在上封装件衬底的上表面上的半导体芯片和沿着上封装件衬底的外边缘设置的上加强件；以及下封装件衬底，其居中地安装上封装件并且包括下加强件，下加强件设置在下封装件衬底的上表面上以包围上封装件衬底。下封装件衬底的上表面上以包围上封装件衬底。下封装件衬底的上表面上以包围上封装件衬底。

【技术实现步骤摘要】
包括双加强件的半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月29日提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0186783和于2021年6月10日提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0075635的优先权，该两件申请的共同主题以引用方式全部并入本文中。


[0003]本专利技术构思大体涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括加强件的半导体封装件。

技术介绍

[0004]半导体封装件本质上是一种制造的部件，其具有使半导体芯片能够被安装(例如，机械地组装和/或电气连接)并能够在电子产品内被有效访问的形式。例如，在半导体封装件内，可以使用导电键合线和/或凸块将半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上。随着半导体封装件内的半导体芯片及相关部件以更高的速度和更大的数据容量运行，半导体封装件的功耗增加。因此，半导体封装件及其相关部件的结构已成为管理当代和新兴半导体封装件的物理尺寸和布局、电气性能、热特性和/或电源的持续努力中的越来越重要的考虑因素。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施例涉及一种呈现出增强的电气性能和改善的热特性的相对低成本半导体封装件。
[0006]根据本专利技术构思的一方面，半导体封装件包括：双加强件，其包括上加强件和下加强件；上封装件，其包括上封装件衬底、居中地安装在上封装件衬底的上表面上的半导体芯片和沿着上封装件衬底的外边缘设置的上加强件；以及下封装件衬底，其居中地安装上封装件，并且包括设置在下封装件衬底的上表面上以包围上封装件衬底的下加强件。
[0007]根据本专利技术构思的一方面，半导体封装件包括：双加强件，其包括上加强件和下加强件；上封装件，其包括上封装件衬底、使用第一球栅阵列(BGA)居中地安装在上封装件衬底的上表面上的片上系统(SoC)和沿着上封装件衬底的外边缘设置的上加强件；下封装件衬底，其使用第二BGA居中地安装上封装件，并且包括设置在下封装件衬底的上表面上以包围上封装件衬底的下加强件；以及散热器，其设置在上封装件上。
[0008]根据本专利技术构思的一方面，半导体封装件包括：双加强件，其包括上加强件和下加强件；上封装件，其包括上封装件衬底、居中地安装在上封装件衬底的上表面上的半导体芯片和沿着上封装件衬底的外边缘设置的上加强件；下封装件衬底，其居中地安装上封装件，并且包括设置在下封装件衬底的上表面上以包围上封装件衬底的下加强件；以及散热器，其设置在上封装件上，并且包括热接触半导体芯片的上表面的下表面，其中，上加强件为具有矩形截面的方形环，并且下加强件为方形环，并且包括具有矩形截面的栅栏部分和从栅
栏部分的上表面水平地延伸以接触上加强件的上表面的覆盖部分。
附图说明
[0009]考虑到以下结合附图的详细描述，可以更加清楚地理解本专利技术构思的制作和使用，在附图中：
[0010]图1A是平面(或俯视)图，图1B是截面图，图1C是放大的局部图，图1A至图1C共同示出了根据本专利技术构思的实施例的包括双加强件的半导体封装件；
[0011]图2A是平面图，图2B是截面图；图2A和图2B共同示出了根据本专利技术构思的实施例的包括双加强件的半导体封装件；
[0012]图3A和图3B分别是根据本专利技术构思的实施例的包括双加强件的半导体封装件的平面图；
[0013]图4A、图4B、图4C、图4D和图4E(统称为“图4A至图4E”)分别是示出根据本专利技术构思的实施例的包括双加强件的各种半导体封装件的截面图；
[0014]图5A、图5B和图5C(统称为“图5A至图5C”)分别是示出根据本专利技术构思的实施例的包括双加强件的各种半导体封装件的截面图；
[0015]图6A是平面图，图6B是截面图；图6A和图6B共同示出了根据本专利技术构思的实施例的包括双加强件的半导体封装件；
[0016]图7A是平面图，图7B是截面图；图7A和图7B共同示出了根据本专利技术构思的实施例的包括双加强件的半导体封装件；
[0017]图8A、图8B、图8C、图8D、图8E和图8F(统称为“图8A至图8F”)分别是示出根据本专利技术构思的实施例的制造包括双加强件的半导体封装件的方法的截面图；以及
[0018]图9A和图9B分别是进一步示出根据本专利技术构思的实施例的制造包括双加强件半导体封装件的方法的截面图。
具体实施方式
[0019]在下文中将参照附图更详细地描述本专利技术构思的实施例。在整个书面描述和附图中，同样的附图标记和标签用于表示同样的或相似的元件、部件和/或方法步骤。在整个书面描述中，可以使用某些几何术语来强调相对于本专利技术构思的某些实施例的元件、部件和/或特征之间的相对关系。本领域技术人员将认识到，这样的几何术语本质上是相对的，在描述关系上是任意的和/或涉及所示实施例的方面。几何术语可以包括例如：高度/宽度；竖直/水平；顶部/底部；较高/较低；较近/较远；较厚/较薄；近/远；上方/下方；之下/之上；上/下；中心/侧面；包围；覆盖在
……
上/垫在
……
下；等。
[0020]图1A是平面图，图1B是沿图1A的线I
‑
I'截取的截面图，图1C是图1B的上封装件衬底的一部分的局部放大图。图1A至图1C共同示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装件1000。
[0021]参照图1A至图1C，半导体封装件1000可以包括上封装件100、下封装件衬底200和下加强件300。就这点而言，上封装件100可以包括上封装件衬底110、第一半导体芯片120、上加强件130、第一连接构件140和各种上层无源元件150。
[0022]上封装件衬底110可以为例如印刷电路板(PCB)。可以使用第一连接构件140将上
封装件衬底110安装在下封装件衬底200上。上封装件衬底110可以包括核心层112、布线单元114和阻焊(SR)层116(例如，见图1C)。在一些实施例中，上封装件衬底110的(例如，根据第一水平或X方向以及第二水平或Y方向测量的)横向(或水平)“面积”可以不大于大约2500mm2(例如，大约50mm
×
50mm)。
[0023]在一些实施例中，核心层112可以包括玻璃纤维和诸如FR4的树脂。可替换地，核心层112可以包括诸如双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、味之素(Ajinomoto)复合膜(ABF)和/或层压树脂的复合膜。
[0024]然而，具体实施时，核心层112应具有(例如，如相对于任意选择的水平平面(诸如下封装件衬底200的上表面)在竖直或Z方向上测量的)相对小的“厚度”。例如，核心层112可以具有第一厚度D1，通过第一厚度D1可以容易地形成堆叠件过孔115以连接核心层112的上表面和下表面。在一些实施例中，第一厚度D1可以在大约0μm至大约200μm的范围内，并且更具体地，在一些实施例中，第一厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：双加强件，其包括上加强件和下加强件；上封装件，其包括上封装件衬底、居中地安装在所述上封装件衬底的上表面上的半导体芯片和沿着所述上封装件衬底的外边缘设置的所述上加强件；以及下封装件衬底，其居中地安装所述上封装件，并且包括所述下加强件，所述下加强件设置在所述下封装件衬底的上表面上以包围所述上封装件衬底。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述上加强件为具有矩形截面的方形环，并且所述下加强件包括具有矩形截面的栅栏部分和从所述栅栏部分的上表面水平地延伸以接触所述上加强件的上表面的覆盖部分。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述下加强件的栅栏部分为方形环，并且所述上加强件和所述下加强件横向间隔开。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，被所述上封装件衬底占据的第一面积小于被所述下封装件衬底占据的第二面积，并且所述上封装件衬底包括设置在上布线层与下布线层之间的核心层，其中，所述上布线层和所述下布线层通过通孔经所述核心层电连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，使用具有第一节距的第一连接构件将所述上封装件居中地安装在所述上封装件衬底上，并且所述下封装件衬底还包括第二连接构件，其设置在所述下封装件衬底的下表面上，并且具有大于所述第一节距的第二节距。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：无源元件，其在所述半导体芯片与所述上加强件之间设置在所述上封装件衬底的上表面和所述下封装件衬底的下表面的中心部分中的至少一个中。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：在所述下加强件与所述上封装件之间设置在所述下封装件衬底的上表面上的动态随机存取存储器封装件和电力管理集成电路封装件中的至少一个。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：散热器，其设置在所述上封装件上，并且具有热接触所述半导体芯片的上表面的下表面。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述散热器的下表面是平坦的，并且所述上加强件的上表面和所述下加强件的上表面与所述散热器的下表面分离。10.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述散热器的下表面包括被外部部分包围的单台阶、阶梯向下的中心部分，所述单台阶、阶梯向下的中心部分热接触所述半导体芯片的上表面，并且所述外部部分热接触所述下加强件的上表面。11.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述散热器的下表面包括被外部部分包围的双台阶、阶梯向下的中心部分，所述双台阶、阶梯向下的中心部分具有下台阶部分和上台阶部分，
所述下台阶部分热接触所述半导体芯片的上表面，所述上台阶部分热接触所述上加强件的上表面，并且所述外部部分热接触所述下加强件的上表面。12.一种半导体封装件，包括：双加强件，其包括上加强件和下加强件；上封装件，其包括上封装件衬底、利用第一球栅阵列居中地安装在所述上封装件衬底的上表面上的片上系统、和沿着所述上封装件衬底的外边缘设置的所述上加强件；下...

【专利技术属性】
技术研发人员：权兴奎，朴浚曙，李稀裼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：