一种带储能电容的浪涌电流抑制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种带储能电容的浪涌电流抑制电路，包括：二极管D1的正极外接直流供电电源的正极；二极管D1的负极依次连接储能电容充放电电路、DCDC输入电容浪涌电流抑制电路、电容C3正极和DCDC供电电路的正极；储能电容充放电电路和DCDC输入电容浪涌电流抑制电路依次连接直流供电电源的负极，电容C3的负极和DCDC供电电路的负极连接DCDC输入电容浪涌电流抑制电路；DCDC供电电路连接等效负载RL。本发明专利技术通过具有电阻限流的储能电容充放电电路和由恒流源驱动MOSFET实现的DCDC输入级电容浪涌电流抑制电路可以处理大容量储能电容和维持DCDC正常工作所需的输入电容产生的浪涌电流；采用多级恒流源驱动MOSFET组成的浪涌电流抑制电路，可以在宽供电范围、宽温度范围条件下工作。件下工作。件下工作。

【技术实现步骤摘要】
一种带储能电容的浪涌电流抑制电路


[0001]本专利技术属于电源
，涉及一种带储能电容的浪涌电流抑制电路。

技术介绍

[0002]电子设备的供电输入级通常存在滤波电容、储能电容、DCDC模块内部集成的输入滤波电容等储能元件，在上电瞬间，供电电源将会对输入电容器快速充电从而产生浪涌电流。在不采取任何防护措施的情况下，浪涌电流的峰值主要由电容器等效串联电阻ESR、电源线和线路板走线电阻R
line
、电源内阻r和供电电压U决定，即I
Inrush
≈U/(ESR+R
line
+r)。通常上述等效电阻的总和约为数毫欧至数百毫欧量级，浪涌电流尖峰可达数十安培乃至数百安培量级。浪涌能量可用计算，即浪涌能量与输入级电容量成正比。上电瞬间高峰值、大能量的浪涌电流冲击将严重影响电子设备的可靠性和健壮性。为解决该问题，通常采用的方法如下：
[0003]a)供电回路增加负温度热敏电阻(NTC)，设备冷启动时，NTC电阻值较高，可以有效抑制浪涌电流，随着NTC被加热，其阻值下降，可避免过大的功率损耗。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带储能电容的浪涌电流抑制电路，其特征在于，包括：二极管D1、储能电容充放电电路、DCDC输入电容浪涌电流抑制电路、电容C3、DCDC供电电路和等效负载RL；所述二极管D1的正极外接直流供电电源的正极；所述二极管D1的负极依次连接储能电容充放电电路、DCDC输入电容浪涌电流抑制电路、电容C3正极和DCDC供电电路的正极；所述储能电容充放电电路和DCDC输入电容浪涌电流抑制电路依次连接直流供电电源的负极；所述电容C3的负极和DCDC供电电路的负极连接DCDC输入电容浪涌电流抑制电路；所述DCDC供电电路连接等效负载RL。2.根据权利要求1所述的带储能电容的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述储能电容充放电电路包括：电容C1、电阻R1和二极管D2；所述电阻R1的一端连接二极管D2的负极，且与二极管D1负极连接，电阻R1的另一端与二极管D2正极、电容C1正极相连，电容C1负极连接直流供电的负极。3.根据权利要求1所述的带储能电容的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述DCDC输入电容浪涌电流抑制电路包括场效应管Q1、电容C2、恒流源I1和控制电路；所述控制电路供电的正极、恒流源I1的正极连接至二极管D1负极，恒流源I1的负极连接场效应管Q1的栅极、电容C2的一端和控制电路，控制电路的供电负极、电容C2的另一端和场效应管Q1的源级连接直流供电电源的负极，场效应管Q1的漏极连接到电容C3的负极和DCDC供电电路的负极。4.根据权利要求1所述的带储能电容的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述DCDC输入电容浪涌电流抑制电路包括恒流源I2、恒流源I3、电容C4、场效应管Q1、电阻R5、电阻R6、稳压二极管D3、场效应管Q2、稳压二极管D4；所述恒流源I2连接恒流源I3，所述电阻R5的一端连接二极管D1的负极；电阻R5的另一端连接二极管D4的负极；电阻R6的一端连接场效应管Q2的栅极；场效应管Q2的源级连接二极管D3的负极、电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志军，陈庆阳，刘平，王小康，马燕，
申请(专利权)人：西安思丹德信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：