一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管及液晶显示器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管及液晶显示器，氧化物薄膜晶体管包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极和漏极，栅极被绝缘层所覆盖，有源层、源极、漏极均设置在绝缘层的上表面上，源极、漏极相对设置，其特征在于：所述有源层为氧化物半导体层，所述源极、漏极均由氧化物导体层图形化而成，源极、漏极与有源层搭接而构成导电通道。本实用新型专利技术能够有效改善导电性，并且结构稳定可控，可确保改性后具有较好的稳定性，而且应用在液晶显示器上，能够有效地解决不同TFT器件的导电一致性问题，进而解决显示器显示不均的问题。示不均的问题。示不均的问题。

An oxide thin film transistor and liquid crystal display with improved conductivity

【技术实现步骤摘要】
nm；所述氧化物半导体层厚度约为50~100nm；所述氧化物导体层可以采用磁控溅射进行制作，并通过光刻方法进行图形化，其厚度一般为20~30 nm。
[0010]上述氧化物薄膜晶体管中，有源层为氧化物半导体层，源极、漏极由氧化物导体层图形化而成，由于氧化物导体层与氧化物半导体层都是含氧的金属化合物，氧化物导体层与氧化物半导体层相互接触时，氧元素非常容易在界面之间形成扩散而形成过渡层，因而其能够有效地改善导电性，代替现有的改性，而且氧化物导体层、氧化物半导体层都可以采用独立的工艺进行制作，其结构稳定可控，这样可确保不会出现改性后不稳定的情况。另外，由于沟道的长度是由源/漏极的图案所确定，源极、漏极采用极薄的氧化物导体层图形化而成，其图形的精度非常高，其蚀刻之后的边缘轮廓的误差非常小，其不会导致器件的沟道长度出现波动，能够有效地解决不同TFT器件的导电一致性问题。
[0011]优选方案中，所述氧化物导体层的电导率为101～103Ω/
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。氧化物导体层的电导率设置为101～103Ω/
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，一般依靠膜层内部的氧空位进行导电（而不是膜层内部析出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极和漏极，栅极被绝缘层所覆盖，有源层、源极、漏极均设置在绝缘层的上表面上，源极、漏极相对设置，其特征在于：所述有源层为氧化物半导体层，所述源极、漏极均由氧化物导体层图形化而成，源极、漏极与有源层搭接而构成导电通道。2.根据权利要求1所述的一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物导体层的电导率为101～103Ω/
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。3.根据权利要求1所述的一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物半导体层由四元氧化物构成。4.根据权利要求1所述的一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物导体层由三元氧化物构成。5.根据权利要求4所述的一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述三元氧化物是掺铟氧化锡、掺镓氧化锌、掺锌氧化铟或掺锌氧化铝。6.根据权利要求1所述的一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层呈双层结构，包括高阻态主层、以及接触界面的表层。7.根据权利要求1所述的一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述源极、漏极的部分搭接在所述有源层的顶部。8.根据权利要求7所述的一种改善导电性的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物薄膜晶体管还包括金属线路，金属线路设置在所述绝缘层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈奕，陈玉云，杨秋强，吕岳敏，陈远明，余荣，
申请(专利权)人：汕头超声显示器技术有限公司，
类型：新型
国别省市：