【技术实现步骤摘要】
一种倒角方法
[0001]本专利技术涉及晶片加工
，特别涉及一种倒角方法。
技术介绍
[0002]当前，半导体衬底倒角主要使用廓形砂轮倒角技术，即一种规格型号的砂轮仅能进行一种边缘轮廓的加工。当使用廓形砂轮倒角技术进行倒角时，每个槽都需要与晶片进行对中，对中后晶片缓慢接近高速旋转的砂轮槽直至接触，产生磨削，晶片缓慢旋转若干周，达成目标直径的倒角，倒角后的晶片边缘将复制得到与砂轮槽型一致的轮廓形貌。
[0003]但是，上述廓形砂轮倒角技术存在以下缺陷：1)砂轮槽型固定，无法兼顾R型倒角、T型倒角和不对称倒角，如需要更换轮廓形貌，需要重新设计并加工倒角砂轮的磨削槽，操作繁琐且需要一定砂轮加工周期；2)砂轮槽寿命较短，随着加工数量逐渐增多，砂轮槽会逐渐变形失去原本设计的砂轮槽型，在磨削力仍旧存在的情况下被迫更换新槽；3)廓形倒角在倒角端面的粗糙度质量无法实现稳定，偶尔会发生端面毛刺的现象。
[0004]因此，如何提供一种倒角方法，不仅能够同时兼顾R型、T型和不对称倒角等多种倒角类型，而且能够大大减少砂轮更换频...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种倒角方法，其特征在于，包括以下步骤:1)根据待加工晶片的材质选择与所述待加工晶片适配的砂轮类型；2)将所述待加工晶片和选择的所述砂轮均安装于倒角装置上；3)将所述待加工晶片和所述砂轮进行原点对刀操作；4)在所述倒角装置上设置所述砂轮的运动方向为第一方向和第二方向，同时设置所述待加工晶片的运动方向为第三方向；根据所述待加工晶片的不同材质，设置所述砂轮的转速为不同转速；根据所述待加工晶片的不同的轮廓形貌，在所述倒角装置上设置不同的加工参数，根据不同的所述加工参数能够计算所述砂轮沿所述第一方向运动的第一目标距离和第一目标速度，所述砂轮沿所述第二方向运动的第二目标距离和第二目标速度，同时能够计算所述待加工晶片沿所述第三方向运动的第三目标距离和第三目标速度；5)控制所述砂轮以所述第一目标速度沿所述第一方向运动所述第一目标距离，控制所述待加工晶片以所述第三目标速度沿所述第三方向运动所述第二目标距离，以对所述待加工晶片的原点至所述待加工晶片上端面的位置进行倒角；6)控制所述砂轮和所述待加工晶片均回到原点初始位置；7)控制所述砂轮以所述第二目标速度沿所述第二方向运动所述第二目标距离，控制所述待加工晶片以所述第三目标速度沿所述第三方向运动所述第三目标距离，以对所述待加工晶片的原点至所述待加工晶片下端面的位置进行倒角；8)控制所述砂轮和所述待加工晶片均回到原点初始位置。2.根据权利要求1所述的倒角方法，其特征在于，所述待加工晶片...
【专利技术属性】
技术研发人员：眭旭，郭钰，刘春俊，王波，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：北京天科合达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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