一种高解析度的5T2CLTPO内部补偿电路及其控制方法技术

本发明专利技术公开一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路及其控制方法，其包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和发光二极管OLED，晶体管T2和晶体管T3均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，晶体管T1、晶体管T4和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方；本发明专利技术的补偿电路消除V

A high resolution 5t2cltpo internal compensation circuit and its control method

【技术实现步骤摘要】
一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路及其控制方法


[0001]本专利技术涉及面板显示
，尤其涉及一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路及其控制方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展以及人生活水平的提升，人们对显示器的面板有了更高的要求，OLED面板也因此诞生，由于OLED电路是通过控制电流的大小来控制面板的显示亮度，因此补偿Vth成了OLED电路设计中的一个重要课题；同时像素的大小也会影响显示屏的解析度，因此为了拥有更高的面板清晰度，需要减少像素的大小，减少TFT所占面积是减少像素大小的关键。
[0003]传统的5T2C补偿电路如图1所示，此电路不能让像素有足够小的占据面积，导致其解析度不够高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路及其控制方法。
[0005]本专利技术采用的技术方案是：一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路，其包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和发光二极管OLED，晶体管T2和晶体管T3均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，晶体管T1、晶体管T4和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方；晶体管T1的栅极接第一扫描信号，晶体管T1的源极接数据信号，晶体管T1的漏极分别与电容C1的一端、晶体管T2的栅极和晶体管T5的源极点连接，电容C1的另一端分别连接晶体管T4的源极、电容C2的一端和发光二极管OLED的阳极；晶体管T4的栅极连接重置信号Reset，晶体管T4的源极连接电压Vsus；晶体管T5的栅极接第二扫描信号，晶体管T5的源极连接基准电压Vref；电容C2的另一端连接发光二极管OLED的阴极；晶体管T2的漏极连接晶体管T3的源极，晶体管T3的漏极连接电源正极OVDD，晶体管T3的栅极连接使能信号EM；晶体管T2的源极连接发光二极管OLED的阳极，光二极管OLED的阴极接电源负极OVSS。
[0006]进一步地，晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T5均为薄膜晶体管。
[0007]进一步地，第一扫描信号和第二扫描信号由 GPIO电路产生。
[0008]进一步地，补偿电路包括IC芯片，IC芯片产生第一扫描信号（Scan1）和第二扫描信号（Scan2）；IC芯片通过扫第一扫描信号控制晶体管T1通断；IC芯片通过第二扫描信号控制晶体管T5通断。
[0009]进一步地，所述电容C1设置于介质层上方，电容C2设置于基板与介质层之间。
[0010]进一步地，还包括穿透介质层的第一连接线、第二连接线和第三连接线，晶体管T1的漏极与晶体管T2的栅极之间通过第一连接线连接，电容C2的一端通过第二连接线连接发
光二极管OLED的阳极，电容C2的另一端通过第三连接线连接发光二极管OLED的阴极。
[0011]一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路的控制方法，包括以下步骤：步骤S1、在第一阶段重置阶段，控制晶体管T1的栅极和晶体管T3的栅极输入高电平，控制晶体管T2的栅极、晶体管T4的栅极和晶体管T5的栅极均输入低电平；步骤S2、在第二阶段补偿阶段，控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极输入高电平，控制晶体管T2的栅极、晶体管T3的栅极和晶体管T5的栅极均输入低电平；步骤S3、在第三阶段数据写入阶段，控制晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极输入低电平，控制晶体管T3的栅极、晶体管T4的栅极和晶体管T5的栅极均输入高电平；步骤S4、在第四阶段发光阶段，控制晶体管T1的栅极、晶体管T4的栅极和晶体管T5的栅极均输入高电平，控制晶体管T2的栅极和晶体管T3的栅极输入低电平；进一步地，步骤S1中在第一阶段重置阶段，第二扫描信号和重置信号Reset输入低电压，晶体管T2、 T4和T5打开，晶体管T4输入电压Vsus，晶体管T5输入基准电压Vref，V
G
=Vref， V
S
=Vsus；进一步地，步骤S2中第二阶段补偿阶段，重置信号Reset、第一扫描信号和使能信号EM输入高电压，第二扫描信号输入低电压，晶体管T2、T3和T5打开，晶体管T5输入Vref，V
G
=Vref，S点电压V
S
由Vsus上升到Vref
‑
V
TH
时晶体管T2关闭，即V
S
=Vref
‑
V
TH
，这样就补到一个V
TH
。
[0012]进一步地，步骤S3中在第三阶段数据写入阶段，重置信号 Reset和第二扫描信号输入高电压，第一扫描信号和使能信号EM输入低电压，晶体管T1和T2打开，晶体管T1输入数据信号V
DATA
，V
G
=V
DATA
。
[0013]进一步地，步骤S3中由于电容的耦合作用，S点电压被耦合到Vref
‑
V
TH
+[C1/(C1+C2)](V
DATA
‑
Vref)，即V
S
= Vref
‑
V
TH
+[C1/(C1+C2)](V
DATA
‑
Vref)。
[0014]进一步地，步骤S3中在第四阶段发光阶段，第一扫描信号、第二扫描信号、使能信号EM和重置信号Reset均输入高电压，晶体管T2和T3打开。
[0015]进一步地，步骤S4中S点电压因为OLED发光导致从Vref
‑
V
TH
+[C1/(C1+C2)](V
DATA
‑
Vref)变为V
OLED
+OVSS，即V
S
=V
OLED
+OVSS。
[0016]进一步地，第一阶段重置阶段、第二阶段补偿阶段、第三阶段数据写入阶段和第四阶段发光阶段为依次连续的时间段。
[0017]本专利技术采用以上技术方案，相较于现有技术具有如下优点：1）可补偿Driving TFT（T6）的V
TH
，改善了由V
TH
漂移引发的不良问题。（2）OLED发光电流只与V
DATA
和Vref有关，排除了VDD，VSS，V
OLED
等不良因子对电流的影响，大大增加了OLED发光电流的稳定性。（3）此LTPO架构可减少Pixel所占面积，增加解析度，提高PPI，改善显示效果。
附图说明
[0018]以下结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明；图1为传统的5T2C补偿电路的结构示意图；图2为本专利技术一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路及其控制方法的结构示意图；图3为本专利技术Top
‑
Gate Oxide与Top
‑
Gate LTPS结构分层示意图；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路，其特征在于：其包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和发光二极管OLED，晶体管T2和晶体管T3均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，晶体管T1、晶体管T4和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方；晶体管T1的栅极接第一扫描信号，晶体管T1的源极接数据信号，晶体管T1的漏极分别与电容C1的一端、晶体管T2的栅极和晶体管T5的源极点连接，电容C1的另一端分别连接晶体管T4的源极、电容C2的一端和发光二极管OLED的阳极；晶体管T4的栅极连接重置信号Reset，晶体管T4的源极连接电压Vsus；晶体管T5的栅极接第二扫描信号，晶体管T5的源极连接基准电压Vref；电容C2的另一端连接发光二极管OLED的阴极；晶体管T2的漏极连接晶体管T3的源极，晶体管T3的漏极连接电源正极OVDD，晶体管T3的栅极连接使能信号EM；晶体管T2的源极连接发光二极管OLED的阳极，光二极管OLED的阴极接电源负极OVSS。2. 根据权利要求1所述的一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路，其特征在于：晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T5均为薄膜晶体管，电容C1设置于介质层上方，电容C2设置于基板与介质层之间。3. 根据权利要求1所述的一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路，其特征在于：第一扫描信号和第二扫描信号由 GPIO电路产生；或者补偿电路包括IC芯片，IC芯片产生第一扫描信号和第二扫描信号；IC芯片通过扫第一扫描信号控制晶体管T1通断；IC芯片通过第二扫描信号控制晶体管T5通断。4. 根据权利要求1所述的一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路，其特征在于：还包括穿透介质层的第一连接线、第二连接线和第三连接线，晶体管T1的漏极与晶体管T2的栅极之间通过第一连接线连接，电容C2的一端通过第二连接线连接发光二极管OLED的阳极，电容C2的另一端通过第三连接线连接发光二极管OLED的阴极。5. 一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路的控制方法，采用根据权利要求1至4任一项所述的一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路，其特征在于：方法包括以下步骤：步骤S1、在第一阶段重置阶段，控制晶体管T1的栅极和晶体管T3的栅极输入高电平，控制晶体管T2的栅极、晶体管T4的栅极和晶体管T5的栅极均输入低电平；步骤S2、在第二阶段补偿阶段，控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极输入高电平，控制晶体管T2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘焱鑫，贾浩，罗敬凯，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：