阵列基板及显示面板制造技术

本申请涉及显示技术领域，提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：基板；以及栅极绝缘层，位于基板表面；钝化层，位于栅极绝缘层远离基板的一侧，且设有导通孔；像素电极，位于钝化层表面，且通过导通孔与钝化层所覆盖的金属层连接，像素电极具有若干狭缝，在与导通孔相邻的狭缝处，栅极绝缘层与钝化层的厚度之和为第一厚度，在与导通孔相邻的狭缝和导通孔之间，栅极绝缘层与钝化层的厚度之和为第二厚度，第一厚度大于零且小于第二厚度。通过减薄与导通孔相邻的狭缝处栅极绝缘层和钝化层的厚度，降低导通孔处像素电极的高低落差，以避免像素电极断裂。免像素电极断裂。免像素电极断裂。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请属于显示
，涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]目前的液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其电压低，功耗低，方便携带的优势，使之成为显示技术的主流技术。通常液晶显示面板包括彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管、阵列基板(Thin FilmTransistor，TFT)、及设于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(LiquidCrystal，LC)。通过对阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到彩膜基板产生不同色彩显示。阵列基板的性能特征和运行特性很大程度上取决于阵列基板中半导体元件特性。
[0003]液晶显示面板中一个重要的指标就是显示亮度，尤其是用于户外的显示产品，而亮度的一个重要的决定因素是像素的穿透率。因此，如何提高像素的穿透率为现有技术中需要解决的技术问题。
[0004]现有技术中，通常的做法是去除开口区位置的绝缘层，以减薄开口区阵列基板的厚度，从而提高像素的穿透率。但是，由于导通孔处的像素电极 (ITO)高低落差过大，而造成像素电极的锥度角过大，容易造成像素电极断裂。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的之一在于提供一种阵列基板及显示面板，通过减薄与导通孔相邻的狭缝处栅极绝缘层和钝化层的厚度，避免像素电极断裂。
[0006]为实现上述目的，本申请第一方面的实施例提供一种阵列基板，包括：
[0007]基板；以及
[0008]栅极绝缘层，位于所述基板表面；
[0009]钝化层，位于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，且设有导通孔；
[0010]像素电极，位于所述钝化层表面，且通过所述导通孔与所述钝化层所覆盖的金属层连接，所述像素电极具有若干狭缝，在与所述导通孔相邻的所述狭缝处，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为第一厚度，在与所述导通孔相邻的所述狭缝和所述导通孔之间，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为第二厚度，所述第一厚度大于零且小于所述第二厚度。
[0011]可选地，所述第二厚度由所述导通孔向相邻的所述狭缝逐渐减小。
[0012]可选地，所述阵列基板设有开口区和非开口区，所述像素电极、所述导通孔和所述狭缝位于所述开口区，在所述开口区内、且避开所述导通孔及与其相邻的所述狭缝之间的区域，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和均等于所述第一厚度。
[0013]可选地，所述阵列基板设有开口区和非开口区，所述像素电极、所述导通孔和所述狭缝位于所述开口区，在所述开口区内、且避开所述导通孔、与所述导通孔相邻的所述狭缝以及所述导通孔和相邻狭缝之间的区域，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为零。
[0014]可选地，所述狭缝处的所述栅极绝缘层的厚度小于所述像素电极处的所述栅极绝缘层的厚度，所述狭缝处所述钝化层的厚度小于或等于所述像素电极处所述钝化层的厚度。
[0015]可选地，所述狭缝处所述栅极绝缘层的厚度等于所述像素电极处所述栅极绝缘层的厚度，所述狭缝处的所述钝化层的厚度小于所述像素电极处所述钝化层的厚度。
[0016]可选地，所述栅极绝缘层在所述狭缝处断开设置，所述狭缝处的所述钝化层的厚度小于或等于所述像素电极处的所述钝化层的厚度。
[0017]可选地，所述狭缝处所述栅极绝缘层的厚度小于或等于所述像素电极处所述栅极绝缘层的厚度，所述钝化层在所述狭缝处断开设置。
[0018]可选地，所述阵列基板还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述基板与所述栅极绝缘层之间，所述第一金属层具有第一锥形剖面形状且具有小于 20
°
的锥角，所述第一金属层的厚度小于
[0019]可选地，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述栅极绝缘层与所述钝化层之间，所述第二金属层具有第二锥形剖面形状且具大于 20
°
小于30
°
的锥角。
[0020]可选地，所述阵列基板还包括有源层，所述有源层位于所述栅极绝缘层与所述第二金属层之间，所述有源层的厚度大于10nm小于20nm。
[0021]本申请第二方面的实施例提供一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板。
[0022]本申请提供的一种阵列基板及显示面板，通过减薄与导通孔相邻的狭缝处栅极绝缘层和钝化层的厚度，降低导通孔处像素电极的高低落差，以避免像素电极断裂。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本申请实施例一提供的阵列基板的结构示意图；
[0025]图2为本申请实施例一提供的第一种阵列基板沿图1中C
‑
C的剖视图；
[0026]图3为本申请实施例一提供的第二种阵列基板沿图1中C
‑
C的剖视图；
[0027]图4为本申请实施例一提供的第三种阵列基板沿图1中A
‑
A的剖视图；
[0028]图5为本申请实施例三提供的第四种阵列基板沿图1中A
‑
A的剖视图；
[0029]图6为本申请实施例三提供的第五种阵列基板沿图1中A
‑
A的剖视图；
[0030]图7为本申请实施例四提供的第六种阵列基板沿图1中A
‑
A的剖视图；
[0031]图8为本申请实施例六提供的第七种阵列基板沿图1中A
‑
A的剖视图；
[0032]图9为本申请实施例七提供的显示面板的结构示意图。
[0033]附图标记：
[0034]1、像素电极；2、第一金属层；3、第二金属层；
[0035]4、钝化层；5、栅极绝缘层；6、基板；7、有源层；
[0036]101、阵列基板；102、第一取向层；103、液晶层；
[0037]104、第二取向层；105、公共电极；106、彩膜基板；
[0038]d、狭缝d；D、导通孔；b、非开口区；B、开口区；
[0039]α、第一锥角；β、第二锥角。
具体实施方式
[0040]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0041]本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：基板；以及栅极绝缘层，位于所述基板表面；钝化层，位于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，且设有导通孔；像素电极，位于所述钝化层表面，且通过所述导通孔与所述钝化层所覆盖的金属层连接，所述像素电极具有若干狭缝，其特征在于，在与所述导通孔相邻的所述狭缝处，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为第一厚度，在与所述导通孔相邻的所述狭缝和所述导通孔之间，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为第二厚度，所述第一厚度大于零且小于所述第二厚度。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二厚度由所述导通孔向相邻的所述狭缝逐渐减小。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板设有开口区和非开口区，所述像素电极、所述导通孔和所述狭缝位于所述开口区，在所述开口区内、且避开所述导通孔及与其相邻的所述狭缝之间的区域，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和均等于所述第一厚度。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板设有开口区和非开口区，所述像素电极、所述导通孔和所述狭缝位于所述开口区，在所述开口区内、且避开所述导通孔、与所述导通孔相邻的所述狭缝以及所述导通孔和相邻狭缝之间的区域，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为零。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述狭缝处的所述栅极绝缘层的厚度小于所述像素电极处的所述栅极绝缘层的厚度，所述狭缝处所述钝化层的厚度小于或等于所述像素电极处所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙松，卢劲松，熊钦，洪文进，郑浩旋，
申请(专利权)人：重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：