【技术实现步骤摘要】
一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板
[0001]本技术涉及液晶显示
,具体为一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板。
技术介绍
[0002]目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中,非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料,以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点,具有替代a
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Si的潜力。较a
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Si TFT相比,IGZO
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TFT的载流子迁移率可以达到10~30cm2/V
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S,大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是,IGZO制程和现有的a
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Si生产线具有很好的兼容性,较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。
[0003]现有的In
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Cell技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法,从而实现触摸面板部件与液晶面板一体化的设计。在Array制程方面,以ITO等透明材料作为公共电极和像 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可降低CH孔接触阻抗的阵列基板,包括基板(1),其特征在于:所述基板(1)上端形成有栅极(2),所述基板(1)上端和栅极(2)上端均形成有栅极绝缘层(3),所述栅极绝缘层(3)上端且位于右侧所述栅极(2)处形成有有源层(4),所述栅极绝缘层(3)上端和有源层(4)上端均形成有刻蚀阻挡层(5),所述刻蚀阻挡层(5)上蚀刻有刻蚀阻挡层孔和电源插孔,所述刻蚀阻挡层(5)上端形成有源漏极(6),所述源漏极(6)上端覆盖有第一绝缘层(7),所述第一绝缘层(7)上端涂布有有机平坦层(8),所述有机平坦层(8)上形成有有机平坦层孔,所述有机平坦层(8)上端形成有触控金属层(9),所述有机平坦层(8)上端和触控金属层(9)上端均沉积有第二绝缘层(10),所述第二绝缘层(10)上且位于触控金属层(9)处干刻有第二绝缘层孔,所述第二绝缘层(10)上端且位于第二绝缘层孔处沉积有公共电极层(11),所述公共电极层(11)通过第二绝缘层孔与触控金属层(9)搭接,所述第二绝缘层(10)上端和公共电极层(11)上端均沉积有第三绝缘层(12),所述第三绝缘层(12)上形成有第三绝缘层孔,所述第三绝缘层(12)上端沉积有纯钼金属层(13),所述第三绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟,陈鑫,朱书纬,潜垚,李澈,
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司,
类型:新型
国别省市:
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