【技术实现步骤摘要】
一种用于提纯高纯碳粉的工艺
[0001]本专利技术属于冶炼金属
,涉及一种用于提纯高纯碳粉的工艺。
技术介绍
[0002]第三代半导体晶园以碳化硅作为衬底材料,高纯碳化硅粉体由高纯碳粉加高纯硅粉制成,其要求高碳粉的纯度需达到99.999%以上、微量杂质磞元素的含量小于0.01ppm,故国内许多供应商为了提高碳粉纯度、降低杂质含量,采用了添加氟利昂、氯气等酸碱法进行碳粉提纯,该方式不仅成本昂贵,还容易造成大气环境严重污染,故此,本专利技术提供一种用于提纯高纯碳粉的工艺以解决上述问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于针对现有技术存在的问题,提供一种用于提纯高纯碳粉的工艺,能够解决现有碳粉提纯方式成本昂贵、容易造成大气环境污染,且提纯效果不佳的问题。
[0004]为此,本专利技术采取以下技术方案:一种用于提纯高纯碳粉的工艺,包括如下步骤:a.将块状石墨粉粹至粒度为400
‑
500目后,按1:0.2比例加入卤族络盐,并搅拌均匀;b.将步骤b中的混合物倒入提纯炉中,依次开 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于提纯高纯碳粉的工艺,其特征在于,包括如下步骤:a.将块状石墨粉粹至粒度为400
‑
500目后,按1:0.2比例加入卤族络盐,并搅拌均匀;b.将步骤b中的混合物倒入提纯炉中,依次开启真空泵和抽气阀开始对提纯炉内抽真空,直至真空度为
‑
320Pa时关闭真空泵和抽气阀;c.打开进气阀对提纯炉炉内充入氩气,直至炉内负压为0
‑
1Pa时,开始加热炉内物料,并开启排气阀;d.加热至温度为2400℃时,保温1小时,保温完毕...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔琳琳,孔杰,孔么乃,周付民,马丽娅,
申请(专利权)人:甘肃华瑞鸿程新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。