一种双面钙钛矿太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种双面钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述制备方法包括：a)在玻璃的两面溅射沉积氧化铟锡，形成双面导电基底；b)在双面导电基底的两面溅射沉积第一电荷传输层；c)将得到的复合层组以三步特定的速率浸入钙钛矿前驱体溶液中，浸泡；d)将浸泡后的复合层组采用平面托举从钙钛矿前驱体溶液中托举出来，退火，在所述复合层组的两面形成钙钛矿活性层；托举过程以三步特定的速率上升；e)在所述钙钛矿活性层的表面溅射沉积第二电荷传输层后，退火；f)在得到的第二电荷传输层的表面溅射沉积导电电极，得到双面钙钛矿太阳能电池。所述双面钙钛矿太阳能电池厚度均一性较优，发电功率较高且节约成本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种双面钙钛矿太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种双面钙钛矿太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]双面组件能有效提升发电量、降低系统LCOE，相比传统单面组件具有不可比拟的优势。但是对于双面组件来说，一次制备膜层均匀的双面钙钛矿及传输层是具有挑战的。双面组件膜层不均匀，导致组件最终输出总体功率不同，通常双面组件系统失配是常规组件的3倍以上，这就要求各个膜层制备的更加均匀，较好的均匀性会在系统设计和组串接入逆变器时尽量避免不一致造成的失配损失。目前双面组件制备常采用的是一次浸泡提拉法，在浸泡提拉过程中玻璃上下膜层均匀性差异较大，由于电池的串联结构导致整体光电转换效率较低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种双面钙钛矿太阳能电池及其制备方法，本专利技术采用平面托举法制备的双面钙钛矿太阳能电池的厚度均一性较优，发电功率较高，且节约成本。
[0004]本专利技术提供了一种双面钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：a)在玻璃的两面溅射沉积氧化铟锡，形成双面导电基底；b)在所述双面导电基底的两面溅射沉积第一电荷传输层；c)将步骤b)得到的复合层组先以14～16mm/s的速率下降，再以7～9mm/s的速率下降，最后以3～5mm/s的速率浸入钙钛矿前驱体溶液中，进行浸泡；d)将所述浸泡后的复合层组采用平面托举的方式从所述钙钛矿前驱体溶液中托举出来，进行退火，在所述复合层组的两面形成钙钛矿活性层；所述托举的过程包括：先以1～3mm/s的速率上升，再以7～9mm/s的速率上升，最后以14～16mm/s的速率上升；e)在所述钙钛矿活性层的表面溅射沉积第二电荷传输层后，退火；f)在得到的第二电荷传输层的表面溅射沉积导电电极，得到双面钙钛矿太阳能电池。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中，所述溅射沉积的方法为立式磁控溅射法；在玻璃的两面溅射沉积氧化铟锡的参数包括：本底真空度<4
×
10
‑4Pa，靶基距为15～80cm，溅射功率为140～500W，Ar气与O2的流量比为30～55：1；所述氧化铟锡沉积的厚度为120～200nm；所述双面导电基底的光学透过率为80％～90％，电阻为5～20Ω。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中，所述溅射沉积的方法为立式磁控溅射法；所述第一电荷传输层为电子传输层或空穴传输层；所述电子传输层的材质包括TiO2、ZnO或CdS；所述空穴传输层的材质为NiOx。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述双面导电基底的两面溅射沉积电子传输层的参数包括：本底真空度<4
×
10
‑4Pa；靶基距为10～65cm，溅射功率为100～350W，Ar气与O2的流量比为20～75：1；所述电子传输层的厚度为15～50nm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中，先以14～16mm/s的速率下降1.2～1.5m...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梦洁，赵志国，赵东明，秦校军，丁坤，刘家梁，熊继光，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：