一种AgI/GO/UCN光催化剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种AgI/GO/UCN光催化剂及其制备方法和应用。AgI/GO/UCN光催化剂由AgI纳米颗粒、GO片层和超薄g

【技术实现步骤摘要】
一种AgI/GO/UCN光催化剂及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及光催化
，更具体的，涉及一种AgI/GO/UCN光催化剂及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]目前，石墨相氮化碳(g
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C3N4)因具有可见光响应、制备方法简单、原材料价格低廉以及电子性能可控等优点，在光催化领域有着广阔的应用前景。但通过传统热缩聚法制备的g
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C3N4比表面积小，在光催化过程中不能与污染物充分接触，对污染物的降解效率低。同时g
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C3N4在光催化过程存在光致电子
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空穴对快速复合的问题，导致其光催化效率大幅度降低，限制了g
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C3N4的广泛应用。
[0003]为解决g
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C3N4的上述问题，研究人员采取了不同手段对块状g
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C3N4进行改性，这些改性方法主要包括：(1)对形貌的调控，扩大比表面积；(2)元素掺杂及共聚和改性；(3)g
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C3N4和其他光催化材料复合。r/>[0004]目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种AgI/GO/UCN光催化剂，其特征在于，由AgI纳米颗粒、GO片层和超薄g
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C3N4纳米片复合制得；所述超薄g
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C3N4纳米片的片层厚度为4～7nm；所述AgI纳米颗粒、GO片层与超薄g
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C3N4纳米片的质量比为(0.1～0.5)∶(0.01～0.05)∶1。2.根据权利要求1所述AgI/GO/UCN光催化剂，其特征在于，所述AgI纳米颗粒、GO片层与超薄g
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C3N4纳米片的质量比为0.3∶0.04∶1。3.根据权利要求1所述AgI/GO/UCN光催化剂，其特征在于，所述AAgI纳米颗粒的平均粒径为30～50nm。4.根据权利要求1所述AgI/GO/UCN光催化剂，其特征在于，所述GO片层的片层厚度为0.8～1.2nm。5.权利要求1～4任一项所述AgI/GO/UCN光催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将GO片层分散于溶剂中，经超声处理，得到GO分散液；将超薄g
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【专利技术属性】
技术研发人员：李冬梅，刘小勇，张天悦，邓紫珞，廖隽宇，张雪强，黄毅，龙思宇，罗霖昀，蒋树贤，陈海强，廖志成，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：