具有电源极性反接保护的电路制造技术

一种具有电源极性反接保护的电路，它将保护用场效应管与被保护电路中元件的衬底相连接。保护用场效应管为ＰＭＯＳ场效应管或ＮＭＯＳ场效应管。若为ＰＭＯＳ，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中ＰＭＯＳ元件的衬底。若是ＮＭＯＳ，其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中ＮＭＯＳ元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有电源极性反接保护的电路，其特征在于，所述电路包括ＮＭＯＳ元件、ＰＭＯＳ元件及寄生二极管，还设有一保护用场效应管，其中所述保护用场效应管为ＰＭＯＳ场效应管，并与所述电路中的ＰＭＯＳ元件相连接，所述ＰＭＯＳ场效应管的源极连接至电源端，其栅极连接至接地端，其漏极和衬底连接至所述电路中ＰＭＯＳ元件的衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦旭沅，林文启，
申请(专利权)人：点晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]