电压比较电路制造技术

提供一种耗电量更小的电压比较电路，包括：输入端子（ＩＮ１）与其栅极连接的ＦＥＴ（Ｑ１）；输入端子（ＩＮ２）与其栅极连接的ＦＥＴ（Ｑ２）；双稳态电路；ＡＮＤ电路（Ｇ）；和ＦＥＴ（Ｑ１１）。双稳态电路，供给作为比较的选通信号的脉冲信号（φ），在脉冲信号（φ）为低电平时输出端子（ＯＵＴ１、ＯＵＴ２）的逻辑值为高电平，ＡＮＤ电路（Ｇ）的输出为高电平，使ＦＥＴ（Ｑ１１）导通。在脉冲信号（φ）从低电平变为高电平时，对输入电压进行比较，对应于ＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２）的漏极电流的大小关系，输出端子（ＯＵＴ１、ＯＵＴ２）的其中之一变为低电平，ＡＮＤ电路（Ｇ）的输出为低电平，使ＦＥＴ（Ｑ１）截止。由于ＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２）的源极电流仅在进行比较操作的较短的期间内流动，故实现了耗电量的降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电压比较电路，特别是涉及耗电量低的电压比较电路。
技术介绍
近年来，在以便携终端等为代表的各种电子设备中，伴随高功能化、高性能化，所搭载的电路的数量增加，另一方面，小型轻量化的要求也提高，电路的省电处理成为主要的课题。电压比较电路广泛地用作各种电子电路的功能电路块。特别是多用于将模拟信号转换为数字信号的电路，即AD转换电路中。这样的电压比较电路的省电处理也不例外，通过电路方面的研制，降低消耗电流。比如，在专利文献1中，公开有低耗电量的电压比较电路。该电路由如图7所示的双重的触发电路(双锁存型)的电压比较器构成。下面对该电路进行详细说明。在图7中，电压比较电路，包括第1触发器，由1对交叉耦合的n型的场效应晶体管(以下称为“FET”)Q103、Q104构成；n型FET Q101，其源极及漏极分别与FET Q103的源极及漏极连接；和n型FET Q102，其源极及漏极分别与FET Q104的源极及漏极连接。另外，还包括第2触发器，由极性与第1触发器不同的1对交叉耦合的p型FET Q105、Q106构成；p型FET Q107，其源极及漏极分别与p型FET Q105的源极及漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压比较电路，其特征在于，包括：第１场效应晶体管，第１输入端子与其栅极连接；第２场效应晶体管，其源极与第１场效应晶体管连接，第２输入端子与其栅极连接；双稳态电路，该双稳态电路如下构成，被供给时钟信号，在上述时钟信 号为第１逻辑值时，第１输出端子的逻辑值和第２输出端子的逻辑值为相同的逻辑值，在上述时钟信号从上述第１逻辑值变为第２逻辑值时，对应于上述第１场效应晶体管的漏极电流和上述第２场效应晶体管的漏极电流之间的大小关系，上述第１输出端子的逻辑值和上述第２输出端子的逻辑值的其中之一变为不同的逻辑值；和电流控制电路，该电流控制电路如下进行控制，在上述...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：汤川彰，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]