校准方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本公开涉及一种校准方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，所述方法包括：根据目标温度下待校准带隙基准电路的带隙基准电压，确定所述待校准带隙基准电路中三极管的基射电压下降值随温度变化的电压温度系数；根据所述电压温度系数确定电压调整信息，所述电压调整信息用于实现对所述带隙基准电压的校准。本公开实施例无需针对每颗芯片进行温度扫描，仅需针对每颗芯片在室温下进行一次测试，即可得到对所述带隙基准电压进行校准的电压调整信息，可大幅减少VBG校准需要的时间和成本，降低了复杂度。了复杂度。了复杂度。

【技术实现步骤摘要】
校准方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质


[0001]本公开涉及集成电路
，尤其涉及一种校准方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]带隙基准(Bandgap Reference,BGR)电路的作用是产生基准电压。因为其基准电压在0开尔文度下等于硅的带隙电压，因而被称为带隙基准。带隙基准是模拟电路中的关键部件，广泛应用于模数转换器、传感器、物联网、可穿戴设备等领域。
[0003]目前，BGR电路在封装过程中，特别是封装后冷却过程中会受到封装应力的影响，从而影响BGR电路中三极管的基射电压VBE，使得BGR电路的温度系数恶化，造成BGR电路产生的基准电压精度降低。
[0004]受到封装应力影响后的VBG电压，不仅电压精度降低，温度系数也会大幅恶化。而且由于应力影响后的VBG电压随温度的变化往往是一组向左开口的曲线，已经不可能通过单温度点上的测试校准过程来进行工作温度范围内的温度系数校准，需要对工作温度范围进行扫描，测试每颗芯片的VBG电压与温度之间的关系，计算出温度系数，再进行校准。即便仅需对一阶温度系数校准也需要两个及以上温度点下的测试，加大了VBG温度系数校准的复杂度和成本。

技术实现思路

[0005]根据本公开的一方面，提供了一种校准方法，所述方法包括：
[0006]根据目标温度下待校准带隙基准电路的带隙基准电压，确定所述待校准带隙基准电路中三极管的基射电压下降值随温度变化的电压温度系数；
[0007]根据所述电压温度系数确定电压调整信息，所述电压调整信息用于实现对所述带隙基准电压的校准。
[0008]在一种可能的实施方式中，所述根据目标温度下待校准带隙基准电路的带隙基准电压，确定所述待校准带隙基准电路中三极管的基射电压下降值随温度变化的电压温度系数，包括：
[0009]确定所述带隙基准电压与预设带隙基准电压的带隙基准电压差，以得到所述基射电压下降值；
[0010]利用所述基射电压下降值、封装所述待校准带隙基准电路时开始冷却的温度、所述目标温度确定所述第一拟合系数；
[0011]利用所述第一拟合系数得到所述电压温度系数。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述利用所述基射电压下降值、封装所述待校准带隙基准电路时开始冷却的温度、所述目标温度确定所述第一拟合系数，包括：
[0013]利用如下公式确定所述第一拟合系数：
[0014]α＝
‑
Decline_VBE/K
T0
/(K
Tsp
–
K
T0
)，其中，α表示所述第一拟合系数，Decline_VBE表
示所述基射电压下降值，K
T0
表示所述目标温度T0对应的开尔文温度，K
Tsp
表示封装所述待校准带隙基准电路后该电路开始冷却的开尔文温度。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述利用所述第一拟合系数得到所述电压温度系数，包括：
[0016]利用所述第一拟合系数、所述目标温度及所述待校准带隙基准电路开始冷却的温度得到所述电压温度系数。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述利用所述第一拟合系数、所述目标温度及所述待校准带隙基准电路开始冷却的温度得到所述电压温度系数，包括：
[0018]利用如下公式得到所述电压温度系数：
[0019]S1＝α*(2*K
T0
‑
K
Tsp
)，其中，α表示所述第一拟合系数，K
T0
表示目标温度T0对应的开尔文温度，K
Tsp
表示封装所述待校准带隙基准电路后该电路开始冷却的开尔文温度。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述根据目标温度下待校准带隙基准电路的带隙基准电压，确定所述待校准带隙基准电路中三极管的基射电压下降值随温度变化的电压温度系数，包括：
[0021]对(抽样)的多个带隙基准电路的温度扫描曲线进行一次函数拟合，得到第二拟合系数；
[0022]利用所述带隙基准电压及所述第二拟合系数得到所述电压温度系数。
[0023]在一种可能的实施方式中，所述一次函数包括m*(K
T
+b)，其中，m表示第三拟合系数，K
T
表示测试温度点的开尔文温度，b表示所述第二拟合系数。
[0024]在一种可能的实施方式中，所述利用所述带隙基准电压及所述第二拟合系数得到所述电压温度系数，包括：
[0025]利用所述带隙基准电压与目标和之比得到所述电压温度系数，其中，所述目标和为所述目标温度的开尔文温度及所述第二拟合系数的和。
[0026]在一种可能的实施方式中，所述根据所述电压温度系数确定电压调整信息，包括：
[0027]根据所述电压温度系数确定所述待校准带隙基准电路中可调节电阻网络的电阻调整信息，所述电阻调整信息用于改变所述可调节电阻网络的电阻大小；和/或
[0028]根据所述电压温度系数确定所述待校准带隙基准电路中的电流调整信息，所述电流调整信息用于调整所述待校准带隙基准电路的电流。
[0029]在一种可能的实施方式中，所述根据所述电压温度系数确定所述待校准带隙基准电路中可调节电阻网络的电阻调整信息，包括：
[0030]根据所述电压温度系数、所述可调节电阻网络的单位调节电阻、所述待校准带隙基准电路中三极管的接地电阻的阻值及电子电量得到电阻调整变化信息；
[0031]根据初始电阻调整信息及所述电阻调整变化信息得到所述电阻调整信息，其中，所述初始电阻调整信息与预设带隙基准电压相关。
[0032]在一种可能的实施方式中，所述根据所述电压温度系数、所述可调节电阻网络的单位调节电阻、所述待校准带隙基准电路中三极管的接地电阻的阻值及电子电量得到电阻调整变化信息，包括：
[0033]根据如下公式得到所述电阻调整变化信息：
[0034]Deltacode＝round(
‑
Sl/(M*K
b
*ln(N)*RT_LSB/R/q))，其中，Deltacode表示所述
电阻调整变化信息，Sl表示所述电压温度系数，K
b
表示玻尔兹曼常数，RT_LSB表示所述可调节电阻网络的单位调节电阻，R表示所述待校准带隙基准电路中产生PTAT电流的电阻的阻值，q表示电子电量，N为待校准带隙基准电路中两个三极管的面积之比，M为所述可调电阻网络的电阻与产生PTAT电流的电阻上的电流之比。
[0035]在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0036]在所述目标温度下，对所述待校准带隙基准电路的可调节电阻网络的电阻进行调节，得到所述待校准带隙基准电路的带隙基准电压达到所述预设带隙基准电压时，所述可调节电阻网络对应的初始电阻调整信息。
[0037]在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0038]将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种校准方法，其特征在于，所述方法包括：根据目标温度下待校准带隙基准电路的带隙基准电压，确定所述待校准带隙基准电路中三极管的基射电压下降值随温度变化的电压温度系数；根据所述电压温度系数确定电压调整信息，所述电压调整信息用于实现对所述带隙基准电压的校准。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据目标温度下待校准带隙基准电路的带隙基准电压，确定所述待校准带隙基准电路中三极管的基射电压下降值随温度变化的电压温度系数，包括：确定所述带隙基准电压与预设带隙基准电压的带隙基准电压差，以得到所述基射电压下降值；利用所述基射电压下降值、封装所述待校准带隙基准电路时开始冷却的温度、所述目标温度确定第一拟合系数；利用所述第一拟合系数得到所述电压温度系数。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用所述基射电压下降值、封装所述待校准带隙基准电路时开始冷却的温度、所述目标温度确定所述第一拟合系数，包括：利用如下公式确定所述第一拟合系数：α＝
‑
Decline_VBE/K
T0
/(K
Tsp
–
K
T0
)，其中，α表示所述第一拟合系数，Decline_VBE表示所述基射电压下降值，K
T0
表示所述目标温度T0对应的开尔文温度，K
Tsp
表示封装所述待校准带隙基准电路后该电路开始冷却的开尔文温度。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一拟合系数得到所述电压温度系数，包括：利用所述第一拟合系数、所述目标温度及所述待校准带隙基准电路开始冷却的温度得到所述电压温度系数。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一拟合系数、所述目标温度及所述待校准带隙基准电路开始冷却的温度得到所述电压温度系数，包括：利用如下公式得到所述电压温度系数：S1＝α*(2*K
T0
‑
K
Tsp
)，其中，α表示所述第一拟合系数，K
T0
表示目标温度T0对应的开尔文温度，K
Tsp
表示封装所述待校准带隙基准电路后该电路开始冷却的开尔文温度。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据目标温度下待校准带隙基准电路的带隙基准电压，确定所述待校准带隙基准电路中三极管的基射电压下降值随温度变化的电压温度系数，包括：对多个带隙基准电路的温度扫描曲线进行一次函数拟合，得到第二拟合系数；利用所述带隙基准电压及所述第二拟合系数得到所述电压温度系数。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述一次函数包括m*(K
T
+b)，其中，m表示第三拟合系数，K
T
表示测试温度点的开尔文温度，b表示所述第二拟合系数。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述利用所述带隙基准电压及所述第二拟合系数得到所述电压温度系数，包括：利用所述带隙基准电压与目标和之比得到所述电压温度系...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦，
申请(专利权)人：北京士模微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：