用于分离半导体芯片的装置和用于通过使用其分离半导体芯片的方法制造方法及图纸

公开了用于将经由粘合构件而设置在基底构件上的半导体芯片从基底构件分离的装置和方法。所述方法包括：在基底构件的与其上设置有半导体芯片的一侧相反的一侧上提供推动构件，并且在与半导体芯片邻近的方向上移动推动构件的步骤；以及通过拾取单元将与推动构件一起移动的半导体芯片从基底构件分离的步骤。粘合构件和推动构件各自被磁化使得排斥力作用于彼此。于彼此。于彼此。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于分离半导体芯片的装置和用于通过使用其分离半导体芯片的方法


[0001]本专利技术要求于2020年2月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0014526号的申请日的权益，本专利技术中包括其全部内容。本专利技术涉及用于分离半导体芯片的装置和用于使用其分离半导体芯片的方法。

技术介绍

[0002]通常，在半导体制造过程中，以芯片水平对整体地附接在晶片上的数个半导体芯片进行切割的过程称为锯切过程，并且对于锯切过程，将用于固定待切割的半导体芯片的基底构件(所谓的切割胶带)附接至晶片的下表面。
[0003]将通过锯切过程而以芯片水平分离的各半导体芯片送至管芯附接过程，并且在管芯附接过程中，通过使用拾取单元等将各半导体芯片从基底构件分离并拾取，并且将其运送至电连接装置例如基板和引线框。
[0004]同时，根据近来趋势，半导体芯片的尺寸逐渐变得更小并且其厚度也变得更小。此外，根据这样的趋势，在半导体芯片与基底构件之间插入的管芯附接膜(Die Attach Flim，DAF)的厚度也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于将经由粘合构件而设置在基底构件上的半导体芯片从所述基底构件分离的方法，所述方法包括：在所述基底构件的与其上设置有所述半导体芯片的一侧相反的一侧上提供推动构件，并且在与所述半导体芯片邻近的方向上移动所述推动构件的步骤；以及通过拾取单元将与所述推动构件一起移动的所述半导体芯片从所述基底构件分离的步骤，其中所述粘合构件和所述推动构件各自被磁化使得排斥力作用于彼此。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述粘合构件和所述推动构件在其厚度方向上被磁化。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述推动构件的上表面小于所述半导体芯片的下表面。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述粘合构件为管芯附接膜(DAF)。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述管芯附接膜通过以下来制造：向包含聚合物的液体混合物提供磁性材料，将所述磁性材料磁化使得所述磁性材料在预定方向上取向，以及将所述液体混合物干燥。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述拾取单元通过在其中形成真空来吸取所述半导体芯片。7.一种用于将经由粘合构件而设置在基底构件上的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：金恩犯，金柱贤，李光珠，金丁鹤，张允宣，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：