一种离型膜和其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种离型膜和其制备方法。在所述离型膜中，基材和离型层依次定位，所述离型层的表面能为24dyne/cm以下，所述离型层包括有机

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种离型膜和其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种离型膜和其制备方法。

技术介绍

[0002]通常，有机硅系粘合剂(在下文中,这是指包括压敏粘合剂)具有耐热性、耐候性、柔韧性、耐化学性等特性，近来，其不仅用于一般工业胶带，还广泛用于移动电话、半导体和显示器等的IT领域等。
[0003]然而，由于使用有机硅系粘合剂的有机硅系离型膜完全层压于粘合剂并且不剥离，因此通常使用涂有含氟系树脂的离型剂的薄膜。含有氟系树脂的离型剂在固化后，由于残留固化剂，极易发生层间固化，剥离力和残余粘着率容易下降。
[0004]为了解决这些问题，仍然需要轻剥离性、残余粘着率和涂层外观优异的离型膜及其制备方法。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]本专利技术一方面提供一种轻剥离性、残余粘着率和涂层外观优异的离型膜。
[0007]本专利技术另一方面提供一种所述离型膜的制备方法。
[0008]技术方案
[0009]本专利技术一方面提供一种离型膜，其中，
[0010]基材和离型层依次定位，
[0011]所述离型层的表面能为24dyne/cm以下，
[0012]所述离型层包括有机
‑
无机颗粒，
[0013]在所述有机
‑
无机颗粒中，将包括含氟硅烷化合物的部分(moiety)引入到其表面上，
[0014]所述有机
‑
无机颗粒可以满足由下式1所示的F/Si元素的含量比(M
Fr/>/M
Si
)范围：
[0015]【式1】
[0016]0.1≤M
F
/M
Si
≤1.0
[0017]在式中，
[0018]M
F
可以为F元素的含量(原子％)，M
Si
可以为Si元素的含量(原子％)。
[0019]所述含氟硅烷化合物部分可以包括由以下化学式1所示的含氟硅烷化合物。
[0020]【化学式1】
[0021]*
‑
OSi(R
a
)(R
b
)(R
c
)
[0022]在式中，
[0023]R
a
和R
b
可以为取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基；
[0024]R
c
可以由以下化学式2所示，
[0025]*可以为与有机
‑
无机颗粒表面的结合位点。
[0026]【化学式2】
[0027][0028]在式中，
[0029]R
d
可以为氢原子或取代或未取代的C1
‑
C20烷基；
[0030]R
a
和R
b
可以为取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基；
[0031]R
f
可以为被氟取代的C4
‑
C20烷基；
[0032]n1可以为1至10的整数；
[0033]*可以为与Si原子的结合位点。
[0034]所述有机
‑
无机颗粒相对于含氟硅烷化合物的重量比可以为1：1至20：1。
[0035]在所述离型层中，与其表面不包括含氟硅烷化合物部分的有机
‑
无机颗粒相比，红外线光谱中1064cm
‑1至1066cm
‑1波数范围内的峰可以向右移动。
[0036]所述有机
‑
无机颗粒可以包括天然矿物；第1族至第4族、第11族至第12族、第14族和第16族至第18族元素的氧化物、氢氧化物、硫化物、氮化物或卤化物；碳酸盐、硫酸盐、醋酸盐、磷酸盐、亚磷酸盐、羧酸盐、硅酸盐、钛酸盐、硼酸盐或其水合物；以及选自其复合化合物的无机颗粒。
[0037]所述离型层可以进一步包括含有含氟聚硅氧烷的聚合物或共聚物。
[0038]所述含氟聚硅氧烷可以包括由以下化学式3所示的有机聚硅氧烷。
[0039]<化学式3>
[0040][0041]<化学式4>
[0042][0043]<化学式5>
[0044][0045]在式中，
[0046]R1可以为取代或未取代的C1
‑
C10的一价烃基，或取代或未取代的C2
‑
C10的烯基；
[0047]R2可以为取代或未取代的C1
‑
C10的一价烃基、取代或未取代的C2
‑
C10的烯基，或氢；
[0048]R3可以为由所述化学式4所示的含氟烷基、由所述化学式5所示的含氟醚基，或其组合；
[0049]n可以为1至8的整数，m可以为1至5的整数；
[0050]p可以为1至5的整数，q可以为0或1，r可以为0、1或2，并且v可以为1至5的整数；
[0051]A可以为氧原子或单键；
[0052]x、y和z分别可以为1以上的整数；
[0053]*可以为与相邻原子的结合位点；
[0054]其中，R1和R2中的至少一个可以为取代或未取代的C2～C10的烯基。
[0055]所述离型层可以进一步包括氢聚硅氧烷(hydrogen polysiloxane)和酸催化剂中的至少一种。
[0056]所述离型膜的剥离力可以为23gf/25mm以下。
[0057]所述离型膜的残余粘着率可以为90％以上。
[0058]本专利技术另一方面提供一种离型膜的制备方法，其包括：
[0059]准备基材；
[0060]添加并搅拌无机颗粒、含氟硅烷化合物和氨基硅烷系共反应剂，然后加热以准备有机
‑
无机颗粒；以及
[0061]将包括包括含氟聚硅氧烷的聚合物或共聚物、和有机
‑
无机颗粒的用于形成离型层的组合物涂覆在所述基材的至少一面上并干燥，以形成离型层来制备上述离型膜，
[0062]所述无机颗粒相对于含氟硅烷化合物的重量比为4：1至20：1。
[0063]所述加热可以在空气气氛下于60℃以上进行。
[0064]所述无机颗粒相对于含氟硅烷化合物的重量比可以为1：1至20：1。
[0065]有益效果
[0066]在根据一方面的离型膜中，所述离型层的表面能为24dyne/cm以下，所述离型层包括有机
‑
无机颗粒，在所述有机
‑
无机颗粒中，包括含氟硅烷化合物的部分(moiety)引入到其表面上，所述有机
‑
无机颗粒可以满足由所述式1所示的F/Si元素的含量比(M
F
/M
Si
)范围。所述离型膜可以提供一种轻剥离性、残余粘着率和涂层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种离型膜，其中，基材和离型层依次定位，所述离型层的表面能为24dyne/cm以下，所述离型层包括有机
‑
无机颗粒，在所述有机
‑
无机颗粒中，将包括含氟硅烷化合物的部分引入到其表面上，所述有机
‑
无机颗粒可以满足由下式1所示的F/Si元素的含量比(M
F
/M
Si
)范围：【式1】0.1≤M
F
/M
Si
≤1.0在式中，M
F
为F元素的含量(原子％)，M
Si
为Si元素的含量(原子％)。2.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述含氟硅烷化合物部分包括由以下化学式1所示的含氟硅烷化合物：【化学式1】*
‑
OSi(R
a
)(R
b
)(R
c
)在式中，R
a
和R
b
为取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基；R
c
由以下化学式2所示，*为与有机
‑
无机颗粒表面的结合位点，【化学式2】在式中，R
d
为氢原子或取代或未取代的C1
‑
C20烷基；R
e
和R
g
为取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基；R
f
为被氟取代的C4
‑
C20烷基；n1为1至10的整数；*为与Si原子的结合位点。3.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述有机
‑
无机颗粒相对于含氟硅烷化合物的重量比为1:1至20:1。4.根据权利要求1所述的离型膜，其中，在所述离型层中，与其表面不包括含氟硅烷化合物部分的有机
‑
无机颗粒相比，红外线光谱中1064cm
‑1至1066cm
‑1波数范围内的峰向右移动。5.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述有机
‑
无机颗粒包括天然矿物；第1族至第4族...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兑根，禹惠美，权畛于，李志勋，金贤喆，崔玲景，
申请(专利权)人：东丽尖端素材株式会社，
类型：发明
国别省市：