一种初始电路，接收多数个输入信号，且控制一具有多数个开关的切换电路的初始状态。该初始电路包括：一判断电路，根据该些输入信号之一，而产生一致能信号；以及一控制电路，根据该致能信号与该些输入信号，产生多数个控制信号。其中，当该切换电路在初始状态时，该控制电路依据该些控制信号使该些开关不导通，当该切换电路在操作状态时，该控制电路依据该些输入信号而决定该些开关是否导通。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于 一 种初始电路，特别是有关于桥式(bridge)切换电路的初始电路。
技术介绍
请参阅图1所示，为 一 传统全桥(full bridge) 切换电路l 0 0与一负载1 5 O的示意图。全桥切换 电路100包括开关110、 120、130、 14 0。负载l 5 O可包括风扇、电源转换器等。开关l 1 o与开关l 3 0为 P型金氧半导体(metal oxide semiconductor, MOS ) 晶体管，而开关l 2 O与幵关 1 4 O为N型金氧半导体晶体管，其中信号SA-SD分别 控制开关l 1 0、开关l 2 0、开关l 3 O以及开关 1 4 0是否导通。此外，开关l 1 0与开关1 2 O为 一互补式(complementary)开关组，而开关l 3 O与 开关l 4 0为另一互补式开关组。因此，开关l 1 0 与开关l 2 0不会同时导通，而开关l 3 O与开关l4 O亦不会同时导通。当全桥切换电路1 0 0在操作状态(operation status )时，信号SA-SD可控制开关1 1 0与开关1 4 O同时导通或是开关l 3 0与开关1 2 O同时导通， 以对负载1 5 0提供不同的电源路径。此外，当全桥 切换电路l 0 O在初始状态(initial status)曰寸， 一电源供应端提供电压VDD至全桥切换电路1 0 0 ， 而信号SA-S。尚未开始动作，信号SA-S。皆为低逻辑位 准。因此，开关l 1 0以及开关1 3 0导通，而开关 1 2 0以及开关1 4 0不导通。然而，在PMOS晶体管 (开关1 1 0 、1 3 0 )导通的情况下，虽然NMOS晶 体管(开关l 2 0、1 4 0)不导通，其仍有漏电 (leakage)路径存在而造成系统耗电。因此，需要 一 种初始电路，能在初始状态下控制 桥式切换电路内的全部开关皆不导通，并且在正常操 作状态下不会影响各开关的操作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供 一 种初始电路，其能在 初始状态下控制桥式切换电路内的全部开关皆不导 通，并且在正常操作状态下不会影响各开关的操作。本专利技术提供 一 种初始电路，接收多数个输入信号，且控制員有多数个开关的切换电路的初始状态。该初始电路包括判断电路，根据该些输入f言号之一 ，而产生致能信号;以及 一 控制电路，根据该致能信号与该些输入信号，产生多数个控制信号。其中，当该切换电路在初始状态时，该控制电路依据该些控制信号使该些开关不导通，当该切换电路在操作状态时，该控制电路依据该些输入信号而决定该些开关是否导通此外，本专利技术提供 一 种全桥切换电路，包括一第一互补式开关组，具有 一 第 一 开关以及 一 第二开关；第互补式开关组，具有 一 第三开关以及一第四开关以及初始电路，用以根据 一 第一 、第以及第四输入信号而产生 一 第 一 、第二 、第三以及第四控制信号以分别控制该第 一 、第二、第三以及第四开关。该初始电路包括一 判断电路，用以根据该第、第、第二以及第四输入信号的至少一者而产生致能信号以及一控制电路，用以根据该致能信号以及该第、第、第三以及第四输入信号而产生该第一、第、第二以及第四控制信号。其中，当该致能信号为第逻辑位准时，该第一、第二、第三以及第四开关不导通，以及当该致能信号为一第二逻辑位准时，该第、第二 、第三以及第四控制信号根据该匙输入信号分别控制该第一、第二、第三以及第四幵关再者，本专利技术提供一种半桥切换电路，包括:一第开关第开关以及 一 初始电路，用以根据第输入信号以及第一输入信号而产生一第控制信号以及第控制信号，以分别控制该第开关以及该第—开关该初始电路包括一判断电路，用以根据该第—输入信号以及该第二输入信号的至少者而产生致能信号以及一控制电路，用以根据该致能信号、该第输入信号以及该第二输入信号而产生该第控制信号以及该第二控制信号。其中，当该致能信号为一第逻辑位准时，该第一开关以及该第开关不导通，以及当该致能信号为逻辑位准时该第—控制信号以及该第二控制信号根据该些输入信号分别控制该第一开关以及该第-二开关t附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点、能更明显易懂下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下，其中:图1是显示传统全桥切换电路；图2是显示根据本专利技术 一 实施例所述的初始电路；图3是显示图2中初始电路的信号波形图； 图4是显示根据本专利技术另 一 实施例所述的半桥切 换电路；图5是显示图4中半桥切换电路的信号波形以及图6是显示根据本专利技术又 一 实施例所述的全桥切 换电路的初始电路。具体实施例方式请参阅图2 ，为本专利技术较佳实施例的初始电路20 0 c初始电路2 0 0根据全桥切换电路1 0 0 (如图1所不原来的控制信号SA-SD，而产生新的控制信号SA1-1 ，分别用以控制开关1 1 0 、12 0、 130与140。其中，初始电路2 0 0包括 一 判断电路2 1 0以及一控制电路2 2 0 。判断电路2 1 0包括一逻辑单元2 1 1、 二开关2 1 2与2 1 3、 一电阻2 1 4以及一电容2 1 5，其中开关2 1 2为NM0S曰 曰曰体管，而开关2 1 3为PM0S晶体管。控制电路2 20包括四个编码单元2 2 1-2 2 4，其中编码单元221与编码单元2 2 3具有相同的逻辑电路，而编码单元2 22与编码单元2 2 4具有相同的逻辑电路。此外，举例来说，输入信号SA-SD可以是脉宽调变(pulse width modulation)控制器所提供的脉冲信号。如图 2所显示，逻辑单元2 1 1为 一 或门(OR gate),可 根据输入信号SA-S。而产生信号S。接着，信号S,可 控制开关2 1 2以及开关2 1 3对电容2 1 5进行充 放电而产生致能信号SEA 。最后，控制电路2 2 0可根 据致能信号S^以及输入信号S「S。而产生新的控制信号 S a 1 - S d 1 。图3为图2中信号的波形图。在此实施例中，信 号Sa与信号Sb具有相同的波形，而信号Se与信号SD 具有相同的波形。在初始状态时(T 1期间)，信号S「SD 皆为低逻辑位准，则信号S,亦为低逻辑位准。因此， 开关2 1 3导通而开关2 1 2不导通。接着，电压VDD 经由开关2 1 3以及电阻2 1 4对电容2 1 5进行充 电，使得致能信号SeA会慢慢增加电压至高逻辑位准。 对编码单元2 2 2以及编码单元2 2 4而言，当致能 信号SeA为高逻辑位准时，无论信号Sb以及信号S。为 高或低逻辑位准，信号Sb,以及信号S。，皆为低逻辑位 准，因此图l中的开关l 2 0以及开关1 4 0皆不会 导通。相似地，对编本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种初始电路，接收多数个输入信号，且控制一具有多数个开关的切换电路的初始状态，其特征在于，该初始电路包括： 一判断电路，根据该些输入信号之一，而产生一致能信号；以及 一控制电路，根据该致能信号与该些输入信号，产生多数个控制信号， 其中，当该切换电路在初始状态时，该控制电路依据该些控制信号使该些开关不导通，当该切换电路在操作状态时，该控制电路依据该些输入信号而决定该些开关是否导通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈力辅，李智顺，陈嘉兴，
申请(专利权)人：硕颉科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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