一种用于含软质金属结构的元器件截面磨抛清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种用于含软质金属结构的元器件截面磨抛清洗方法，步骤包括：使用环氧树脂对待制样元器件进行灌封，待树脂固化后将样品切割接近至待观测面；使用SiC磨料湿磨砂纸进行第一步研磨；依次使用牌号为(2～3)N目和(4～6)N目的SiC磨料湿磨砂纸分别进行第二步和第三步研磨；依次使用粒径为3μm和1μm氧化铝悬浮液或金刚石悬浮液，用抛光布对研磨后样品进行第一步和第二步抛光；使用粒度为0.02～0.1um氧化铝溶胶或二氧化硅溶胶抛光液，用抛光布对样品进行第三步抛光，并将抛光后样品放入L2磨抛清洗剂进行超声清洗。本发明专利技术解决了软质金属结构位置剖面嵌杂影响检查效果的问题，提高了相关试验的准确性与效率。提高了相关试验的准确性与效率。提高了相关试验的准确性与效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于含软质金属结构的元器件截面磨抛清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种用于含软质金属结构的元器件截面磨抛清洗方法，属于焊料或软质有色金属去杂


技术介绍

[0002]对元器件进行截面磨抛制样，是检查元器件内部结构、镀层质量及界面间结合状态的最有效原位检测方法之一，在元器件可靠性分析领域有不可替代的作用。元器件的种类多样、结构复杂，采用机械研磨抛光的方法对元器件内部异种材料结合界面进行截面制样时，容易导致磨抛料或碎屑在元器件截面的软质金属结构位置堆积嵌杂，影响截面检查效果。其中典型元器件结构包括陶瓷基板高铅引出端封装FPGA(Field Programmable Gate Array)器件与铜包铝轻量化线缆压接端子，上述两种元器件的观察截面均存在低硬度的高铅焊料或铝线芯材料。
[0003]宇航用高可靠FPGA器件多采用陶瓷基板的BGA/CCGA引出封装结构，通过陶瓷基板内部金属布线连接至外部高铅焊球/焊柱阵列实现引出，该处焊球/ 焊柱为高铅焊料(Pb90Sn10、Pb95Sn5等)材质。为评价器件结构合理性与工艺可靠性，常本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于含软质金属结构的元器件截面磨抛清洗方法，其特征在于，步骤包括：S1、使用环氧树脂对待制样元器件进行灌封，待树脂固化后将样品切割接近至待观测面；S2、使用320～400目的SiC磨料湿磨砂纸进行第一步研磨，将样品研磨至距元器件待观测截面约0.2～0.5mm处；S3、依次使用牌号为(2～3)N目和(4～6)N目的SiC磨料湿磨砂纸分别进行第二步和第三步研磨，并将研磨后样品放入L1磨抛清洗剂进行超声清洗；清洗后样品在金相显微镜下检查，元器件截面软质金属区域内，没有相应砂纸粒径的研磨料或陶瓷碎屑嵌杂颗粒即为清洗效果良好；如未达到清洗效果，则需重复30s的L1磨抛清洗剂研磨清洗、超声清洗与检查操作，直至达到良好清洗效果；第三步研磨后应到达元器件待观测截面位置；S4、依次使用粒径为3μm和1μm氧化铝悬浮液或金刚石悬浮液，用抛光布对研磨后样品进行第一步和第二步抛光；并将抛光后样品放入L2磨抛清洗剂进行超声清洗；清洗后样品在金相显微镜下检查，软质金属区域没有相应抛光颗粒的嵌杂即为清洗效果良好；如未达到清洗效果，则需重复30s的L2磨抛清洗剂抛光清洗、超声清洗与检查操作，直至达到良好清洗效果；S5、使用粒度为0.02～0.1um氧化铝溶胶或二氧化硅溶胶抛光液，用抛光布对样品进行第三步抛光，并将抛光后样品放入L2磨抛清洗剂进行超声清洗，清洗后样品使用高压气枪吹干或镜头纸擦干。2.根据权利要求1所述的一种用于银铜铝压接端子截面的磨抛清洗方法，其特征在于，S1中，将样品切割接近至待观测面时，刀具转速为2000～3000r/min，刀具进给速度：金属材质的刀具进给速度不大于3mm/min，陶瓷材质的刀具进给速度不大于1mm/min。3.根据权利要求1所述的一种用于银铜铝压接端子截面的磨抛清洗方法，其特征在于，L1磨抛清洗剂质量百分比为：70％～8...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹瑞，倪晓亮，吴亚宁，王旭，孟猛，王智彬，
申请(专利权)人：中国空间技术研究院，
类型：发明
国别省市：