一种无机-有机杂化化合物晶体K制造技术

本申请包括一种无机

【技术实现步骤摘要】
一种无机
‑
有机杂化化合物晶体K
10
Cu9I7L
12
·
xH2O及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于有机
‑
无机杂化半导体材料领域，具体涉及一种无机
‑
有机杂化化合物晶体及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着现代社会的高速发展，人们对环境安全的要求也越来越高。所以，可对环境危害类气体分子如硫化物、氮化物等实现灵敏、精准检测性能的材料应运而生，开发新型的气敏材料也就变得尤为重要。基于半导体材料的化学阻抗型气敏材料因其性能优异、易携带、价廉等优势受到了广泛的研究和关注。如经典的二维硫属杂化半导体材料，可经有机配体配位修饰，制备成无机
‑
有机杂化材料，通过对有机官能团的设计实现对特定气体的高选择性、高灵敏度检测(Z.
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H.Fu,et al.,Chinese J.Struct.Chem.,2020,12,2011
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3023；Y.Wen,et al.,Angew.Chem.In本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无机
‑
有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述的无机
‑
有机杂化化合物晶体化学式为K
10
Cu9I7L
12
·
xH2O；其中，1≤x≤3；L为异烟酸。2.根据权利要求1所述的无机
‑
有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机
‑
有机杂化化合物具有三维结构；Cu2I2簇单元通过铜
‑
碘配位形成一维铜碘链，一维铜碘链还通过铜原子桥联形成无机铜碘二维层，在钾
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异烟酸骨架内，铜与异烟酸上的吡啶氮配位，形成二维层状碘化亚铜同时存在。3.根据权利要求1所述的无机
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有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机
‑
有机杂化化合物属于正交晶系，空间群为Pbcn。4.根据权利要求1所述的无机
‑
有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机
‑
有机杂化化合物晶体的晶胞参数为化合物晶体的晶胞参数为α＝β＝γ＝90
°
，Z＝4。5.根据权利要求1所述的无机
‑
有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机
‑
有机杂化化合物晶体的晶胞参数为化合物晶体的晶胞参数为α＝β＝γ＝90
°
，Z＝4。6.根据权利要求1所述的无机
‑
有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机
‑
有机杂化化合物具有420nm波长的可见光下的光电响应和温度可调的导电率。7.根据权利要求1所述的无机
‑
有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机
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有机杂化化合物在可见光下光电流响应范围为2
×
10
‑9～6
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆锋，谭彬，黄小荥，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：