用于多平面读取操作的功率管理制造技术

本发明专利技术描述了用于管理存储器设备中的功率消耗的装置和技术。当接收到多平面读取命令时，控制电路确定由该读取命令识别的块被完全编程还是部分编程。如果其被完全编程，则在将共同读取通过电压施加到相应块的未编程字线时执行该读取命令。如果该块并非全部被完全编程，则该控制电路确定最后编程的字线。如果每个块中的该最后编程的字线不相等，则在将基础读取通过电压施加到一个或多个较高编程的块的该未编程字线并且将较低读取通过电压施加到一个或多个较低编程的块的该未编程字线时执行该读取命令。执行该读取命令。执行该读取命令。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于多平面读取操作的功率管理

技术介绍

[0001]本技术涉及存储器设备的操作。
[0002]半导体存储器设备已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。
[0003]电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可以用于此类存储器设备中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3D)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BiCS)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。
[0004]存储器设备包括存储器单元，这些存储器单元可被串联布置成NAND串(例如，NAND链)，例如，其中选择栅极晶体管设置在NAND串的末端以选择性地将NAND串的沟道连接到源极线或位线。然而，在操作此类存储器设备时存在各种挑战。
附图说明
[0005]图1A是示例存储器设备的框图。
[0006]图1B示出了图1A的温度感测电路116的示例。
>[0007]图2是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，所述装置包括：布置在一个或多个管芯(108)上的多个平面(P0
‑
P3)；布置在所述多个平面中的存储器单元(703
‑
714,723
‑
734,743
‑
754,763
‑
774)的多个块(B0
‑
0至B0
‑
n
‑
1、B1
‑
0至B1
‑
n
‑
1、B2
‑
0至B2
‑
n
‑
1、B3
‑
0至B3
‑
n
‑
1)，所述多个块包括布置在每个平面中的相应块，每个相应块包括连接到一组字线(WL0
‑
WL95)的一组存储器单元，每个相应块中的所述一组字线包括编程字线和未编程字线；和控制电路(110,122)，所述控制电路被配置为：接收识别每个相应块的选定字线(WLn)的读取命令，并且响应于所述读取命令，识别每个相应块的最后编程的字线，并且确定每个相应块的所述最后编程的字线是否相等；如果每个相应块的所述最后编程的字线相等，则通过将控制栅极读取电压(Vcgr)施加到所述选定字线并且将相同基线读取通过电压(Vread_UP_base)施加到每个相应块的所述未编程字线来读取所述相应块的所述选定字线；并且如果每个相应块的所述最后编程的字线不相等，则基于所述相应块的所述最后编程的字线识别所述相应块中的一个或多个较少编程的块和所述相应块中的一个或多个较多编程的块，并且通过将控制栅极读取电压施加到所述选定字线同时将低于所述相同基线读取通过电压的较低读取通过电压(Vread_UP_L1、Vread_UP_L2、Vread_UP_L3)施加到所述一个或多个较少编程的块的所述未编程字线来读取所述相应块的所述选定字线。2.根据权利要求1所述的装置，其中：当所述较少编程的块的数量相对较高时，所述较低读取通过电压相对较低。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中：当所述较少编程的块的所述未编程字线的数量相对较高时，所述较低读取通过电压相对较低。4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中：当所述相应块的所述未编程字线的数量相对较高时，所述相同基线读取通过电压相对较低。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中：所述控制电路被配置为执行多个编程循环，每个编程循环以编程顺序对每个相应块中的一个字线进行编程，使得所述一个或多个较少编程的块的所述最后编程的字线是在所述编程顺序中远离所述一个或多个较多编程的块的所述最后编程的字线的一个字线。6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中：所述选定字线是除所述相应块中的所述最后编程的字线之外的编程字线。7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，还包括：温度感测电路(116)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：连佑中，T，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：