铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜-陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法技术

铜

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铜
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陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜
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陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及通过接合由铜或铜合金构成的铜部件和由含氮陶瓷构成的陶瓷部件而成的铜
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陶瓷接合体、在由含氮陶瓷构成的陶瓷基板的表面接合由铜或铜合金构成的铜板而成的绝缘电路基板、铜
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陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法。
[0002]本申请基于2019年12月2日于日本申请的特愿2019
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217926号及2020年11月24日于日本申请的特愿2020
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194519号要求优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0003]功率模块、LED模块及热电模块具有如下结构：在绝缘层的一面形成由导电材料构成的电路层的绝缘电路基板上，接合有功率半导体元件、LED元件及热电元件。
[0004]例如，为了控制风力发电、电动汽车、油电混合汽车等而使用的大功率控制用的功率半导体元件在工作时的发热量多，因此，作为搭载该功率半导体元件的基板，一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种铜
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陶瓷接合体，通过接合由铜或铜合金构成的铜部件及由含氮陶瓷构成的陶瓷部件而成，其特征在于，在所述铜部件与所述陶瓷部件之间，在所述陶瓷部件侧形成有活性金属氮化物层，所述活性金属氮化物层包含选自Ti、Zr、Nb及Hf中的一种以上的活性金属的氮化物，在该活性金属氮化物层与所述铜部件之间形成有在Cu的母相中固溶了Mg的Mg固溶层，在所述活性金属氮化物层的内部分散有由Cu粒子及Cu与活性金属的化合物粒子中的任一者或两者构成的含Cu粒子。2.根据权利要求1所述的铜
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陶瓷接合体，其特征在于，所述含Cu粒子的粒径在10nm以上且100nm以下的范围内。3.根据权利要求1或2所述的铜
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陶瓷接合体，其特征在于，在所述活性金属氮化物层的内部存在Mg。4.根据权利要求1至3中任一项所述的铜
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陶瓷接合体，其特征在于，从所述陶瓷部件侧界面起到所述活性金属氮化物层的总厚度的25％位置的区域的平均铜浓度C1(原子％)与从所述铜部件侧界面起到所述活性金属氮化物层的总厚度的25％位置的区域的平均铜浓度C2(原子％)之比C2/C1为0.8以下。5.一种绝缘电路基板，通过在由含氮陶瓷构成的陶瓷基板的表面接合由铜或铜合金构成的铜板而成，其特征在于，在所述铜板与所述陶瓷基板之间，在所述陶瓷基板侧形成有活性金属氮化物层，所述活性金属氮化物层包含选自Ti、Zr、Nb及Hf中的一种以上的活性金属的氮化物，在该活性金属氮化物层与所述铜板之间形成有在Cu的母相中固溶了Mg的Mg固溶层，在所述活性金属氮化物层的内部分散有由Cu粒子及Cu与活性金属的化合物粒子中的任一者或两者构成的含Cu粒子。6.根据权利要求5所述的绝缘电路基板，其特征在于，所述含Cu粒子的粒径在10nm以上且100nm以下的范围内。7.根据权利要求5或6所述的绝缘电路基板，其特征在于，在所述活性金属氮化物层的内部存在Mg。8.根据权利要求5至7中任一项所述的绝缘电路基板，其特征在于，从所述陶瓷基板侧界...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺崎伸幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：