【技术实现步骤摘要】
采样保持结构、控制器、交流转直流开关电源及采样方法
[0001]本专利技术涉及开关电源
，更具体地，涉及采样保持结构、控制器、交流转直流开关电源及采样方法。
技术介绍
[0002]原边反馈(PSR)方式的AC—DC控制技术，与传统的副边反馈开关电源机构结构相比，其最大的优势在于省去了隔离反馈器件，这样就节省了电路板上的空间，降低了成本并且提高了系统的可靠性，因此广泛应用于中小功率的充电器、适配器和LED驱动。
[0003]图1为现有技术的原边反馈AC
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DC电源的结构框图。如附图1所示，所述原边反馈AC
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DC驱动电源包括整流桥BR、输入电容Cin、启动电阻R4、供电整流二极管D1、供电电容C1、上分压电阻R1和下分压电阻R2、控制器、变压器200、功率管N1、电流侦测电阻Rcs、肖特基整流管D2、输出电容Cout；其中,所述变压器包括原边绕组Np、辅助绕组Na以及次级绕组Ns；上分压电阻R1和下分压电阻R2构成取样电路，所述FB引脚为变压器的辅助绕组Na电压反馈引入脚，并从...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种采样保持结构，其特征在于，包括充电模块、放电模块、控制模块和采样模块，所述放电模块包括储能元件和放电单元，所述充电模块用于对所述放电模块的储能元件的充电，所述放电单元用于对储能元件放电，所述采样模块用于采集交流转直流开关电源的变压器的辅助绕组的反馈端的电压，所述控制模块用于在变压器次边消磁时间的设定比例处发送采样信号给采样模块，所述设定比例与充电模块对储能元件充电时的充电电流和放电单元对储能元件放电时的放电电流的比值呈正比。2.根据权利要求1所述的采样保持结构，其特征在于，所述充电模块包括第一电流镜、第一恒压源和第一开关，所述第一恒压源用于使得交流转直流开关电源的反馈端的电压恒定，采集交流转直流开关电源的变压器的辅助绕组的输出电流，所述第一电流镜放大所述输出电流，所述第一开关控制第一电流镜放大后的电流对放电模块的储能元件充电。3.根据权利要求2所述的采样保持结构，其特征在于，所述第一电流镜包括两个MOS管，优选地，所述MOS管为PMOS管，第一PMOS管(12)与第二PMOS管(13)栅极相连，第一PMOS管(12)的漏极和栅极与第一恒压源电连接，第二PMOS管(13)的漏极与第一开关(11)电连接；优选地，所述第一恒压源包括第一三极管(14)、第二三极管(15)和恒流源(16)，所述第一三极管(14)和第二三极管(15)基极相连，所述第一三极管的集电极与第一电流镜电连接，所述恒流源(16)与第二三极管的集电极和基极电连接，进一步优选地，所述第一三极管(14)和第二三极管(15)为NPN管。4.根据权利要求1所述的采样保持结构，其特征在于，所述放电单元包括第二电流镜和第二恒压源，所述储能元件与第二恒压源电连接，所述第二恒压源与第二电流镜电连接，为第二电流镜的输入端和输出端提供电压，所述第二恒压源为第二电流镜输出端提供的电压是为输入端提供电压的倍数，优选地，所述第二电流镜包括两个MOS管，优选地，所述MOS管为NMOS管，第一NMOS管(22)与第二NMOS管(23)栅极相连；优选地，所述第二恒压源包括第二开关(24)、第一运算放大器(25)、第三开关(26)、第二电容(27)、第三NMOS管(28)和第四开关(29)，所述第一运算放大器的正向输入端通过第二开关与交流转直流开关电源的反馈端电连接，所述第一运算放大器的正向输入端还与第二电流镜的输入端电连接，所述第一运算放大器的反向输入端与第二电流镜的输出端电连接，所述第一运算放大器的输出端通过第三开关分别与第二电容和第三NMOS管的栅极电连接，第三NMOS管的源极与第二电流镜的输出端电连接，第三NMOS管的漏极通过第四开关与储能元件电连接；优先地，所述储能元件为电容。5.根据权利要求1所述的采样保持结构，其特征在于，所述控制模块包括比较器(31)和时序发生器(32)，比较器的一个输入端与储能元件电连接，比较器的另一端的电压值为第一设定值，所述比较器的输出端与时序发生器电连接，储能元件的电压小于第一设定值时，比较器输出端翻转，时序发生器控制采样模块采样。6.根据权利要求1所述的采样保持结构，其特征在于，所述采样模块包括第五开关(42)和第三电容(41)，所述第三电容通过第五开关与交流转直流开关电源的反馈端电连接。7.根据权利要求1所述的采样保持结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳涛，
申请(专利权)人：西安致芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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