高频放大器制造技术

放大元件(T1)放大输入信号。高次谐波匹配电路(3)经由第一线缆(W1)与放大元件(T1)的输出端连接。高次谐波匹配电路(3)具有：与第一线缆(W1)连接的第一电感器(L1)、与第一电感器(L1)串联地连接的第一电容器(C1)、与第一电感器(L1)并联地连接的第二电感器(L2)、以及与第二电感器(L2)串联地连接的第二电容器(C2)。第一电感器(L1)与第二电感器(L2)形成呈减极性的互感的减极性耦合器。的互感的减极性耦合器。的互感的减极性耦合器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频放大器


[0001]本专利技术涉及高频放大器。

技术介绍

[0002]动作时的低耗电化、即高效率化是半导体放大器中的基本的课题。在以超过微波的高频放大电力的高频放大器中，从电路方面针对该课题的研讨之一，存在所谓的高次谐波处理。在此，半导体放大的信号的频率为基波，基波的倍数的频率为高次谐波。高次谐波处理是在高次谐波中通过从半导体放大器往回看的外围电路的阻抗的控制，来实现高效率动作的手法。
[0003]作为实现高频放大器的高效率的电路，例如有F级放大器。在F级放大器中，在将从FET的漏极端子观察到的对偶数次的高次谐波的负荷设为短路，并将对奇数次的高次谐波的负荷设为开路的F级负荷条件下，使漏极电压的时间波形接近矩形波，使漏极电压的时间波形与电流的时间波形的重叠部分的面积减少。由此，由FET消耗的电力减少，因此能得到极高的漏极效率。
[0004]但是实际上存在由FET以及线缆等组件引起的寄生电容以及电感，这些影响漏极端子处的电压、电流的时间波形。因此，F级负荷电路在考虑到这些寄生成分的基础上，需要设计成相对于偶数次高次谐波成为短路，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频放大器，其特征在于，具备：放大元件，其放大输入信号；和高次谐波匹配电路，其经由第一线缆而与所述放大元件的输出端连接，所述高次谐波匹配电路具有：与所述第一线缆连接的第一电感器、与所述第一电感器串联地连接的第一电容器、与所述第一电感器并联地连接的第二电感器、以及与所述第二电感器串联地连接的第二电容器，所述第一电感器与所述第二电感器形成呈减极性的互感的减极性耦合器。2.根据权利要求1所述的高频放大器，其特征在于，所述第一电感器与所述第二电感器相互向相反方向卷绕并重叠。3.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，从所述放大元件的所述输出端往回看所述高次谐波匹配电路的阻抗，相对于所述输入信号的基波成为开路，相对于二倍波成为短路，相对于三倍波成为开路，所述高频放大器进行F级动作。4.根据权利要求3所述的高频放大器，其特征在于，由所述第二电感器和所述第二电容器构成的谐振电路的阻抗，相对于所述二倍波以下的频率表示电容性，相对于所述三倍波表示感应性，由所述第一电感器和所述第一电容器构成的谐振电路的阻抗，相对于所述基波表示感应性。5.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，从所述放大元件的所述输出端往回看所述高次谐波匹配电路的阻抗，相对于所述输入信号的二倍波成为开路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木善伸，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：