【技术实现步骤摘要】
晶圆加工设备
[0001]本技术涉及半导体加工
,尤其涉及一种晶圆加工设备。
技术介绍
[0002]晶圆传输是半导体专用设备中的重要组成部分。芯片加工过程中,会对硅晶圆进行一系列的处理:绝对真空,化学腐蚀,高能等离子体撞击和强烈的紫外线辐射等等,经过数百道分散的加工步骤以后,硅晶圆才会被打磨成CPU、存储芯片和图形处理器等等电子器件。这些加工过程对环境要求很高,因此大多数工作都在密封真空室中进行,通过传输系统把晶圆从一个工艺腔室移到另一个工艺腔室。
[0003]一般地,晶圆传输系统包括传输平台、安装在传输平台上的装载腔室和设置于传输平台内的传输腔室等,传输腔室外挂有工艺腔室。现有的晶圆传输系统通常设有两个传输平台,可称之为一级传输平台和二级传输平台。晶圆从装载腔传入一级传输腔室,依工艺顺序放入一级传输腔室上相应的工艺模块中进行工艺,之后传输至二级传输腔室,依工艺顺序放入二级传输腔室上相应的工艺模块中进行工艺,工艺完成后,晶圆传回装载腔。但是,受制于装载腔室的限制,使得传输平台与前端之间的空间较小,无法满足设备的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工设备,其特征在于,包括前端控制装置、装载装置、连接件和传输装置;所述前端控制装置通过所述连接件与所述装载装置连接,所述传输装置设置于所述装载装置远离所述连接件的一侧,所述传输装置的周向上排布有至少一个反应腔室,所述反应腔室用于加工所述晶圆,所述传输装置用于输送晶圆,所述装载装置用于暂存晶圆,所述连接件用于供晶圆通过。2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述传输装置设置为N个,所述装载装置设置为M个,且任意相邻的两个所述传输装置通过所述装载装置连接,N、M为正整数。3.根据权利要求2所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述连接件设置为K个,任意相邻的两个所述传输装置之间设有所述连接件,K为正整数。4.根据权利要求2所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述传输装置的一侧预留有维护空间。5.根据权利要求4所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述维护空间用于避让相邻的所述传输装置的反应腔室。6.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述传输装置的形状为多边形。7.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述传输装置上的反应腔室距离所述前端控制装置的安全距离为La1;所述装载装置的长度为Lz1,所述连接件的长度为Li1,所述反应腔室的长度为Lp1,所述传输装置上的反应腔室与所述传输装置的夹角为所述传输装置的反应腔室距离所述前端控制装置的最小距离为Ls1;且Ls1≥La1。8.根据权利要求3所述的晶圆加工设备,其特征在于,任意相邻的两个所述传输装置上的反应腔室之间安全距离为La2;所述装载装置的长度为Lz2,所述连接件的长度为Li2,所述反应腔室的长度为Lp2,所述反应腔室与所述传输装置的夹角为相邻的两个所述传输装置的反应腔室的最小距离为Ls2;当任意相邻的两个所述传输装置之间的连接件的数量为1时;且Ls2≥La2;当任意相邻的两个所述传输装置之间的连接件的数量为2时;且Ls2≥La2。9.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述反应腔室设有至少一个晶圆加工位置。10...
【专利技术属性】
技术研发人员:李慧,姜宗帅,野沢俊久,张孝勇,周坚,田晓明,李丹,
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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