一种降低perc电池片衰减的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种降低perc电池片衰减的方法及装置，步骤如下：将硅基体置于放电等离子反应器电离出口下方，硅基体放置于密封腔体中，利用等离子羽辉在1000w

A method and device for reducing the attenuation of perc battery

【技术实现步骤摘要】
一种降低perc电池片衰减的方法及装置


[0001]本专利技术涉及perc电池
，具体地说，涉及一种降低perc电池片衰减的方法及装置。

技术介绍

[0002]虽然perc电池具有较高的转化效率，然而perc电池相较其他晶体硅电池更高的衰减，针对此也相继推出了针对单多晶perc电池的抑制衰减的工艺和设备。研究认为使用低温浆料，采用吸杂、高温退火及激光快速退火等手段可以抑制衰减。导致衰减的因素仍在研究中，除常规B
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O对原因外，还有仍在研究中的未知因素，可能与多晶硅中更高的金属杂质含量有关。
[0003]本专利技术将采用新的方法和装置，制备出抗衰减效果更好的perc电池。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种降低perc电池片衰减的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，一方面，本专利技术提供一种降低perc电池片衰减的方法，包括如下步骤：（1）将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于放电等离子反应器电离出口下方，所述硅基体放置于密封腔体中，利用等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低perc电池片衰减的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于放电等离子反应器电离出口下方，所述硅基体放置于密封腔体中，利用等离子羽辉在1000w
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2000w的功率下将硅基体表面温度升高第一表面温度；（2）向等离子反应器中通入甲烷和硅烷，并在2500w
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3500w的功率下控制在时间t1内将硅基体表面升温至第二表面温度，所述甲烷和硅烷的气体通入速率v=Q*h/t1*D;其中Q为升温功率，h为关联系数；所述t1小于等于20s，D为出口的口径；（3）当腔体内压力至达到0.1mbar时，停止通入甲烷和硅烷气体，并将功率调至1000w
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2000w，反应时间3
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5min后，抽真空；（4）向等离子反应器中通入氨气，并控制在5s内使得腔体压力再次达到0.1mbar时，停止通气，并在功率1000w
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2000w下，反应时间3
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5min，恢复常压，将硅基体取出。2.如权利要求1所述的降低perc电池片衰减的方法，其特征在于，所述硅基体取出以第三表面温度静置30min后置于室温环境中，所述第三表面温度为1/2的第二表面温度。3.如权利要求1所述的降低perc电池片衰减的方法，其特征在于，所述放电采用脉冲形式，脉冲频率为30Hz。4.如权利要求1所述的降低perc电池片衰减的方法，其特征在于，所述甲烷和硅烷气体的通入含量比值范围为15
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20:1。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，章康平，王建明，舒华富，朴松源，刘勇，
申请(专利权)人：一道新能源科技衢州有限公司，
类型：发明
国别省市：