一种氮化镓功率管的负压关断自举驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓功率管的负压关断自举驱动电路，包括自举驱动芯片IC、自举电容、开通

A negative pressure turn off bootstrap drive circuit for gallium nitride power tube

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓功率管的负压关断自举驱动电路

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[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种氮化镓功率管的负压关断自举驱动电路。

技术介绍
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[0002]随着光伏逆变器朝着小型化方向发展，对光伏逆变器的高效、高频和高功率密度提出了更高的要求，传统硅管的性能已不能满足市场的应用需求。20世纪90年代以后，在工作温度、击穿场强、工作电压等级、工作频率以及热传导效率等物理特性均优于传统硅管的宽禁带器件的迅速发展，使得光伏逆变器功率密度的进一步提高成为可能。
[0003]氮化镓功率管工作频率的提高使得电路寄生参数的影响变大，寄生参数造成的驱动电压震荡会导致半桥结构的电路拓扑直通，因此，氮化镓功率管的驱动可靠稳定工作是功率变换器能正常工作的基础，这对氮化镓功率管驱动电路性能提出了更苛刻的要求。
[0004]目前常用的低压氮化镓功率管(100V～200V)的驱动电路均使用0V～5V驱动方案，而低压氮化镓功率管的导通电压阈值为0.8V，容易受到驱动电路寄生参数和外界干扰影响而误导通。减小驱动电路寄生参数需要非常精确的对驱动回路进行布局本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓功率管的负压关断自举驱动电路，特征在于：包括自举驱动芯片IC(1)、自举电容(2)、上管的开通
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关断电阻(3)、上管的负压关断电路(4)、下管的开通
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关断电阻(5)、下管的负压关断电路(6)。上一级隔离电路输出的PWM控制信号通过所述自举驱动芯片IC(1)的HI引脚和LI引脚输入；所述自举驱动芯片IC(1)的HB引脚和HS引脚连接在所述自举电容(2)两端；所述自举驱动芯片IC(1)的HS引脚连接到半桥电路中点；所述自举驱动芯片IC(1)的地电位VSS与半桥电路的电位连接；所述自举驱动芯片IC(1)的HOH和HOL引脚分别连接上管的开通电阻和关断电阻，LOH和LOL引脚分别连接下管的开通电阻和关断电阻；上管开通电阻的输出连接所述上管负压关断电路(4)中的储存负压的并联阻容结构，上管关断电阻的输出连接所述上管负压关断电路(4)中的反向抑制二极管；下管开通电阻的输出连接所述下管负压关断电路(6)中的储存负压的并联阻容结构，下管关断电阻的输出连接所述下管负压关断电路(6)中的反向抑制二极管；所述上管负压关断电路(4)中储存负压的并联阻容结构的输出端连接上管的门级，所述下管负压关断电路(6)中储存负压的并联阻容结构的输出端连接下管的门级；所述上管负压关断电路(4)中背靠背连接的稳压管并联在上管的门级...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖华锋，周林伟，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：