一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统技术方案

本实用新型专利技术涉及多晶硅生产设备技术领域，尤其涉及一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统，其包括:还原厂房，其一侧设有电气设备室；还原厂房的下部设置有进风口一和进风口二；还原厂房的下部设置有出风口；出风口较进风口一和进风口二的位置低；还原厂房的顶部设置有轴流风机一；还原厂房的出风口与轴流风机二的输入端连通；第一供风装置的输出端通过第一风管与进风口一连通；第二供风装置的输出端通过第二风管与电气设备室连通；第三供风装置的输入端通过第三风管与电气设备室连通；第三供风装置的输出端通过第四风管与进风口二连通；电气设备室上设置有轴流风机三。采用本实用新型专利技术能够改善供风系统的结构，降低能耗，保障安全生产。障安全生产。障安全生产。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统


[0001]本技术涉及多晶硅生产设备
，尤其涉及一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统。

技术介绍

[0002]多晶硅是光伏产业和电子工业最重要生产原料，在应用上需要极高纯度。一般来说，太阳能级多晶硅的纯度需达到6个9以上(99.9999％以上)，电子级多晶硅的纯度需达到9个9以上〔99.9999999％以上)。目前，多晶硅制备方法主要为改良西门子法；通过改良西门子法生产多晶硅的特点是：还原炉生产硅棒是间歇批次生产：硅棒制备完毕，拆开钟罩后，硅棒需要在空气中暴露很长一段时间，再将硅棒拆卸移交下一工序；接着再清理设备、安装硅芯进行下一个批次硅芯的生产。由于多晶硅的纯度非常高，硅芯和硅料在空气中暴露时间长，因此还原厂房的洁净就显得尤为重要；另外还原炉生产是高温条件下进行，反应的介质是易燃易爆的，因此还原厂房的供风系统对还原生产影响非常大。
[0003]现有还原厂房供风系统布局不够合理，不能合理利用洁净风，不仅新风需求量大、能耗高；而且，供风、排风、抽风时，容易留死角，从而产生安全隐患。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统，主要目的在于改善供风系统的结构，降低能耗，提升供风品质，保障安全生产。
[0005]为达到上述目的，本技术主要提供如下技术方案：
[0006]本技术的实施例提供一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统，包括:还原厂房、第一供风装置、第二供风装置和第三供风装置；
[0007]所述还原厂房的一侧设置有电气设备室；
[0008]所述还原厂房的下部设置有进风口一和进风口二；所述进风口一与所述进风口二相对设置；
[0009]所述还原厂房的下部设置有出风口；所述出风口为多个；多个所述出风口沿所述还原厂房的外壁间隔设置；所述出风口较所述进风口一和所述进风口二的位置低；
[0010]所述还原厂房的顶部设置有轴流风机一；所述轴流风机一的输入端与所述还原厂房的内侧连通；所述轴流风机一的输出端连通所述还原厂房的外侧；
[0011]所述还原厂房的出风口与轴流风机二的输入端连通；所述轴流风机二的输出端连通所述还原厂房的外侧；
[0012]所述第一供风装置的输入端连通所述还原厂房的外部；所述第一供风装置的输出端通过第一风管与所述进风口一连通；所述第一风管上设置有气流调节阀一；
[0013]所述第二供风装置的输入端连通所述还原厂房的外部；所述第二供风装置的输出端通过第二风管与所述电气设备室连通；
[0014]所述第三供风装置的输入端通过第三风管与所述电气设备室连通；所述第三供风
装置的输出端通过第四风管与所述进风口二连通；所述第四风管上设置有气流调节阀二；
[0015]所述电气设备室上设置有轴流风机三；所述轴流风机三的输入端与所述电气设备室的内侧连通；所述轴流风机三的输出端与所述电气设备室的外侧连通。
[0016]进一步地，所述第一供风装置包括：进风调节阀一、粗效过滤器一、中效过滤器前一、加热器一、冷却器一、风机机组一、消音系统一、中效过滤器后一、高效过滤器一和出风调节阀一；
[0017]所述进风调节阀一、所述粗效过滤器一和所述中效过滤器前一依次连通；
[0018]所述风机机组一、所述消音系统一、所述中效过滤器后一、所述高效过滤器一和所述出风调节阀一依次连通；
[0019]所述中效过滤器前一能够选择地通过所述加热器一或所述冷却器一与所述风机机组一连通。
[0020]进一步地，所述第二供风装置包括：进风调节阀二、粗效过滤器二、中效过滤器前二、加热器二、冷却器二、风机机组二、消音系统二、中效过滤器后二和出风调节阀二；
[0021]所述进风调节阀二、所述粗效过滤器二和所述中效过滤器前二依次连通；
[0022]所述风机机组二、所述消音系统二、所述中效过滤器后二和所述出风调节阀二依次连通；
[0023]所述中效过滤器前二能够选择地通过所述加热器二或所述冷却器二与所述风机机组二连通。
[0024]进一步地，所述第三供风装置包括：进风调节阀三、中效过滤器三、冷却器三、风机机组三、消音系统三、高效过滤器三和出风调节阀三；
[0025]所述进风调节阀三、所述中效过滤器三、所述冷却器三、所述风机机组三、所述消音系统三、所述高效过滤器三和所述出风调节阀三，依次连通。
[0026]进一步地，所述进风口一和所述进风口二位于同一平面上。
[0027]进一步地，多个所述出风口位于同一平面上。
[0028]进一步地，所述进风口一与所述出风口位于所述还原厂房不同的侧壁上。
[0029]进一步地，所述进风口二与所述出风口位于所述还原厂房不同的侧壁上。
[0030]进一步地，所述进风口一为多个；多个所述进风口一沿所述还原厂房的外壁间隔设置；
[0031]所述进风口二为多个；多个所述进风口二沿所述还原厂房的外壁间隔设置。
[0032]进一步地，还包括：控制装置；
[0033]所述控制装置与所述风机机组一、风机机组二、风机机组三、轴流风机一、轴流风机二、轴流风机三、气流调节阀一和气流调节阀二分别连接，以进行控制。
[0034]借由上述技术方案，本技术用于多晶硅生产的还原厂房供风系统至少具有下列优点：
[0035]能够改善供风系统的结构，降低能耗，提升供风品质，保障安全生产。
[0036]上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0037]图1为本技术实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统的示意图；
[0038]图2为本技术实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统中第一供风装置的示意图；
[0039]图3为本技术实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统中第二供风装置的示意图；
[0040]图4为本技术实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统中第三供风装置的示意图。
[0041]图中所示：
[0042]1为第一供风装置，1
‑
1为进风调节阀一，1
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2为粗效过滤器一，1
‑
3为中效过滤器前一，1
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4为加热器一，1
‑
5为冷却器一，1
‑
6为风机机组一，1
‑
7为消音系统一，1
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8为中效过滤器后一，1
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9为高效过滤器一，1
‑
10为出风调节阀一，2为第二供风装置，2
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1为进风调节阀二，2
‑
2为粗效过滤器二，2
‑
3为中效过滤器前二，2
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅生产的还原厂房供风系统，其特征在于，包括:还原厂房、第一供风装置、第二供风装置和第三供风装置；所述还原厂房的一侧设置有电气设备室；所述还原厂房的下部设置有进风口一和进风口二；所述进风口一与所述进风口二相对设置；所述还原厂房的下部设置有出风口；所述出风口为多个；多个所述出风口沿所述还原厂房的外壁间隔设置；所述出风口较所述进风口一和所述进风口二的位置低；所述还原厂房的顶部设置有轴流风机一；所述轴流风机一的输入端与所述还原厂房的内侧连通；所述轴流风机一的输出端连通所述还原厂房的外侧；所述还原厂房的出风口与轴流风机二的输入端连通；所述轴流风机二的输出端连通所述还原厂房的外侧；所述第一供风装置的输入端连通所述还原厂房的外部；所述第一供风装置的输出端通过第一风管与所述进风口一连通；所述第一风管上设置有气流调节阀一；所述第二供风装置的输入端连通所述还原厂房的外部；所述第二供风装置的输出端通过第二风管与所述电气设备室连通；所述第三供风装置的输入端通过第三风管与所述电气设备室连通；所述第三供风装置的输出端通过第四风管与所述进风口二连通；所述第四风管上设置有气流调节阀二；所述电气设备室上设置有轴流风机三；所述轴流风机三的输入端与所述电气设备室的内侧连通；所述轴流风机三的输出端与所述电气设备室的外侧连通。2.根据权利要求1所述的用于多晶硅生产的还原厂房供风系统，其特征在于，所述第一供风装置包括：进风调节阀一、粗效过滤器一、中效过滤器前一、加热器一、冷却器一、风机机组一、消音系统一、中效过滤器后一、高效过滤器一和出风调节阀一；所述进风调节阀一、所述粗效过滤器一和所述中效过滤器前一依次连通；所述风机机组一、所述消音系统一、所述中效过滤器后一、所述高效过滤器一和所述出风调节阀一依次连通；所述中效过滤器前一能够选择地通过所述加热器一或所述冷却器一与所述风机机组一连通。3.根据权利要求2所述的用于多晶硅生产...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹仁苏，宋卿，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：