一种高光效LED芯片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高光效LED芯片及制备方法，该芯片包括衬底和外延层，还包括设于P型半导体层上的电流阻挡层、设于电流阻挡层上的透明导电层、设于透明导电层上的第一金属阻挡层及设于所述N型半导体层上的第二金属阻挡层、设于透明导电层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的高反射金属层以及设于高反射金属层上的第二绝缘层，高反射金属层与金属阻挡层保持绝缘；其中，第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，P型导电电极通过预设的第一导电通孔与第一金属阻挡层接触进而与P型半导体层连接，N型导电电极通过预设的第二导电通孔与第二金属阻挡层接触进而与N型半导体层连接。本发明专利技术旨在改善制作工艺，保证LED芯片的生产良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
一种高光效LED芯片及制备方法


[0001]本专利技术涉及发光芯片
，具体涉及一种高光效LED芯片及制备方法。

技术介绍

[0002]常规的的蓝绿LED芯片一般包括衬底、外延层、电流阻挡层、透明导电层、P型电极、N型电极以及绝缘保护层，外延层一般包括N型半导体、多量子阱发光区以及P型半导体，P型电极和N型电极分别与P型半导体和N型半导体电性连接。其中，N型电极与N型半导体电性连接需要制作MESA台阶，即需要将制作MESA台阶区域的P型半导体和多量子阱发光区去除，此工序不可避免地牺牲大量的量子阱发光区，降低了LED的发光效率，尤其是在大电流应用产品中，电流密度droop显著，光效无法达到极致。
[0003]现有技术中，将芯片电极分为反射电极(即高反射电极)和导电电极(即P型导电电极与N型导电电极)两部分，通过制作不导电的高反射电极，将传统LED结构中被导电电极遮住、吸收的光提取出来，大大提升LED的光效。
[0004]然而，现有技术虽然有效的提升了LED的光效，但是在制作过程中，由于工艺窗口较小，容易导致生产良率下降，生产良本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高光效LED芯片，所述芯片包括衬底和外延层，所述外延层包括N型半导体层、多量子阱区与P型半导体层，其特征在于：所述芯片还包括设于所述P型半导体层上的电流阻挡层、设于所述电流阻挡层上的透明导电层、设于所述透明导电层上的第一金属阻挡层以及设于所述N型半导体层上的第二金属阻挡层、设于所述透明导电层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的高反射金属层以及设于所述高反射金属层上的第二绝缘层，所述高反射金属层与所述金属阻挡层保持绝缘；其中，所述第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，所述P型导电电极通过预设的第一导电通孔与所述第一金属阻挡层接触进而与所述P型半导体层连接，所述N型导电电极通过预设的第二导电通孔与所述第二金属阻挡层接触进而与所述N型半导体层连接，且所述P型导电电极、N型导电电极与所述高反射金属层之间保持绝缘。2.根据权利要求1所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述第一导电通孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层，所述P型导电电极通过所述第一导电通孔连接至所述第一金属阻挡层，以间接连接至所述透明导电层与所述P型半导体层。3.根据权利要求1所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述第二导电通孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述P型半导体与所述多量子阱区以暴露出所述N型半导体层，所述N型导电电极通过所述第二导电通孔连接至所述第二金属阻挡层，以间接连接至所述N型半导体层。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述电流阻挡层、所述第一绝缘层与所述第二绝缘层均由SiO2、Al2O3、TiO2中一种或多种不导电材料制成。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述透明导电层由ITO、IZO或其它透明导电材料制成。6.根据权利要求1
‑
3任一项所述的高光效LED芯片，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，张亚，陈越，简弘安，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：