反应腔室的压力控制方法、装置和半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种压力控制方法，包括：获取反应腔室的实际气体压力值；实时计算在预设时间内实际气体压力值的压力变化率，并根据压力变化率，确定与其对应的迟滞转换系数，迟滞转换系数为负数且绝对值大小与压力变化率的绝对值大小成正相关；将迟滞转换系数与初始反馈控制方程的系数相乘，得到修正后的反馈控制方程，根据修正后的反馈控制方程计算压力调节阀的开度调节量，并根据开度调节量调节压力调节阀的开度，直至实际气体压力值达到目标压力。本发明专利技术提供的方法能够在气体压力达到目标压力前对压力调节阀的开度进行反向调节，避免发生压力过冲，提高反应腔室的压力稳定性。本发明专利技术还提供一种反应腔室的压力控制装置和半导体工艺设备。体工艺设备。体工艺设备。

Pressure control method, device and semiconductor process equipment of reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
反应腔室的压力控制方法、装置和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种反应腔室的压力控制方法、一种用于实现该方法的反应腔室的压力控制装置和一种包括该装置的半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，氧化炉是最重要的设备之一，进入氧化炉反应腔室的氢气(H2)、氯气(HCL)、过量的氧气(O2)、少量的二氯乙烯(C2H2Cl2)以及氮气(N2)需要在恒定的压力下进行化学反应，以确保镀层的厚度，反应腔室内的压力大于或小于设定的压力都将影响镀层的厚度，因此必须确保反应腔室内压力的稳定。
[0003]在现有的半导体工艺设备中，通常采用比例积分微分(Proportion Integral Differential，PID)调节的方式对反应腔室内的压力进行调节，然而，该调节方式虽然能够根据工艺腔室内部的实时压力迅速作出反应，但由于压力系统普遍存在着一定的迟滞特性，快速的调节容易产生过冲现象，导致反应腔室内压力波动较大，影响半导体工艺的稳定性，而如果减小比例积分微分公式中的控制系数，又会导致压力调节效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室的压力控制方法，所述反应腔室的进气管路或排气管路上设置有压力调节阀，其特征在于，所述方法包括：获取所述反应腔室的实际气体压力值；实时计算在预设时间内所述实际气体压力值的压力变化率，并根据所述压力变化率，确定与其对应的迟滞转换系数，所述迟滞转换系数为负数且所述迟滞转换系数的绝对值大小与所述压力变化率的绝对值大小成正相关；将所述迟滞转换系数与所述初始反馈控制方程的系数相乘，得到修正后的反馈控制方程，根据所述修正后的反馈控制方程计算所述压力调节阀的开度调节量，并根据所述开度调节量调节所述压力调节阀的开度，直至所述实际气体压力值达到所述目标压力。2.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制方法，其特征在于，所述方法具体包括：获取所述反应腔室的实际气体压力值；在所述实际气体压力值与所述目标压力之间差值的绝对值大于或等于预设阈值时，基于初始反馈控制方程调节所述压力调节阀的开度，使所述实际气体压力值趋近所述目标压力；在所述实际气体压力值与目标压力之间差值的绝对值小于所述预设阈值且所述实际气体压力值未达到所述目标压力时，根据所述修正后的反馈控制方程计算所述压力调节阀的开度调节量；在所述实际气体压力值达到所述目标压力后，继续基于所述初始反馈控制方程调节所述压力调节阀的开度。3.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制方法，其特征在于，所述根据所述压力变化率，确定与其对应的迟滞转换系数，包括：根据所述压力变化率计算迟滞性系数；将所述迟滞性系数与预设系数相乘，得到所述迟滞转换系数；其中，所述迟滞性系数小于0，且所述迟滞性系数的绝对值随着所述压力变化率的绝对值由1至0逐渐变化，所述预设系数为正数。4.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制方法，其特征在于，所述根据所述压力变化率，确定与其对应的迟滞转换系数，包括：根据所述压力变化率计算迟滞性系数和所述压力变化率的一阶导数值；将所述迟滞性系数与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文宁，赵迪，吴昊，
申请(专利权)人：北京七星华创流量计有限公司，
类型：发明
国别省市：