【技术实现步骤摘要】
一种金属
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半导体异质结柔性紫外光电探测器及其制备方法
[0001]本专利技术涉及一种光电探测器，特别涉及一种金属
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半导体异质结柔性紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测器
技术介绍
[0002]光电探测器能将光信号转变为电信号，在军事和国民经济的各个领域都有广泛的应用。在紫外波段光电探测器在通信，图像传感，环境监测，导弹预警方面都有重要的应用价值。随着人们对可穿戴电子设备的需求不断提升，柔性光电探测器成为目前研究热点之一。目前已有的光电探测器多以硅，陶瓷，ITO玻璃为基底，均具有较差的机械柔性，不适用目前可穿戴电子的性能要求。
[0003]无铅卤化物钙钛矿由于具有暗电流小，宽带隙，低毒性且易于制造等特点，被广泛运用于光电探测器的研究中。由于单一钙钛矿材料制备的光电探测器光电性能较差。因此将钙钛矿材料与ZnO材料结合，钙钛矿起到补光材料及空穴收集的作用，ZnO由于其高的载流子迁移率用作载流子输运通道。该异质结构结合两种材料的优点，能够有效提升光电探测器的光电性能。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属
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半导体异质结柔性紫外光电探测器，包括柔性衬底，金属电极层、Al层、ZnO层、Cs3Cu2I5层和PDMS聚二甲基硅氧烷层，其特征在于，所述柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，所述金属电极层形成于柔性基底的表面，所述Al层形成于金属电极层的表面，所述ZnO层形成于Al层的表面，所述Cs3Cu2I5层形成于ZnO层的表面，所述PDMS聚二甲基硅氧烷层形成于Cs3Cu2I5层的表面。2.一种金属
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半导体异质结柔性紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将PET柔性衬底剪裁为1cm
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1cm的正方形，用丙酮，酒精，体积比例1:2，清洗，并在氮气环境下20℃
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25℃干燥20
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25min，随后采用气体流量为60
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70sccm，等离子体功率为0.8
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0.9W/cm2的氧等离子体处理，持续时间10
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15min，得到PET柔性衬底；S2：采用真空蒸发镀膜法在柔性衬底表面先蒸镀厚度为50nm的Cr金属电极，再蒸镀厚度为50nm的Au金属电极，真空蒸镀条件为：真空度为5
×
10
‑3Pa，蒸镀速率为0.1
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1A/s；S3：将柔性衬底真空吸附在匀胶机转盘中心，匀胶机转速设定为500
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800r/min，使用移液枪吸取1mL Al
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NCs溶液0.1mg/mL，匀胶机运行30s后再进行旋涂，旋涂时间30
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35s，溶剂在氮气环境下20℃
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25℃吹干，重复上述旋涂操作1
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2次，得到分布于整个柔性衬底的透明薄膜，得到在柔性衬底表面的Al层；S4：将柔性衬底真空吸附在匀胶机转盘中心，匀胶机转速设定为1000
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1200r/min，使用5mL容量的一次性滴管吸取2mL ZnO
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QDs溶液2mg/mL，匀胶机运行30s后再进行旋涂，旋涂时间25
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30s，将旋涂有ZnO QDs的器件置于氮气环境中80
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90℃退火20
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25min，重复上述旋涂操作5
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6次，得到分布于Al NCs涂层上的白色薄膜，得到在Al层表面的ZnO层；S5：将柔性衬底真空吸附在匀胶机转盘中心，匀胶机转速设定为800
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1000r/min，使用移液枪吸取1mL Cs3Cu2I5·
QDs溶液8mg/mL，匀胶机运行30s后再进行旋涂，旋涂时间25
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35s，将旋涂有Cs3Cu2I5·
QDs的器件置于氮气环境中80
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90℃退火10
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15min，重复上述旋涂操作4
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5次，得到分布于ZnO
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QDs涂层上的带黄色薄膜，得到在ZnO层表面的Cs3Cu2I5层；S6：将柔性衬底真空吸附在匀胶机转盘中心，匀胶...
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