一种光电探测器、光电逻辑门器件及其制备方法技术

技术编号:34036573 阅读:50 留言:0更新日期:2022-07-06 12:26
本发明专利技术涉及一种光电探测器、光电逻辑门器件及其制备方法,该光电逻辑门器件包括位于衬底上的石墨烯导电沟道层,位于导电沟道层上的γ

A photoelectric detector, photoelectric logic gate device and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器、光电逻辑门器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及二维纳米材料的刺激应用领域,尤其涉及光电探测器、光电逻辑门器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电逻辑门作为全光网络处理信号的基本元器件单元,是构建全光网络不可或缺的一环。由光电逻辑门构建的全光网络能够避免在大容量核心网络中不必要的光

电转换和电

光转换,提高光信号处理效率,降低系统能耗。
[0003]在应用上,光电逻辑门的研究不但有助于突破传统电子器件的尺寸限制,构建全光网络,还可以实现可见光通信系统。可见光通信系统可以应用在智能交通系统、街道照明系统和智能家居等。集成大量光电逻辑门,可以实现光信号加密及解密,也可以制作光纤陀螺仪等导航、定位仪器。另外有研究认为,光电逻辑门可以应用于激光混沌雷达。
[0004]目前,光电逻辑门虽然可以构建出全光网络,但仍然存在信号损耗较高、速率受限制、信号存在延迟和集成困难等问题,而且光电逻辑门的逻辑运算实现方案和混沌信号分组交换等技术仍然有待研究。

技术实现思路

...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器,包括衬底,其特征在于,还包括,位于衬底上的石墨烯导电沟道层,位于所述导电沟道层上的γ

石墨二炔吸光和电荷捕获层,以及位于所述吸光和电荷捕获层上两端的第一电极和第二电极。2.根据权利要求1的所述光电探测器,其特征在于,所述石墨烯选用单层或多层;所述γ

石墨二炔的厚度选用20nm至300nm,优选地,所述γ

石墨二炔的厚度选用20nm至50nm。3.根据权利要求1或2的所述光电探测器,其特征在于,所述衬底选用Si/SiO2衬底,所述SiO2层的厚度选用300nm。4.根据权利要求3的所述光电探测器,其特征在于,选用溶液相范德华外延法在石墨烯导电沟道层上合成γ

石墨二炔薄膜,包括以下步骤:取一定量体积比为1:10的无水THF与DMF超声混合均匀获得混合液A,取一定量的HEB

TMS和CuCl于混合液A中,超声后获得混合液B,混合液B中HEB

TMS和CuCl的浓度均为0.05mmol/L;将铺设有石墨烯的衬底放入水热反应釜中,加入一定体积的上述混合液B,密封后在75℃条件下加热24小时,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈心满陈运凯黄梓熙
申请(专利权)人:华南师大清远科技创新研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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