一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构，其结构包括晶硅衬底，晶硅衬底的前表面从内到外包括正面掺杂层和正面钝化层，晶硅衬底的背表面从内到外分别包括隧穿氧化层、交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层、激光开槽区、背面钝化层、负电极/正电极；本实用新型专利技术采用TOPCon背面接触钝化方式和异质结方式结合的电池结构，优化了掺杂非晶硅生长方式，在保留IBC高短路电流的特点下，提高太阳电池钝化能力和接触能力，同时有效地降低了制造成本；其次，通过优化金属正电极、负电极，通过缩窄主栅线宽，增加pad点，可降低浆料的耗量，正极pad与负极pad图形不同进行区分，便于组件焊接时进行区分，减少组件焊接出现错误的概率。组件焊接出现错误的概率。组件焊接出现错误的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构


[0001]本技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构。

技术介绍

[0002]近年来，随着能源需求的不断提高，在传统化石燃料能源枯竭，以及人们环保意识的增强的背景下，发展清洁环保、可再生能源成为人类发展的当务之急，太阳能是一种清洁的可再生的能源,取之不尽，用之不竭。因此开发和利用太阳能为代表的清洁环保、可再生的新能源将成为最具发展前景的能源之一。
[0003]对于晶硅太阳能电池，尤其IBC电池，其特点是电池正面无电极，正负电极金属栅线指状交叉排列与电池背面，具有更高的短路电流，并可有效降低电池的温度系数，具有很大的发展潜力。但现有的IBC电池制作技术还存在成本高、金属接触区域复合大、正负电极图形设计不合理影响组件焊接时不易区分等问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为：一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构，包括晶硅衬底；设置于晶硅衬底前表面的正面掺杂层；设置于正面掺杂层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构，其特征在于：包括晶硅衬底；设置于晶硅衬底前表面的正面掺杂层；设置于正面掺杂层上的正面钝化层；设置于晶硅衬底背表面的隧穿氧化层；交替排列设置于隧穿氧化层上的n+掺杂非晶硅层、p+掺杂非晶硅层；设置于n+掺杂非晶硅层、p+掺杂非晶硅层上的负电极、正电极；以及设置于n+掺杂非晶硅层、p+掺杂非晶硅层之间的激光开槽区；所述n+掺杂非晶硅层、p+掺杂非晶硅层及激光开槽区上还设有背面钝化层。2.根据权利要求1所述的一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述正电极包括多条正极主栅、多条正极细栅、多个正极pad点，所述正极主栅连接于正极pad点之间，所述正极细栅与正极主栅交叉垂直设置；所述负电极包括多条负极主栅、多条负极细栅、多个负极pad点，所述负极主栅连接于负极pad点之间，所述负极细栅与负极主栅交叉垂直设置；所述正极主栅、负极主栅均由若干段相等主栅线段组成，所述正极主栅与负极主栅相互平行并呈交错排列；所述正极pad点与负极pad点图形结构不相同。3.根据权利要求2所述的一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述正极主栅、负极主栅是成对设置的，所述正极主栅和所述负极主栅的数量为最少1对；所述正极pad点以相等距离设置在正极主栅线段上，数量1
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5个，所述负极pad点以相等距离设置在负极主栅线段上，数量1
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5个，所述正极主栅、负极主栅的宽度为0.05
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1mm。4.根据权利要求2所述的一种TOPCon背面钝化接触结构的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述正极主栅与所述正极细栅的相交处、负极主栅与所述负极细栅的相交处均设有有防断栅，所述防断栅由正极细栅/负极细栅与正极主栅/负极主栅的相交处向远端逐渐变细，向近端逐渐变粗；所述正极细栅、负极细栅均由若干细栅区域线路组成，所述正极细栅、负极细栅的区域线路间设有间隙，正极细栅、负极细栅的相邻区域线路间的水平间距为0.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：欧文凯，李含朋，向亮睿，
申请(专利权)人：普乐新能源科技徐州有限公司，
类型：新型
国别省市：