一种BMSMOSFET驱动电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种BMS MOSFET驱动电路结构，包括有二极管D1、电阻R1、电阻R3、PNP型晶体管Q1、NPN型晶体管Q3、NMOS管Q2、二极管D4、二极管D5、二极管D3、NMOS管Q5、NPN型晶体管Q4、电阻R7、电阻R5、二极管D2和电阻R4；通过合理配置各个元器件，使得本驱动电路功耗更低，开启和关断速MOS管的速度更快，短路保护及时，确保MOS不炸管，并且驱动MOS管时，MOS的驱动脚，有无平衡电阻均可，为使用带来便利。为使用带来便利。为使用带来便利。

【技术实现步骤摘要】
一种BMS MOSFET驱动电路结构


[0001]本技术涉及驱动电路领域技术，尤其是指一种BMS MOSFET驱动电路结构。

技术介绍

[0002]电池管理系统(BMS)为一套保护动力电池使用安全的控制系统，时刻监控电池的使用状态，通过必要措施缓解电池组的不一致性，为新能源车辆的使用安全提供保障。
[0003]目前，现有的BMS驱动电路普遍存在以下缺点：(1)功耗高；(2) 开启和关断MOS管的速度慢；(3)短路保护功能失效比例高，短路测试时，经常炸MOS管；(4)驱动MOS管时，MOS的驱动脚必须要有阻抗平衡电阻。
[0004]因此，有必要对目前的BMS驱动电路进行改进。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种BMS MOSFET驱动电路结构，其能有效解决现有之BMS驱动电路功耗高、开启和关断MOS管的速度慢、短路保护功能失效比例高的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案：
[0007]一种BMS MOSFET驱动电路结构，包括有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BMS MOSFET驱动电路结构，其特征在于：包括有二极管D1、电阻R1、电阻R3、PNP型晶体管Q1、NPN型晶体管Q3、NMOS管Q2、二极管D4、二极管D5、二极管D3、NMOS管Q5、NPN型晶体管Q4、电阻R7、电阻R5、二极管D2和电阻R4；该二极管D1的输入端连接VCC端，该电阻R1的一端、PNP型晶体管Q1的发射极、NMOS管Q2的D极和NPN型晶体管Q3的集电极均连接二极管D1的输出端，该电阻R1的另一端连接电阻R3的一端和PNP型晶体管Q1的基极，该电阻R3的另一端连接电阻R7的一端和NPN型晶体管Q4的集电极，该电阻R7的另一端连接二极管D3的输出端和NPN型晶体管Q3的基极，该NPN型晶体管Q3的发射极和二极管D3的输入端均连接NMOS管Q5的G极，该NMOS管Q5的S极、NPN型晶体管Q4的发射极和电阻R5的一端均连接BAT
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端，该NPN型晶体管Q4的基极和电阻R5的另一端均连接二极管D2的输出端，该二极管D2的输入端连接电阻R4的一端，该电阻R4的另一端连接DSG端，该PNP型晶体管Q1集电极连接二极管D4的输入端和NMOS管Q2的G极，该二极管D4的输出端和二极管D5的输出端均连接NMOS管Q5的D极，该二极管D5的输入端连接NMOS管Q2的S极和DO_MOS端。2.一种BMS MOSFET驱动电路结构，其特征在于：包括有二极管D3、电阻R3、PNP型晶体管Q4、NPN型晶体管Q5、二极管D2、电阻R4、稳压二极管D6、电阻R6、NPN型晶体管Q2、二极管D7、二极管D4、NMOS管Q3、NPN型晶体管Q1、电阻R2、二极管D1和电阻R1；该二极管D3的输入端连接VCC端，该二极管D3的输出端连接电阻R3的一端、NPN型晶体管Q2的集电极和PNP型晶体管Q4的发射极，该PNP型晶体管Q4的基极连接NPN型晶体管Q5的集电极，该NPN型晶体管Q5的发射极和二极管D7的输入端均连接DO_MOS端，该NPN型晶体管Q5的基极和PNP型晶体管Q4的集电极均连接稳压二极管D6的输入端，该稳压二极管D6的输出端连接电阻R4的一端、二极管D7的输出端和NMOS管Q3的D极，该NMOS管Q3的G极连接二极管D4的输入端和NPN型晶体管Q2的发射极，该NPN型晶体管Q2的基极和二极管D4的输出端均连接电阻R6的一端，该电阻R6的另一端连接电阻R3的另一端和NPN型晶体管Q1的集电极，该NPN型晶体管Q1的发射极、NMOS管Q3的S极和电阻R2的一端均连接BAT
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端，该电阻R2的另一端和二极管D1的输出端均连接NPN型晶体管Q1的基极，该二极管D1的输入端连接电阻R1的一端，该电阻R1的另一端和二极管D2的输入端均连接DSG端，该二极管D2的输出端连接电阻R4的另一端。3.一种BMS MOSFET驱动电路结构，其特征在于：包括有二极管D2、电阻R3、电阻R5、PNP型晶体管Q4、二极管D4、稳压二极管D6、NPN型晶体管Q5、二极管D5、电容C2、PNP型晶体管Q2、NPN型晶体管Q3、二极管D7、稳压二极管D3、电容C1、NPN型晶体管Q1、电阻R1、电阻R2和二极管D1；该二极管D2的输入端连接VCC端，该二极管D2的输出端连接R3的一端、电阻R5的一端和PNP型晶体管Q4的发射极，该PNP型晶体管Q4的基极连接电阻R5的另一端和NPN型晶体管Q5的集电极，该NPN型晶体管Q5的基极和PNP型晶体管Q4的集电极均连接稳压二极管D6的输入端，该NPN型晶体管Q5的发射极、二极管D5的输入端和二极管D7的输出端均连接CO_MOS端，该稳压二极管D6的输出端、二极管D5的输出端、二极管D4的输出端和电容C2的一端均连接PNP型晶体管Q2的发射极，该PNP型晶体管Q2的基极连接电容C2的另一端和NPN型晶体管Q3的集电极，该NPN型晶体管Q3的基极、PNP型晶体管Q2的集电极、电容C1的一端和稳压二极管D3的输入端均连接NPN型晶体管Q1的集电极，该NPN型晶体管Q3的发射极、二极管D7的输入
端、电容C1的另一端、NPN型晶体管Q1的发射极和电阻R2的一端均连接C
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端，该稳压二极管D3的输出端、电阻R3的另一端均连接二极管D4的输入端，该NPN型晶体管Q1的基极和电阻R2的另一端均连接电阻R1的一端，该电阻R1的另一端连接二极管D1的输出端，该二极管D1的输入端连接CHG端。4.一种BMS MOSFET驱动电路结构，其特征在于：包括有二极管D2、电阻R3、电阻R4、PNP型晶体管Q3、NMOS管Q5、二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R5、电容C2、PNP型晶体管Q2、NPN型晶体管Q4、NPN型晶体管Q1、电容C1、二极管D1、电阻R1和电阻R2；该二极管D2的输入端连接VCC端，该二极管D2的输出端连接电阻R3的一端、PNP型晶体管Q3的发射极和NMOS管Q5的D极，该PNP型晶体管Q3的基极连接电阻R3的另一端和电阻R4的一端，该PNP型晶体管Q3的集电极连接二极管D4的输入端和NMOS管Q5的G极，该NMOS管Q5的S极和二极管D5的输入端均连接OUTPUT端，该二极管D5的输出端、二极管D4的输出端、二极管D3的输出端和电容C2的一端均连接PNP型晶体管Q2的发射极，该PNP型晶体管Q2的基极连接电容C2的另一端和NPN型晶体管Q4的集电极，该NPN型晶体管Q4的基极连接PNP型晶体管Q2的集电极、电容C1的一端和电阻R5的一端，该电阻R5的另一端、二极管D3的输入端和电阻R4的另一端均连接NPN型晶体管Q1的集电极，该NPN型晶体管Q1的发射极、NPN型晶体管Q4的发射极、电容C1的另一端和电阻R2的一端均接地，该二极管D1的输出端连接电阻R2的另一端和NPN型晶体管Q1的基极，该二极管D1的输入端连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接INPUT端。5.一种BMS MOSFET驱动电路结构，其特征在于：包括有二极管D3、电阻R3、电阻R4、PNP型晶体管Q4、稳压二极管D6、NPN型晶体管Q5、二极管D7、NPN型晶体管Q2、电阻R6、二极管D4、NMOS管Q3、NPN型晶体管Q1、电阻R2、二极管D1和电阻R1；该二极管D3的输入端连接VCC端，该二极管D3的输出端连接电阻R3的一端、电阻R4的一端、NPN型晶体管Q2的集电极和PNP型晶体管Q4的发射极，该PNP型晶体管Q4的基极连接NPN型晶体管Q5的集电极，该NPN型晶体管Q5的基极和PNP型晶体管Q4的集电极均连接稳压二极管D6的输入端，该NPN型晶体管Q5的发射极和二极管D7的输入端均连接DO_MOS端，该电阻R4的另一端、稳压二极管D6的输出端和二极管D7的输出端均连接NMOS管Q3的D极，该NMOS管Q3的G极连接NPN型晶体管Q2的发射极和二极管D4的输入端，该NPN型晶体管Q2的基极和二极管D4的输出端连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端和电阻R3的另一端均连接NPN型晶体管Q1的集电极，该NPN型晶体管Q1的发射极、电阻R2的一端和NMOS管Q3的S极均连接BAT
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端，该NPN型晶体管Q1的基极和电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪川，
申请(专利权)人：张洪川，
类型：新型
国别省市：