显示装置及其制备方法制造方法及图纸

一种显示装置及其制备方法。该显示装置，包括衬底基板以及形成在衬底基板上的至少一个像素电路；像素电路包括驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管；驱动晶体管包括控制极、第一极和第二极，且被配置为，根据驱动晶体管的控制极的电压，控制流经驱动晶体管的第一极和驱动晶体管的第二极的用于驱动发光元件发光的驱动电流；第一晶体管包括第一有源区，第二晶体管包括第二有源区，驱动晶体管包括第四有源区，第一有源区以及第二有源区中的至少一个的掺杂浓度大于第四有源区的掺杂浓度。该显示装置可以提高驱动发光元件进行发光的均匀性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制备方法
[0001]本专利技术是基于申请日为2019年08月23日，申请号为201980001452.2，专利技术名称为“显示装置及其制备方法”的专利申请的分案申请。


[0002]本公开的实施例涉及一种显示装置及其制备方法。

技术介绍

[0003]微型有机发光二极管(Micro Organic Light
‑
Emitting Diode，简称Micro
‑
OLED)显示装置是一种以硅基板为衬底的新型OLED显示装置，又叫做硅基有机发光二极管(简称硅基OLED)显示装置。硅基OLED显示装置具有体积小、分辨率高等优点，其采用成熟的CMOS集成电路工艺制备，可以实现像素的有源寻址，并且可以在硅基衬底上制备包括TCON(时序控制)电路、OCP(操作控制)电路等多种功能电路，可以实现轻量化。

技术实现思路

[0004]本公开至少一实施例提供一种显示装置，包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的至少一个像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管；所述驱动晶体管包括控制极、第一极和第二极，且被配置为，根据所述驱动晶体管的控制极的电压，控制流经所述驱动晶体管的第一极和所述驱动晶体管的第二极的用于驱动发光元件发光的驱动电流；所述第一晶体管连接到所述驱动晶体管的控制极，且被配置为响应于第一扫描信号将数据信号写入所述驱动晶体管的控制极；所述第二晶体管连接到所述驱动晶体管的控制极，且被配置为响应于第二扫描信号将所述数据信号写入所述驱动晶体管的控制极；所述第一晶体管包括第一有源区，所述第二晶体管包括第二有源区，所述驱动晶体管包括第四有源区，所述第一有源区以及所述第二有源区中的至少一个的掺杂浓度大于所述第四有源区的掺杂浓度。
[0005]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第一有源区以及所述第二有源区的掺杂浓度均大于所述第三有源区的掺杂浓度。
[0006]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括第三晶体管，所述第三晶体管连接到所述驱动晶体管的第一极，且被配置为响应于发光控制信号将第一电源电压施加到所述驱动晶体管的第一极；所述第三晶体管包括第三有源区，所述第四有源区的掺杂浓度小于所述第三有源区的掺杂浓度。
[0007]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第四有源区的掺杂浓度比第三有源区的掺杂浓度小4个数量级。
[0008]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第三有源区的掺杂浓度包括10
17
cm
‑3，所述第四有源区的掺杂浓度包括10
13
cm
‑3。
[0009]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第一有源区以及所述第二有源区的掺杂浓度比所述第三有源区的掺杂浓度大3个数量级。
[0010]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第三有源区的掺杂浓度包括10
17
cm
‑3，所述第一有源区以及所述第二有源区的的掺杂浓度包括10
20
cm
‑3。
[0011]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第一晶体管为第一半导体型MOS晶体管，所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述驱动晶体管均为第二半导体型MOS晶体管，所述第一半导体型和所述第二半导体型的掺杂类型相反。
[0012]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，沿所述第一晶体管的第一极至所述第一晶体管的第二极的方向为第一方向，沿所述第二晶体管的第一极至所述第二晶体管的第二极的方向为第二方向，沿所述第三晶体管的第一极至所述第三晶体管的第二极的方向为第三方向，沿所述驱动晶体管的第一极至所述驱动晶体管的第二极的方向为第四方向，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向中的至少一个和所述第四方向相交。
[0013]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向均和所述第四方向垂直。
[0014]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第一晶体管的第一极以及所述第二晶体管的第一极连接以得到公共电极，并通过公共电极与所述驱动晶体管的控制极连接；所述第一晶体管的控制极被配置为接收所述第一扫描信号，所述第一晶体管的第二极被配置为接收所述数据信号；所述第二晶体管的控制极被配置为接收所述第二扫描信号，所述第二晶体管的第二极被配置为接收所述数据信号；所述第三晶体管的控制极被配置为接收所述发光控制信号，所述第三晶体管的第一极被配置为接收所述第一电源电压，所述第三晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极连接；所述驱动晶体管的第二极被配置为和所述发光元件连接。
[0015]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极和所述驱动晶体管的控制极连接，所述存储电容的第二极被配置为接收第三电源电压。
[0016]例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括用于传输所述第一扫描信号的第一扫描信号线以及用于传输所述第二扫描信号的第二扫描信号线，其中，所述第一扫描信号线在所述衬底基板的正投影与所述第二扫描信号线在所述衬底基板的正投影平行。
[0017]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第一扫描信号线以及所述第二扫描信号线的延伸方向均与所述第四方向平行。
[0018]例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括用于传输所述数据信号的数据线，所述第二扫描信号线在所述衬底基板的正投影与所述数据线在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。
[0019]例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括用于传输所述第一电源电压的第一电源电压线以及用于传输发光控制信号的发光控制线，所述第一电源电压线和所述发光控制线的部分延伸方向与所述第四方向平行，所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述第一电源电压线以及所述发光控制线在所述衬底基板的正投影沿与所述第四方向的垂直方向依次排布。
[0020]例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括用于传输第二电源电压的第二电源电压线，所述第一晶体管和所述第二电源电压线电连接以接收所述第二电源电压。
[0021]例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第二电源电压线在所述衬底基
板的正投影位于所述第一电源电压线在所述衬底基板的正投影以及所述发光控制线在所述衬底基板的正投影之间，且所述第二电源电压线的部分延伸方向与所述第四方向平行。
[0022]例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括设置在所述发光控制线的第一侧的第一转接电极，以及从所述发光控制线的第一侧延伸至所述发光控制线的第二侧的第二转接电极，所述第二转接电极在所述衬底基板的正投影与所述发光控制线在所述衬底基板的正投影交叉，所述第一转接电极的两个端部分别和所述第一晶体管的第一极以及所述第二晶体管的第一极电连接，所述第一转接电极和所述第二转接电极电连接，所述第二转接电极和所述驱动晶体管的控制极电连接。
[0023]例如，在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的至少一个像素电路和发光元件，其中，所述像素电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括控制极、第一极和第二极，且被配置为，根据所述驱动晶体管的所述控制极的电压，控制流经所述驱动晶体管的所述第一极和所述驱动晶体管的所述第二极的用于驱动所述发光元件发光的驱动电流；所述像素电路还包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极通过第一转接电极和第二转接电极与所述驱动晶体管的所述控制极电连接，所述第二转接电极的延伸方向与第一转接电极的延伸方向垂直。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一转接电极和所述第二转接电极与所述驱动晶体管的所述控制极设置在不同层。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二转接电极相较于距所述驱动晶体管的所述第一极在更靠近所述驱动晶体管的所述第二极的位置处与所述驱动晶体管的所述控制极电连接。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二转接电极的所述延伸方向与所述驱动晶体管的所述第一极至所述驱动晶体管的所述第二极的方向垂直。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二转接电极的所述延伸方向与所述第一晶体管的所述第一极至所述第二极的方向相同。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一转接电极的所述延伸方向与所述驱动晶体管的所述第一极至所述驱动晶体管的所述第二极的方向相同。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极通过所述第一转接电极和所述第二转接电极与所述驱动晶体管的所述控制极电连接。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一转接电极的两个端部分别和所述第一晶体管的所述第一极以及所述第二晶体管的所述第一极电连接，且所述第一转接电极通过所述第二转接电极与所述驱动晶体管的所述控制极电连接。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述像素电路还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李大超，杨盛际，许晨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：