具有幅值至幅值电压摆幅的源跟随器制造技术

一种源跟随器可以包括一个受到它的阈值电压限制的初级驱动器件和一个不受它的阈值电压限制的次级器件，从而允许次级驱动器件可将输出电压完全驱动至所需的电压幅值。这一次级驱动器件可以在基本相同于初级驱动器件达到它的最大电压转移的时间点启动，从而可确保线性输出电压的转移。这一源跟随器可以采用放大器方式来实施。这一放大器能够输出幅值至幅值的电压，从而有利于提供最佳的性能，特别是在低功率应用中。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够提供幅值至幅值摆幅的源跟随器。
技术介绍
在常规的源跟随器中，源跟随器的输出电压跟随着它的输入电压上升/下降至预定电平。例如，图1说明了一种源跟随器100，它包括一个n沟道晶体管，其漏极连接着高电压源VDD，以及它的源极通过一个电流源与低电压源VSS(例如，接地)相耦合。在该结构中，如果源跟随器100在它的栅极端IN接受到一个低电压，则n沟道晶体管就不会导通，从而允许将输出端OUT的输出电压有电流源下拉。相反，如果源跟随器100在它的栅极端IN接受到一个高电压，则n沟道晶体管就开始导通，从而克服电流源并将输出端OUT上拉至高。特别是，在输出端OUT的电压增加至VDD减去n沟道晶体管的阈值。在一例实施例中，阈值可能为0.5V。于是，特别是在2.0V至3.0V范围内的低电压应用中，由于源跟随器不能获得VDD的幅值电压而使其性能明显降低。图2说明了一种源跟随器200，它包括一个晶体管201，它作为一个初始上拉器件。在源跟随器200中，两个反相器202A和202B缓冲在输入端IN上提供的信号。晶体管201是一个n沟道晶体管，它的漏极与VDD相耦合，它的主体与VSS相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有输入端和输出端的源跟随器，其特征在于，该源跟随器包括：具有第一导通特性的第一器件，它连接着所述输入端和所述输出端，所述第一器件还耦合在第一电压源和第二电压源之间；电流源，它耦合着所述第二电压源，所述第一器件和所述输出端；其中，如果所述第一器件没有导通，则所述电流源就将所述输出端的电压拉升至由所述第二电压源所提供的电压，以及，其中，如果所述第一器件导通，则所述第一器件就将所述输出端的电压拉升至由所述第一电压源所提供的电压减去所述第一器件的阈值电压的电压；具有第二导通特性的第二器件，它耦合在所述输出端和所述第一电压源之间，其中，所述第二导通特性不同于所述第一导通特性，其中，所述第二器件接受...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：B罗森塞尔，
申请(专利权)人：模拟微电子学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]