本发明专利技术是关于一种单电源饱和式的微波放大器，其至少包括第一单级放大器与第二单级放大器。其中第一单级放大器至少具有第一晶体管，而第一晶体管的源极接地，且第一晶体管的汲极串接第一电阻后接至电源；另外第二单级放大器具有与第一单级放大器相同的电路架构。本发明专利技术的第一单级放大器因偏压方式采用Ｉ↓［ＤＳＳ］偏压，所以省去习知中晶体管的源极所必须串接的电阻，藉此有效地避免震荡现象的发生，并达到单电源供应以及减少电路复杂度的目的。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一微波放大器，特别是涉及一种单电源饱和式的微波放大器，而其可适用于无线通讯系统。
技术介绍
传统的军事微波频段放大器使用芯片式的主动元件在陶瓷基板上制作电路，其成本极高，但是可以减少寄生效应，避免震荡的发生。但由于制程技术的进步与商业量产的要求，一般商用无线通讯产品在设计上以改为使用包装式的主动元件在印刷电路板上制作，其成本低廉，但是设计上较为困难，极易有震荡发生，而其震荡来源大都来自偏压电路的寄生效应。而一般放大器电路设计的偏压电路多为双电源偏压或自偏压两种方式，双电源偏压会增加电路的复杂度，而自偏压往往会造成震荡现象。另外低噪声(杂讯)放大器(Low Noise Amplifier简称LNA)是无线通讯的接收模组中不可或缺的一部份，其主要的目的是提供接收来自天线信号所需的增益与灵敏度。且由于LNA是接收机的前端部分，所以一个接收机的噪声指数(Noise Figure)的好坏将决定于LNA的噪声指数。一般而言，当我们在设计LNA时须注意下列几项考量稳定度(Stability)、噪声指数与增益(Gain)。而在一般在无线通讯所使用的LNA，为了达到上述的噪声指数与增益等标准，通常采用了两级电路来组成LNA，亦即通常使用两个单级放大器，而使电路复杂性的增加产生更多寄生效应，再加上增益的变大，更使放大器振荡的机会增加。习知中放大器的偏压方式通常为双电源偏压，所以必须搭配相当复杂的稳压电路，也因此增加放大器电路的复杂度，而增加成本。综上所述，一般无线通讯用的放大器，在设计时常常会产生下列几种问题而需解决，1.放大器电路因偏压电路(由电阻与电容所组成)的寄生效应，使电路出现非使用频率的讯号，形成震荡现象而造成产品失败。2.放大器偏压方式为双电源偏压，需要系统提供两种电压，且必须配合相当复杂的稳压电路。3.放大器电路偏压电路过于复杂，增加成本。4.在发射器部分需要用到功率放大器，同样增加成本，且浪费功率。5.发射与接收使用不同架构的放大器，增加电路设计的难度。由此可见，上述现有的微波放大器仍存在有诸多的缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决微波放大器存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。有鉴于上述现有的微波放大器存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型的单电源饱和式的微波放大器，能够改进一般现有的微波放大器，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的微波放大器存在的缺陷，而提供一种新的单电源饱和式的微波放大器，所要解决的技术问题是使其可有效地避免习知的微波放大器的震荡现象，以及达到单电源供应与电路体积缩小的目的，从而更加适于实用。本专利技术的另一目的在于，提供一种单电源饱和式的微波放大器，所要解决的技术问题是使其可用于无线通讯系统中的发射端，藉以降低无线通讯系统的复杂性以及成本，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种单电源饱和式的微波放大器，适用于无线通讯系统的接收端，其包括一第一单级放大器，具有一第一晶体管，其中该第一晶体管具有一第一源极与一第一汲极，其中该第一源极接地，该第一汲极串接一第一电阻后接至一电源；以及，一第二单级放大器，具有一第二晶体管，其中该第二晶体管具有一第二源极与一第二汲极，其中该第二源极接地，该第二汲极串接一第二电阻后接至该电源；其中，该第一单级放大器的一输出端串接一第三电阻后接至该第二单级放大器的一输入端。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一单级放大器的该第一汲极串接至一第四电阻与一第一电容后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一晶体管的一输入端串接至一第一射频阻流器(RF choke)后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一电阻是先接至一第二射频阻流器后方接至该电源，且该第一电阻与该第二射频阻流器的连接点亦串接至一第二电容后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一单级放大器的第一汲极是先串接至一第三电容后方接至该第三电阻。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一电阻为一可调式电阻，用以调整该电源所提供的一电压。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一晶体管与该第二晶体管是为一高频使用的场效晶体管，该高频使用的场效晶体管可以是HEMT以及MESFET二者之一。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第二单级放大器的该第二汲极串接至一第五电阻与一第四电容后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第二单级放大器的该输入端串接至一第三射频阻流器后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第二电阻是先接至一第四射频阻流器后方接至该电源，且该第二电阻与该第四射频阻流器的连接点亦串接至一第五电容后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第二单级放大器的该第二汲极串接至一第六电容。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种单电源饱和式的微波放大器，其至少包括一晶体管，具有一源极与一汲极，其中该源极接地；以及一第一电阻；其中，该晶体管的该汲极串接至该第一电阻后方接至一电源。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的晶体管的该汲极串接至一第二电阻与一第一电容后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的晶体管的一输入端串接至一第一射频阻流器后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一电阻是先接至一第二射频阻流器后方接至该电源，且该第一电阻与该第二射频阻流器的连接点亦串接至一第二电容后接地。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一电阻与该第二电阻的连接点串接至一第三电容。前述的单电源饱和式的微波放大器，其中所述的第一电阻为一可调式电阻，用以调整该电源所提供的电压。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述专利技术目的，本专利技术的主要
技术实现思路
如下本专利技术提出一种单电源饱和式的微波放大器，适用于无线通讯系统的接收端，此微波放大器包括第一单级放大器以及第二单级放大器。其中第一单级放大器具有第一晶体管，且第一晶体管的源极接地，而第一晶体管的汲极串接至第一电阻后接至电源。至于微波放大器中的第二单级放大器具有第二晶体管，且第二晶体管的源极接地，第二晶体管的汲极串接第二电阻后接至电源。上述的第一单级放大器的输出端串接至第三电阻后方接至第二单级放大器的输入端。依照本专利技术的较佳实施例所述的单电源饱和式的微波放大器，上述的第一单级放大器中的第一晶体管的输入端串接至第一射频阻流器(RF choke)后接地。而第一晶体管的汲极串接至第四电阻与第一电容后接地。至于第一电阻是先接至第二射频阻流器后方接至电源。且第一电阻与第二射频阻流器的连接点亦串接至一第二电容后接地。另外第一单级放大器中的第本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单电源饱和式的微波放大器，适用于无线通讯系统的接收端，其特征在于其包括：一第一单级放大器，具有一第一晶体管，其中该第一晶体管具有一第一源极与一第一汲极，其中该第一源极接地，该第一汲极串接一第一电阻后接至一电源；以及一第二单级放大器，具有一第二晶体管，其中该第二晶体管具有一第二源极与一第二汲极，其中该第二源极接地，该第二汲极串接一第二电阻后接至该电源；其中，该第一单级放大器的一输出端串接一第三电阻后接至该第二单级放大器的一输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：牛道智，陈佳扬，
申请(专利权)人：国防部中山科学研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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