MOSFETBSIM4转换为BSIM-BULK模型方法技术

本发明专利技术提供了一种MOSFET BSIM4转换为BSIM

【技术实现步骤摘要】
MOSFET BSIM4转换为BSIM
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BULK模型方法


[0001]本申请涉及电路处理
，具体涉及一种MOSFET BSIM4转换为BSIM
‑
BULK模型方法。

技术介绍

[0002]BSIM(Berkeley Short
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channel IGFET Model)模型是针对短沟道MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)提出的模型，能提供标准电路的直流分析，瞬时分析，交流分析等数据。其中BSIM4模型适用于深亚微米工艺节点，是业界广泛使用的器件模型。BSIM4模型具有仿真速度快，准确性和灵活度高等优点，缺点在于Vds＝0V附近的非对称性。为了解决非对称性问题，开发出了具有对称性优势的BSIM6模型，业界又称之为BSIM
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BULK，以便更好体现模型物理架构。由于对称性优势，业界使用BSIM
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BULK model本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BSIM4转换为BSIM
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BULK模型方法，其特征在于，包括：将Cgc相关参数从BSIM4模型复用到BSIM
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BULK模型；将ioff相关参数从BSIM4模型复用到BSIM
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BULK模型；将LDE相关参数从BSIM4模型复用到BSIM
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BULK模型；基于复用的Cgc相关参数、ioff相关参数、LDE相关参数，对BSIM4模型进行转换得到处理得到BSIM
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BULK模型。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cgc相关参数包括：cgdo(非轻掺杂区域栅极到漏极交叠电容)，cgso(非轻掺杂区域栅极到源极交叠电容)，cgdl(轻掺杂区域栅极到漏极交叠电容)，cgsl(轻掺杂区域栅极到源极交叠电容)，ckappad(偏压相关的栅极到漏极交叠电容系数)，ckappas(偏压相关的栅极到源极交叠电容系数)，dlc(CV模型的沟道长度补偿系数)中至少其一。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Cgc相关参数还包括llc(CV模型的长度相关沟道长度补偿系数)，lwc(CV模型的宽度相关沟道长度补偿系数)，lwlc(CV模型的长度宽度相关沟道长度补偿系数)，dwc(CV模型的沟道宽度补偿系数)，wlc(CV模型的长度相关沟道宽度补偿系数)，wwc(CV模型的宽度相关沟道宽度补偿系数)，wwlc(CV模型的长度宽度相关沟道宽度补偿系数)中至少其一。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅飞，朱能勇，
申请(专利权)人：上海华大九天信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：